DRAM
  • Voll mit Speicher: Microns Lager explodieren

    Die Speicherhersteller stecken in der Krise – Grund dafür ist eine rückläufige Nachfrage bei gleichzeitig starken Überkapazitäten. Micron lässt mit den vor kurzem veröffentlichten Zahlen aber einen konkreten Einblick zu. Dabei trifft es bei Micron jeden Geschäftsbereich. Der Konzern gibt an, dass der Umsatz gegenüber dem Vorjahr insgesamt um 47 % auf 4,1 Milliarden Dollar eingebrochen ist. Damit macht der Konzern seit langer Zeit erstmals... [mehr]


  • 1β-DRAM: Micron startet Massenproduktion

    Micron hat bekannt gegeben, dass man die ersten Qualification-Samples des nach eigener Aussage "modernsten DRAM" ausgeliefert habe. LPDDR5X mit bis zu 3.200 MT/s werde momentan an die ersten Smartphone-Kunden ausgeliefert. Die Besonderheit stellt die Fertigung dar, denn Micron geht nach 1α (1-alpha) nun den Schritt zu 1β (1-beta), verzichtet jedoch weiterhin auf die Nutzung von EUV. Stattdessen kommt das bewährte Multi... [mehr]


  • Exotische Hardware: RAM-Modul für IBM-Server zeigt sich mit 152 DRAM-Chips

    Der PC-Markt befindet sich aktuell in einer Umstellung von DDR4 zu DDR5. Hier beschäftigen wir uns mit den Themen Latenzen, Timings, Spannungen und der aktuellen Notwendigkeit sowie der Probleme im Betrieb mit vier DIMMs. Neben dem klassischen DDR-Speicher gibt es NVDIMMs, die per externer Stromversorgung einen gewissen Schutz der Daten gewährleisten sollen. Im Hinblick auf die Speicherkapazität pro Sockel stellt der Optane Persistent Memory... [mehr]


  • Micron präsentiert PCIe-4.0-SSDs für den Endkundenbereich

    Zur Computex stellt Micron die nächste Generation der eigenen Endkunden-SSDs vor, die allesamt auf PCI-Express 4.0 basieren, bzw. einen entsprechenden Controller verwenden. Über die 3400- und 2450-Serie teilt Micron das Angebot in zwei Produktkategorien auf – allesamt mit 176-Layer 3D TLC NAND bestückt. Dieser erreicht Datenraten von 1.600 MT/s, so dass es auf Seiten des eigentlichen Speichers eine gewisse Beschleunigung gibt. Micron ist... [mehr]


  • Samsung SSD 980 im Test: Ohne DRAM keine Empfehlung

    Etwas überraschend erscheint nach Einführung der Samsung SSD 980 PRO nicht die mit Spannung erwartete EVO oder gar QVO, sondern lediglich die 980. Eine SSD ohne Namenszusatz, lediglich mit dem Seriennamen der Samsung 980. Doch nicht nur der Namenszusatz fiel dem Rotstift zum Opfer, sondern auch viel wichtiger: der DRAM-Cache. Ob das zum bisherigen Ruf der Samsung-SSDs passt oder ob der Speicherspezialist damit zu weit ging, klären wir in... [mehr]


  • Barlow Pass: Intel Optane Persistent Memory 200 Series wird schneller (Update)

    Mit den Cascade-Lake-Prozessoren setzt Intel einen Großteil der Aufmerksamkeit auf den Optane DC Persistent Memory, der erstmalig in der zweiten Generation der Xeon-Scalable-Prozessoren zum Einsatz kam. Auf die aktuelle Apache-Pass-Generation folgt nun Barlow Pass. Wichtigstes Merkmal ist die höhere Speicherbandbreite (+25 %) im Vergleich zur ersten Generation. Verwendet werden können die neuen Module zunächst von den neuen... [mehr]


  • Samsung: Schmutz verursacht Milliarden-Schaden bei DRAM-Produktion

    Samsung hatte laut eigenen Angaben in den letzten Wochen mit Verschmutzungen bei der Produktion von DRAM-Chips zu kämpfen. Der Chiphersteller gibt an, dass durch verunreinigte Ausrüstung zahlreiche Wafer entsorgt werden mussten und damit ein Schaden von mehreren Milliarden Won entstanden sei. Allerdings wurde lediglich eine kleinere DRAM-Fertigung verschmutzt, sodass nicht die komplette Produktion gestoppt werden musste. Konkret soll... [mehr]


  • Take it to the limit: G.Skill Trident Z Royal Silver DDR4-4000 im Test

    In unserem bisherigen Testsystem kamen wir bei Tests von Speichermodulen nicht über eine Taktfrequenz von 4.200 MHz. Auch das ist zwar bereits ein recht hoher Wert, aber für Speichermodule wie die G.Skill Trident Z Royal mit spezifizierten 4.000 MHz beim Overclocking schnell erreicht. Insofern brauchten wir eine neue Plattform: Die neuen G.Skills testen wir erstmals auf einem ASUS Maximus XI Apex. Das Board hat einen... [mehr]


  • B-Die-Produktion ausgelaufen: Neue M- und A-Dies sollen schneller sein

    Einer der beliebtesten Threads in unserem Forum ist die Ultimate-HARDWARELUXX-Samsung-8Gbit-B-Die-Liste. Hier zeigen sich die Stärken der Community, denn über die Initiative einiger wenige und die Zusammenarbeit der gesamtem Community wurde eine umfangreiche Leiste zusammengestellt, die nahezu alle Speichermodule und Kits der verschiedenen Hersteller enthält, die auf den Samsung B-Die setzen. Beim Samsung 8Gbit B-Die handelt es sich um... [mehr]


  • Preise und Vergleiche zu Optane DC Persistent Memory (Update: Retail-Preise)

    Im Rahmen der Vorstellung der Xeon-Scalable-Prozessoren der 2. Generation hat Intel auch den offiziellen Startschuss des Optane DC Persistent Memory gegeben. Im Rahmen der Vorstellung ist es immer wieder zu Fragen gekommen, welche Vorteile Optane DC Persistent Memory gegenüber Standard-DRAM denn nun hat. Auch die Fragen nach den Kosten scheint bisher nicht in der Form beantwortet worden zu sein, dass dieser Umstand im Zusammenspiel... [mehr]


  • Samsung kündigt DRAM-Chips der 3. Generation aus der 1z-Klasse an

    Samsung gehört weltweit zu einer der größten Hersteller für DRAM- und NAND-Bausteinen. Wie das südkoreanische Unternehmen mitteilt, werde man schon bald die DRAM-Produktion mit einer feineren Strukturbreite verbessern. Aktuelle setzt Samsung bei der Produktion der Bausteine noch auf die 1y-Klasse, doch noch im Laufe des zweiten Halbjahres 2019 soll der Schritt zur 1z-Klasse erfolgen. Samsung hat bereits vor einiger Zeit die Bezeichnung für die... [mehr]


  • AMD will DRAM und SRAM in das CPU-Package bringen

    Auf der High Performance Computing Conference gab Forrest Norrod, Senior Vice President und General Manager der Datacenter-Gruppe bei AMD, eine interessante Präsentation. Dabei ging er zunächst einmal auf die aktuellen Herausforderungen im Chipdesign ein. Diese liegen laut AMD in der Fertigung immer kleinerer Strukturen bei gleichzeitig immer größeren Anzahl an Transistoren und damit einer erhöhten Komplexität sowie der Tatsache, dass die... [mehr]


  • DRAM und NAND: Micron mit neuer NVDIMM-N-Generation

    Dieses Jahr darf im Serversegment als Durchbruch für den NVDIMM bezeichnet werden. Darunter wird die Kombination aus DRAM und NAND verstanden, der als Arbeitsspeicher die Vorteile beider Speichertechnologien vereinen soll. HP und verschiedene weitere Serveranbieter verbauen NVDIMM bereits. Micron hat nun neue Module mit einer Kapazität von 32 GB vorgestellt. Diese arbeiten als DDR4-2933 mit Timigs von CL21 und sind damit wesentlich... [mehr]


  • Intel profitiert von Desktop und Server CPUs

    In den USA ist gerade Earnings Season, die an Börsen notierten Unternehmen veröffentlichen aktuell ihre Zahlen für das abgelaufene zweite Quartal. Intel hat nun auch das Quartalsergebnis veröffentlicht, der Chiphersteller profitierte abermals von seinen Server- und Desktop-CPUs. Der Chipkonzern erwirtschaftete einen Umsatz in Höhe von 14,8 Milliarden US Dollar, neun Prozent mehr als ein Jahr zuvor. Intels Nettogewinn stieg um 111 % an, und... [mehr]


  • Samsung meldet Rekordwachstum, überholt Intel

    Samsung Electronics hat für das zweite Quartal neue Rekordzahlen vorgelegt. Der koreanische Technologiekonzern setzte 61 Billionen Won um, umgerechnet rund 46,79 Milliarden Euro, 10,06 Billionen Won mehr als in den gleichen drei Monaten im Vorjahr. Der Nettogewinn betrug 14,07 Billionen Won, was beim derzeitigen Wechselkurs 8,43 Milliarden Euro wären. Im Vergleich zum entsprechenden Zeitraum des Vorjahres wuchs der Nettogewinn um 5,92... [mehr]


  • Samsung erhöht die Produktion von HBM2 mit 8 GB Kapazität

    Samsung hat die erhöhte Produktion von schnellem HBM2-Speicher mit einer Kapazität von 8 GB bekanntgegeben. Wie der Hersteller mitteilt, seien ab sofort größere Mengen des schnellen Speichers in der Produktion. Der Chiphersteller bietet den HBM2-Speicher schon länger an, doch bisher gelang es Samsung nur eine begrenzte Anzahl zu produzieren. Aufgrund von Verbesserungen im Produktionsprozess konnte die Ausbeute nun deutlich erhöht werden, sodass... [mehr]


  • Samsung will Milliarden in Speicher und Smartphone-Displays investieren

    Samsung hat heute zur Eröffnung eines neuen Werks im südkoreanischen Pyeongtaek weitere milliardenschwere Investitionen in Südkorea angekündigt. Wie der Elektronikkonzern bekannt gab, hat das Werk die Massenproduktion von Samsungs V-NAND 3D Flashspeicher der vierten Generation mit 64 Lagen aufgenommen, in Kürze erhält der erste Kunde seine Lieferung. Laut Firmenangaben soll es die weltgrößte Produktionsanlage (Fab) seiner Art sein. Samsung... [mehr]


  • Preise für DRAM sollen noch weiter steigen

    Die Preise für DRAM könnten im zweiten Quartal 2017 noch weiter anziehen. Das sagt jedenfalls der Präsident des DRAM-Herstellers Nanya Technology, Pei-Ing Lee, voraus. Laut Lee gebe es weiterhin Lieferengpässe, so dass die Preise aufgrund der Nachfrage klettern dürften. Erst ab dem dritten Quartal dieses Jahres sei dann wieder mit einer Stabilisierung zu rechnen. Entsprechend könnte natürlich Arbeitsspeicher im zweiten Quartal 2017 für die... [mehr]


  • Samsung will im kommenden Jahr Arbeitsspeicher in 15 nm produzieren

    Wie die Kollegen von wccftech berichten, soll Samsung ab dem kommenden Jahr seinen DRAM auch im 15-nm-Prozess produzieren. Damit wäre der Chip-Hersteller wieder einmal Vorreiter, denn die Konkurrenz stellt ihre Chips für Arbeitsspeicher aktuell noch im 18- und 20-nm-Verfahren her. Eine Umstellung auf einen feineren Fertigungsprozess sei bei SK Hynix und Micron frühstens im dritten Quartal 2017 geplant. Konkret plane Samsung die Produktion... [mehr]