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SK Hynix hat angekündigt, dass der QLC-NAND mit 321 Lagen und einer Kapazität von 2 TBit (256 GB) ab sofort in die Massenproduktion gegangen sein soll. Es handelt sich laut SK Hynix um die ersten mehrlagigen QLC-NAND dieser Art. QLC steht für Quad Level Cell, was nichts anderes bedeutet als: Hier werden vier Bits pro Zelle gespeichert.
Mit dem neuen QLC-NAND bei 321 Lagen wird SK Hynic in die Lage versetzt, die Kapazität pro Speicherchip zu verdoppeln. Um einer möglichen Leistungsminderung bei NAND-Speichern mit hoher Kapazität entgegenzuwirken, hat das Unternehmen die Anzahl der Ebenen, also der unabhängigen Betriebseinheiten ("independent operation units") innerhalb eines Chips, von vier auf sechs erhöht. Dies ermöglicht eine höhere Parallelverarbeitung und verbessert die simultane Leseleistung.
Laut SK Hynix wird auf den einzelnen Speicherchip die Datenübertragungsrate verdoppelt, die Schreibleistung wurde um bis zu 56 % verbessert und die Leseleistung um 18 %. Darüber hinaus wurde die Energieeffizienz beim Schreiben um mehr als 23 % gesteigert.
Zunächst will SK Hynix den neuen QLC-NAND mit 321 Lagen in NVMe-SSDs im Endkundenbereich einsetzen, bevor der Einsatzbereich dann auch auf Enterprise-SSDs ausgeweitet werden soll. Zudem ist der Einsatz in UFS-Speicher für Smartphones geplant. Mittels 32DP-Stacking will SK Hynix zudem 32 der QLC-NAND-Chips übereinander stapeln, was zu einer weiteren Erhöhung der Speicherdichte führt. Vor allem für Enterprise-SSDs ist dies interessant.
In der ersten Jahreshälfte 2026 sollen die ersten Speicherprodukte mit QLC-NAND mit 321-Lagen auf den Markt kommen.
