NAND
  • Samsung schlägt zurück: QLC mit 280 Lagen erreicht 28,5 GBit/mm²

    Die Veröffentlichung des Programms der 2024 IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) offenbart bereits ein paar Details zu den geplanten Vorträgen. Aus dieser Vor-Veröffentlichung stammen auch die ersten Informationen zum schnelleren GDDR7, der ebenfalls dort vorgestellt werden soll. Auch auch ein weiterer Vortrag sorgt bereits für großes Interesse: "A 280-Layer 1Tb 4b/cell 3D-NAND Flash Memory with a 28.5Gb/mm² Areal Density... [mehr]


  • Samsung Portable SSD T5 EVO im Test: 8 TB, dafür sehr langsam

    Manchmal kommt es eben doch auf die Größe an: Mit der Portable SSD T5 EVO bietet Samsung beeindruckende 8 TB in einem handlichen Format für unterwegs und die Hosentasche. Dabei geht der Speicherspezialist den sicherlich nicht unumstrittenen Weg und setzt trotz der EVO-Einordnung auf QLC-Speicher sowie die Geschwindigkeit des mSATA-Interfaces. Ob die T5 EVO dennoch ein gutes Gesamtpaket bietet oder schlicht Masse statt Klasse bietet, klären... [mehr]


  • Größte Speicherdichte: YMTC aus China fertigt fortschrittlichsten NAND-Flash

    Immer neue Handelsbeschränkungen und Ausfuhrverbote und dennoch: Nach einer Analyse von TechInsights fertigt Yangtze Memory Technologies (YMTC) den NAND-Flash mit der höchsten Speicherdichte und übertrifft damit die etablierten Hersteller wie Micron, WD, Kioxia und Samsung. Dabei ist YMTC längst kein unbekannter Name am Markt mehr und teilweise wird deren NAND-Flash in Hardware wie den Macs von Apple verbaut. Der in der Zhitai Ti600 SSD... [mehr]


  • Abkehr von China: Micron plant den Bau einer Chipfabrik in Indien

    Die Unabhängigkeit gegenüber China hinsichtlich Halbleiterprodukten zu reduzieren genießt derzeit hohe Priorität, sowohl von verschiedenen Staaten wie auch Unternehmen. Als neuer Absatz- und auch Produktionsstandort rückt dabei das seit kurzem bevölkerungsreichste Land der Erde in den Mittelpunkt, Indien. Micron hat sich, als einer der größten Halbleiterhersteller der Welt, nun für den Bau einer neuen Montage- und Testanlage auf dem... [mehr]


  • SK hynix: Massenproduktion des 238-Layer-4D-NAND gestartet

    SK hynix hat bekannt gegeben, dass es nach der Entwicklung im August 2022 nun mit der Massenproduktion seines 238-lagigen 4D-NAND-Flash-Speichers im Mai dieses Jahres begonnen hat. Der Produktkompatibilitätstest mit einem namhaften Smartphone-Hersteller wurde bereits gestartet. Mit der Massenproduktion des neuen 4D-NAND-Flash-Speichers bereitet sich das Unternehmen gezielt auf die nächsten Next-Gen-Plattformen vor. Denn das Unternehmen rechnet... [mehr]


  • Speicherpreise: Schwache Serveraufträge und hohe Lagerbestände lassen Preise weiter einbrechen

    Neuste Prognosen zeigen, dass die Speicherpreise ihre Talsohle noch nicht erreicht haben. Die Branchenbeobachter von TrendForce mussten daher ihren zuletzt geäußerten Optimismus, dass sich der Preisverfall verlangsamen werde, korrigieren. Denn die neuesten Untersuchungen der Branchenkenner deuten darauf hin, dass die Produktionskürzungen bei DRAM und NAND Flash nicht mit der schwächeren Nachfrage Schritt gehalten haben. Dies wiederum soll zu... [mehr]


  • Voll mit Speicher: Microns Lager explodieren

    Die Speicherhersteller stecken in der Krise – Grund dafür ist eine rückläufige Nachfrage bei gleichzeitig starken Überkapazitäten. Micron lässt mit den vor kurzem veröffentlichten Zahlen aber einen konkreten Einblick zu. Dabei trifft es bei Micron jeden Geschäftsbereich. Der Konzern gibt an, dass der Umsatz gegenüber dem Vorjahr insgesamt um 47 % auf 4,1 Milliarden Dollar eingebrochen ist. Damit macht der Konzern seit langer Zeit erstmals... [mehr]


  • Crucial P3 Plus im Test: Auch PCIe4 hilft QLC nicht auf die Sprünge

    Nachdem wir mit der Crucial P3 eine aktuelle QLC-SSD mit PCIe3-Interface getestet haben, folgt mit der P3 Plus direkt das nächste Review der neuesten SSD-Generation von Crucial. Die Unterschiede sind dabei gering, sodass anders als noch beim Wechsel von P5 zu P5 Plus im Grunde die selbe Hardware verwendet wird und das Upgrade vorrangig durch die verbesserte Firmware erreicht wird. Ob dies die P3 Plus zu einer ernstzunehmenden Konkurrenz macht,... [mehr]


  • SSD-Preise begeben sich auf Talfahrt

    Aktuell erleben Konsumenten in fast allen Bereichen Preissteigerungen. Jetzt gibt es aber gute Nachrichten für alle Nutzer, die mit dem Gedanken spielen, sich eine neue SSD anzuschaffen. Nach Untersuchungen von TrendForce besteht bei NAND-Flash derzeit ein Überangebot. Dies hat zur Folge, dass die Waferpreise im dritten Quartal 2022 um rund 30 bis 35 % gefallen sind. In Kombination mit den derzeitigen Lagerbeständen sinken die Kosten für... [mehr]


  • Crucial P3 im Test: QLC-SSD überzeugt nur bedingt

    Gleich zwei Modelle mit modernstem QLC-Speicher verbreitern das Portfolio von Speicherhersteller Crucial: Die P3 und die P3 Plus. Während letztere dabei auf das schnellere PCIe4-Interface setzt, muss unser heutiges Testmuster noch mit halber Datenübertragung auskommen. Zum Einsatz kommt dabei Microns neuester NAND in 176 Schichten, sodass die Crucial P3 aktuell sicherlich zu den modernsten QLC-SSDs gehört. Ob damit auch die Nachteile dieser... [mehr]


  • Massenfertigung ab 2023: SK hynix stapelt 238 NAND-Lagen

    Das Rennen um NAND-Chips mit den meisten Lagen geht in die nächste Runde. Nachdem Micron in der vergangenen Woche seinen neuen NAND-Speicher mit 232 Lagen vorgestellt hat, folgt nun SK hynix und legt mit 238 Lagen nach. In die Massenproduktion sollen die entsprechenden Chips in der zweiten Jahreshälfte 2023 gehen. Gegenüber dem aktuellen 176L-NAND von SK hynix soll die 238L-NAND-Variante im TLC-Design eine um 34 % höhere Ausbeute in... [mehr]


  • Micron stellt 232-Lagen-NAND mit mehr I/O-Bandbreite vor

    Im Vorfeld des Flash Memory Summit in der kommenden Woche hat Micron seinen neuen NAND-Speicher mit 232 Lagen vorgestellt. Damit einher geht auch die Präsentation eines neuen 3 Bit TLC-NAND, der eben auf diesem neuen 232L-NAND basiert und neben der höheren Speicherdichte auch eine höhere Speicherbandbreite ermöglicht. Der bisher NAND-Speicher von Micron mit den meisten Lagen verwendete zwei Stapel an 88L-NAND - basierte somit insgesamt... [mehr]


  • Intel verkauft SSD-Business an SK-hynix-Tochter Solidigm

    Im Oktober des vergangenen Jahres verkündete Intel, dass man die NAND-SSD-Sparte an SK hynix verkaufen werde. In einem ersten Schritt hat SK hynix nun die Tochtergesellschaft Solidigm gegründet, die eben diesen Geschäftsbereich teilweise aufnimmt. Der Deal, der einen Umfang von 9 Milliarden US-Dollar umfasst, betrifft nicht Technologien und Patente rund um den Optane bzw. 3D-XPoint-Speicher. In besagter erster Stufe werden alle... [mehr]


  • Innogrit Rainier QX: Schneller SSD-Controller setzt schnellen NAND voraus

    Der noch eher unbekannte chinesische Hersteller für SSD-Controller Innogrit hat ein weiteres Modell für PCIe-4.0-SSDs vorgestellt, welches anders als die meisten Konkurrenzprodukte mit weniger Kanälen auskommen soll, aber dennoch extrem hohe Datenübertragungsraten erreicht. Auf die noch verstecke Pressemitteilung sind die Kollegen von Computerbase aufmerksam geworden. Der Innogrit Rainier QX soll ein PCIe-4.0-Interface mit... [mehr]


  • Intel SSD 670p im Test: Mit QLC fehlen die Argumente

    Mit der SSD 670p legte Intel bereits vor einigen Monaten den zweiten Nachfolger der relativ beliebten 660p auf. Diese konnte trotz QLC-Speicher einige Abnehmer finden und galt besonders aufgrund des Preises als guter Kompromiss für User, die zwar einen NVMe-Massenspeicher suchen, dabei aber nicht allzu viel bezahlen wollen. Ob das auch für die 670p gilt, klären wir in unserem Review.   Wurde die Intel SSD 660p noch als eine der... [mehr]


  • Intel verkauft seine NAND-Memory-Sparte an SK hynix

    Intel trennt sich von seiner NAND-Memory-Sparte. Für insgesamt 7,7 Milliarden Euro übernimmt das südkoreanische Unternehmen SK hynix die Intel-Sparte. Dabei handelt es sich um die bisher größte Übernahme der Südkoreaner. Beide Hersteller beabsichtigen bis zum Jahr 2025 den Geschäftsübergang abgeschlossen zu haben. Die Optane-Flashspeicher-Technik bleibt aber im Besitz von Intel.  SK hynix ist weltweit bereits der zweitgrößte... [mehr]


  • Intel will bald über 2nd Gen 3D XPoint, 144-Layer-NAND und mehr sprechen

    In letzter Zeit ist es etwas still um Intels zukünftige Speicherlösungen geworden. Dies liegt unter anderem daran, dass ein wichtigster Bestandteil der Technologien zwar bereits vorliegt, es Intel aber an den passenden Plattformen mangelt. Bereits bekannt ist, dass die zweite Generation des Optane DC Persistent Memory alias Barlow Pass für die Whitley- und Cedar-Island-Plattform erscheinen soll. Barlow Pass soll 3.200 MT/s erreichen... [mehr]


  • Samsung entwickelt V-NAND mit 160 Layer

    Samsung entwickelt derzeit die inzwischen 7. Generation seines V-NAND. Ziel der neusten Generation ist vor allem die Erhöhung der Layer, um die Speicherdichte der einzelnen Chips noch weiter zu erhöhen und damit gleichzeitig die Produktionskosten zu senken. Die 7. Generation wird laut ersten Informationen des Herstellers mit mindestens 160 Layern daherkommen. Zudem könnte dadurch auch die Geschwindigkeit erhöht werden. Um die hohe Anzahl an... [mehr]


  • Ehemals Toshiba Memory: KIOXIA gibt Markennamen der Consumer-SSDs bekannt

    Frei nach dem Motto Uplifting the world with memory möchte KIOXIA (ehemals Toshiba Memory) das Flash-Speicher-Segment ausbauen. Zunächst wurden die von Toshiba vorgesehen Produktbezeichnungen nicht überarbeitet, doch dies wird sich ab sofort ändern, wie KIOXIA nun bekanntgegeben hat. Von nun an werden sämtliche Flash-Produkte, wie SSDs , USB-Sticks und Speicherkarten unter dem Produktnamen Exceria geführt. KIOXIA hat im... [mehr]


  • Western Digital and Kioxia bringen 3D-NAND BiCS5 mit 112 Lagen

    Western Digital hat zusammen mit Kioxia seinen neusten NAND mit der Bezeichnung BiCS5 vorgestellt. Vorteil des neuen Speicherbausteins sei eine höhere Speicherdichte, womit gleichzeitig die Produktionskosten sinken sollen. BiCS5 wird laut den Chipherstellern aus insgesamt 112 Lagen aufgebaut sein. Damit erhöht man die Speicherlagen gegenüber dem Vorgänger BiSC4 deutlich, denn hier setzte man auf 96 Lagen. Durch die höhere Anzahl... [mehr]


  • Preise für NAND sollen 2020 um bis zu 40 Prozent steigen

    Wer im Moment auf der Suche nach einer neuen SSD ist, sollte mit dem Kauf vermutlich nicht mehr allzu lange warten. Denn aus dem asiatischen Raum werden Berichte laut, wonach der Preis von NAND-Bausteinen im Laufe des Jahres um bis zu 40 % ansteigen sollen. Dies würde natürlich eine Erhöhung der Preise für SSDs nach sich ziehen. Sanken die Preise für die Speicherbausteine in den vergangenen Monaten immer weiter, soll nun der Tiefpunkt erreicht... [mehr]


  • Micron feiert Tape-Out von 3D-NAND mit 128 Layern

    Micron hat die Entwicklung von 3D-NAND weiter vorangetrieben und die inzwischen 4. Generation von Speicherchips vorgestellt. Die neue Generation wird aus 128 Layern aufgebaut, während der Vorgänger noch auf 96 Layer setzte. Durch die höhere Anzahl an Schichten kann die Speicherdichte erhöht werden und damit steht pro Chip mehr Speichervolumen zur Verfügung. Gleichzeitig können pro Wafer mehr Speicherchips hergestellt werden, womit die... [mehr]


  • Intel spricht über Optane DCPM der nächsten Generation und 3D-NAND mit 5 Bit

    Auf einem Memory & Storage Day hat Intel weitere Details zur Zukunft seiner Speicherlösungen angekündigt. Diese splitten sich in die Bereiche der Consumer- und Datancenter-Speicherlösungen auf und geben sowohl einen kurzfristigen Ausblick wie auch Hinweise auf die längerfristige Strategie von Intel. Zunächst einmal wollen wir uns mit der nächsten Generation des Optane DC Persistent Memory beschäftigen. Dieser spielt für die aktuellen... [mehr]


  • Samsungs SSDs sterben nicht mehr und erreichen 8 GB/s

    Samsung hat eine komplett neue SSD-Serie angekündigt, die auf PCI-Express 4.0 basieren soll, vor allem aber wegen der neuen Softwarefunktionen in den verschiedenen Märkten interessant sein könnte. Den Anfang machen die Datanceter-SSDs PM1733 und PM1735. In diesen zwei Serien bietet Samsung in verschiedenen Kapazitäten und Formfaktoren insgesamt 19 unterschiedliche Modelle an. Die PM1733 gibt es mit U.2-Anschluss oder als HHHL-Karte... [mehr]


  • Samsung startet Massenproduktion von V-NAND V6

    Das südkoreanische Unternehmen Samsung gab jetzt bekannt, dass der Konzern mit der Massenproduktion von 250-GB-SATA-Solid-State-Laufwerken (SSD) begonnen hat, die mit der sechsten Generation des V-NAND Flash-Speichers bestückt sind. Samsungs V-NAND der sechsten Generation bietet laut eigenen Angaben die branchenweit schnellste Datenübertragungsrate. Unter Verwendung der "Channel Hole Etching"-Technologie soll der neue V-NAND der bisherigen... [mehr]


  • NAND-Produktion von Toshiba und WD fallen aus: 6 EByte verloren

    Toshiba und Western Digital müssen nach einem Stromausfall in Japan mit einem erheblichen Produktionsverlust bei NAND-Bausteinen rechnen. Wie die beiden Chip-Hersteller mitteilen, können aufgrund des Stromausfalls bis zu 6 Millionen TB weniger NAND-Flash produziert werden als geplant. Der Vorfall hat sich bereits am 15. Juni ereignet und aufgrund des plötzlichen Ausfalls der Energieversorgung wurden zahlreiche Chips zerstört. Zudem müssen nun... [mehr]


  • SK Hynix startet Fertigung von 128-Layer 4D NAND

    SK Hynix hat angekündigt, dass man als erster NAND-Fertiger damit begonnen habe, einen 4D NAND mit 128 Layern zu fertigen. Ab der zweiten Jahreshälfte will der Hersteller damit beginnen den Markt damit zu bedienen. Aufgrund der Anzahl von 128 Schichten rechnet SK Hynix damit, dass man NAND-Speicher um 40 % profitabler anbieten kann. Entsprechend sollen die Preise für den TLC-Speicher sinken, was günstigere SSDs möglich... [mehr]


  • SK Hynix liefert ersten QLC-NAND mit 96-Layern aus

    SK Hynix treibt die Speicherdichte bei NAND-Bausteinen weiter voran und liefert an seine Partner erste Musterchips mit einer Kapazität von 1 Terabit aus. Die Speicherbausteine sind für den Einsatz in SSDs gedacht und werden mit 96 Speicherlagen hergestellt. Durch den zusätzlichen Einsatz der QLC-Technik kann der Hersteller die Kapazität von 1 Terabit pro Baustein realisieren. Beim QLC-NAND werden pro Speicherzelle vier Bits gespeichert,... [mehr]


  • Intel Optane Memory H10: Optane plus QLC-3D-NAND auf M.2

    Bereits im Januar kündigte Intel den Optane Memory H10 für das erste Quartal 2019 an. Heute nun erfolgt die offizielle Vorstellung mit darauf folgender Verfügbarkeit sowie den technischen Daten zu den M.2-Modulen, die Intels Optane Memory und den eigenen QLC-3D-NAND kombinieren. Der Optane Memory H10 ist das fehlende Verbindungsglied zwischen den reinen Caching-Modulen auf Basis von Optane Memory, die bereits vor fast zwei... [mehr]


  • Verbesserte NAND-Produktion soll SSDs nochmals günstiger machen

    Die Preise für SSDs fallen schon seit Monaten. Und anscheinend ist beim Preisverfall noch kein Ende in Sicht. Zumindest meldet der Branchendienst DigiTimes, dass sich die Produktion der NAND-Bausteine im zweiten Quartal 2019 nochmals erhöhen soll. Grund dafür sei, dass die Ausbeute des 3D-NANDs mit 96 Speicherlagen von den Herstellern nochmals verbessert wurde und damit in der gleichen Zeit mehr Speicherbausteine vom Band laufen können als... [mehr]


  • Samsung verliert Marktanteile im NAND-Geschäft

    Was den Umsatz mit NAND-Flash angeht, konnte Samsung mit rund 4,3 Milliarden US-Dollar das beste Ergebnis im viertel Quartal des Jahres 2018 erzielen. Jedoch stellt dies einen Rückgang von 28,9 % gegenüber dem vorherigen Quartal dar. Im Durchschnitt kamen fast alle Hersteller im viertel Quartal auf einen Rückgang von 16,8 %. Der US-amerikanische Halbleiterhersteller Intel konnte jedoch seinen Absatz verbessern und steigerte diesen um 2,2... [mehr]


  • SSD-Controller Phison PS5016-E16 will mit PCI-Express-4.0 durchstarten

    Noch gibt es keine Mainboards mit der PCI-Express-4.0-Schnittstelle, doch AMD wird noch im Laufe des Jahres mit der 3. Generation der Ryzen-Plattform die Technik in den Markt bringen. Phison trifft bereits erste Vorbereitungen und hat einen SSD-Controller vorgestellt, der die schnelle Schnittstelle beherrscht. Der Hersteller hat den PS5016-E16 erstmals während der CES 2019 ausgestellt. Vorteil von PCIe-4.0 sind vor allem die höheren... [mehr]


  • Intels H10-Modul vereint Optane-Speicher und QLC-NAND

    Noch im Frühjahr wird Intel ein neues Speichermodul im M.2-Formfaktor auf den Markt bringen. Darin vereinen sich zwei der wichtigsten Entwicklungen, die Intel in den vergangenen Jahren vollzogen hat – 3DXPoint alias Optane Memory und QLC-NAND. Vor allem der Optane-Speicher ist inzwischen in zahlreichen Produktserien von Intel zu finden. Über Datacenter und Endkunden-SSDs bis hin zu Hybrid-DIMM-Einsatz für die Xeon-Servern. Mit der SSD... [mehr]


  • 8 Cent pro GB: NAND-Flash soll 2019 deutlich günstiger werden

    Nicht zuletzt das gestiegene Interesse von Verbrauchern und PC-Herstellern soll zu stabilen SSD-Preisen führen - davon gingen Branchenkenner zumindest im Frühjahr aus. Erst langfristig sei mit einem weiteren Preisverfall zu rechnen. Inzwischen geht man jedoch von einer anderen Entwicklung aus. Denn schon im nächsten Jahr soll NAND-Flash so günstig wie nie werden. Noch im Mai klang es ein wenig anders: Die steigende Nachfrage würde dafür... [mehr]


  • Intel 660p: SSD mit PCIe und QLC-NAND soll niedrigen Preis bieten

    Intel wird wohl zeitnah eine neue SSD auf Basis von QLC-Speicher in den Handel bringen. Laut aktuellen Informationen wird die 660p neben einem QLC-Speicher auch ein PCI-Express-3.0-x4-Interface bieten. Zudem kann sie mit dem NVMe-Protokoll aufwarten. Damit soll die M.2-SSD eine hohe Performance ermöglichen und darüber hinaus der Preis für den Speicher trotzdem niedrig ausfallen. Die Intel 660p soll Daten mit bis zu 1.800 MB/s... [mehr]


  • NAND-Baustein BiSC-4 mit QLC-Technik erreicht 1,33 TBit pro Chip

    Bausteine für SSDs bieten seit Jahren immer höhere Speicherkapazität. Der BiCS4-Flash-Speicher von Toshiba und Western Digital soll laut den beiden Unternehmen nochmals eine ordentliche Schippe bei der Kapazität obendrauf packen. Erste Muster des NANDs würden demnach eine Kapazität von bis zu 1,33 TBit pro Baustein bieten. Bisher sprach man beim BiCS 4 von einer maximalen Kapazität von 1 TBit, doch anscheinend konnten bei der... [mehr]


  • Micron darf aktuell keine Chips mehr nach China liefern

    Micron zählt zu den größten Chipherstellern weltweit. Das US-Unternehmen beliefert zahlreiche Hersteller mit seinen DRAM- und NAND-Chips, doch ab sofort darf der Hersteller 26 verschiedene Modelle in China nicht mehr verkaufen. Vorausgegangen ist dabei ein Patentstreit zwischen dem chilenischen Kontrahenten UMC und Micron. Ein Urteil hat nun die Patentverletzung bestätigt, womit gleichzeitig ein Verkaufsverbot für zahlreiche Chips in China in... [mehr]


  • Western Digital liefert ersten 3D-NAND BiCS 4 mit 96 Layern an Partner

    Western Digital hat laut eigenen Angaben damit begonnen, die ersten Chips der vierten Generation des BiCS-NAND auszuliefern. Der BiCS 4 soll im Vergleich zum Vorgänger günstiger zu produzieren sein und gleichzeitig eine höhere Speicherdichte aufweisen. Der NAND-Speicher soll vor allem in SSDs verbaut werden. Wie auch schon die dritte Generation, wird auch die vierte Generation im 3D-Verfahren produziert. Es werden also mehrere Speicherlagen in... [mehr]


  • Intel und Micron entwickeln QLC-Speicher mit 96 Layern

    Auch wenn Intel und Micron ihre Zusammenarbeit offiziell beendet haben, erscheinen dennoch neue Produkte bzw. Speichertechnologien. IM Flash Technologies (IMFT) geben gleich mehrere Neuheiten bekannt. So liefert man das den ersten Speicherchips mit 1 TBit Kapazität und 4 Bits pro Zelle (QLC) an. Zudem hat man diesen 4Bits/Cell 3D-NAND mit der 2. Generation des 3D-NAND mit 64 Layer qualifiziert. Es können demnach erste... [mehr]


  • Steigende SSD-Nachfrage bremst Preisverfall von NAND-Flash

    Das zunehmende Interesse von Verbrauchern und OEMs an SSDs hat für eine Stabilisierung der Preisentwicklung bei NAND-Flash gesorgt. Wurden entsprechende Laufwerke zuletzt immer günstiger, soll in der zweiten Jahreshälfte ein stabiles Niveau erreicht werden. Was das für den Endkundenmarkt bedeutet, ist nicht klar. Denn schon die sinkenden Preise kamen hier nur teilweise an. Zwischen November 2017 und Ende März 2018 haben sich SSDs laut... [mehr]


  • Stromausfall zwingt Samsungs NAND-Produktion in die Knie

    Samsung scheint mit Produktionsproblemen bei der Herstellung von NAND-Bausteinen zu kämpfen. Wie koreanische Quellen melden, soll ein Stromausfall in den Produktionsanlagen dazu geführt haben, dass zahlreiche Wafer vernichtet werden mussten. Laut ersten Angaben musste Samsung rund 60.000 Wafer seines gestapelten 3D-NAND mit 64 Lagen entsorgen. Der Strom sei für rund 40 Minuten ausgefallen und die Notstromversorgung konnte lediglich für 20... [mehr]


  • GoodRAM IRDM Ultimate: Schnelle M.2-SSD mit NVMe-Protokoll angekündigt

    GoodRAM stellt seine M.2-SSD IRDM Ultimate offiziell vor. Das Laufwerk soll sich vor allem durch eine hohe Geschwindigkeit auszeichnen und nutzt deshalb auch ein PCI-Express-3.0-x4-Interface zusammen mit dem NVMe-Protokoll. Wir hatten bereits im Dezember die Möglichkeit, uns das Laufwerk anzuschauen - nun folgt auch die offizielle Ankündigung seitens des Herstellers. Die Performance gibt der Hersteller mit bis zu 2,9 GB/s beim... [mehr]


  • Intel SSD DC P4510 Series mit bis zu 8 TB – 4500 Series kommt im Linealformat

    Intel hat seine SSD-Produktpalette für den Datacenter- und Cloud-Einsatz abermals ausgeweitet, nachdem in der vergangenen Wochen die P4500-Serie um Modelle mit einer Kapazität von 8 und 16 TB erweitert wurde, während die DC P4608 den Wechsel von 2D-MLC-NAND auf 3D-TLC-NAND vollzogen hat. Nun hat Intel zudem auch noch die SSD DC P4510 Series vorgestellt bzw. auch hier eine Umstellung des verwendeten Speichers eingeleitet... [mehr].


  • Micron bringt seine erste SSD mit QLC-NAND noch in diesem Jahr

    Micron hat seine Pläne rund um SSDs verraten. Der Speicherhersteller möchte laut eigenen Angaben noch im Laufe des aktuellen Jahres erste Speicherlösungen auf Basis von QLC-NAND auf den Markt bringen. Beim QLC-NAND werden im Gegensatz zum meist eingesetzten TLC-NAND pro Speicherzelle vier Bits gespeichert. Bei der TLC-Technik sind es lediglich drei. Dies erhöht die Speicherdichte, womit langfristig die Kosten bei der Produktion von... [mehr]


  • Samsung fertigt besonders robusten UFS-Speicher mit 256 GB fürs Auto

    Speicherchips im Automobilbereich müssen besonderen Herausforderungen gewachsen sein. Speziell für diesen Bereich hat Samsung nun einen neuen UFS-3.0-Speicher vorgestellt. Die Speicherchips werden eine Kapazität von 256 GB bieten und sollen sich durch ihre hohe Robustheit auszeichnen. Die Vorgänger boten lediglich eine Kapazität von 64 oder 128 GB.  Der neue UFS-Speicher kann laut Hersteller problemlos in einem Temperaturbereich zwischen... [mehr]


  • Intel und Micron beenden ihre Zusammenarbeit

    Vor gut zwölf Jahren schlossen sich Intel und Micron zu einem Joint Venture zusammen. Ziel war die Entwicklung neuer NAND-Technologien, denn Intel wollte im Speicherbereich eine größere Rolle spielen und Micron sollte von den Fertigungstechnologien von Intel profitieren. Das IM Flash Technologies (IMFT) getaufte Unternehmen brachte einige Neuheiten auf den Markt, die beide Unternehmen separat vermarkteten. Nun vermelden beide... [mehr]


  • Western Digital: NAND-Bausteine BiCS 4 mit 96 Lagen und mehr Leistung

    Western Digital hat Mitte des vergangenen Jahres erstmals die NAND-Bausteine BiCS 3 angekündigt. Bei den Speicherchips setzt der Hersteller auf ein gestapeltes Produktionsverfahren mit insgesamt 64 Lagen. Nun steht der Nachfolger BiCS 4 in den Starlöchern. Mit den neuen Speicherbausteinen werden die Speicherlagen auf 94 erhöht, womit die Speicherdichte pro Chip erhöht wird. Gleichzeitig soll auch die Leistung ansteigen - genaue Angaben fehlen... [mehr]


  • Preise für SSDs sollen im ersten Halbjahr 2018 fallen

    Die Preise für schnelle SSDs sind in vergangenen beiden Jahren um rund 20 % angestiegen. Dieser Trend könnte sich laut den Experten von DRAM Exchange wieder ändern. Demnach gibt es Hinweise, dass im ersten Halbjahr 2018 die Preise für NAND-Bausteine sinken könnten. Somit würden auch SSDs wieder günstiger verkauft werden. Als Grund wird eine verbesserte Produktion bei den Herstellern von NAND-Speicher genannt. Die Ausbeute würde... [mehr]


  • Samsung startet Produktion des ersten 512 GB UFS für Mobilgeräte

    Samsung hat die Massenproduktion von eUFS-Speicher mit einer Kapazität von 512 GB bekanntgegeben. Damit bieten die Bausteine doppelt soviel Kapazität als der Vorgänger und ermöglicht den Herstellern von mobilen Geräten mehr Speicherplatz auf weniger Raum zu verbauen. Für den internen Speicher von 512 GB muss damit nur noch ein Baustein verlötet werden. Dies spart Platz auf der Platine, welcher für andere Komponenten oder einen auch... [mehr]


  • Toshiba bringt UFS-2.1-Chips mit 64 Lagen und 256 GB Kapazität

    Toshiba hat schon vor einigen Wochen seine neuste NAND-Generation BiCS3 für SSDs in Form der TR200 veröffentlicht. Die Speicherchips werden im sogenannten 3D-Verfahren produziert und setzten auf insgesamt 64 Lagen. Genau diese Technik nutzt der Chiphersteller nun auch für seinen USF-2.1-Speicher.  Bei den USF-Chips sind laut Hersteller sowohl der Controller als auch der NAND-Speicher in einem Package vereint. Bei SSDs hingegen ist... [mehr]