News
Hardware Software Consumer Electronic Allgemein
Tests
Hardware Software Consumer Electronic Sonstige
Kaufberatung
Ram Rangliste CPU Rangliste SSD Rangliste Mainboard AMD Rangliste Mainboard Intel Rangliste Gehäuse Rangliste Kühler Rangliste Grafikkarten Rangliste
Community
Videos
Internes
Impressum Team Jobangebote Werbung
DRAM

  • KI-Boom und Speicherknappheit: DRAM-Markt wächst um fast 30 Prozent

    Trotz oder gerade wegen des KI-Hypes und der Engpässe bei Speicher ist der globale DRAM-Markt im vierten Quartal 2025 stark gewachsen. Das geht aus dem neusten Marktforschungsbericht von TrendForce hervor. Demnach belief sich der Gesamtumsatz der DRAM-Branche im letzten Jahresviertel 2025 auf 53,578 Milliarden US-Dollar – ein Plus von 29,4 % gegenüber dem dritten Quartal 2025, welches bereits mit ca. 41,399 Milliarden US-Dollar ebenfalls... [mehr]

  • Yongin Semiconductor Cluster: Auch SK Hynix plant dreistöckige Reinraumanordnung

    SK Hynix hat erste Pläne für die Bauten des Yongin Semiconductor Cluster veröffentlicht. In diesem planen Samsung und SK Hynix gewaltige Investitionen, die über das aktuelle und kommende Jahrzehnt im Bereich von 300 bzw. 410 Milliarden US-Dollar bewegen sollen. Dabei werden gewisse Parallelen zwischen den Plänen von Samsung und der Fab P5 und den Planungen von SK Hynix offensichtlich. In einer ersten Phase will SK Hynix nun... [mehr]

  • Warnung von Phison-CEO: Viele Elektronik-Hersteller werden den KI-Hype nicht überstehen

    Die anhaltende Knappheit bei Speicherbausteinen infolge des weltweiten KI-Booms könnte laut Einschätzung aus der Speicherindustrie erhebliche Folgen für Hersteller von Unterhaltungselektronik haben. Nach Aussagen, die dem CEO des Speicher- und Controller-Spezialisten Phison zugeschrieben werden, drohen bis Ende 2026 zahlreiche Anbieter in wirtschaftliche Schwierigkeiten zu geraten oder ganze Produktlinien aufzugeben. Ursache sei hauptsächlich... [mehr]

  • Investitionen bei Micron: 200 Milliarden US-Dollar zusätzlich für mehr DRAM-Fabriken

    Der US-Speicherhersteller Micron plant zusätzliche Investitionen in Höhe von insgesamt 200 Milliarden US-Dollar, um seine Produktionskapazitäten für Arbeitsspeicher nochmals deutlich ausbauen zu können. Dies berichtet das Wall Street Journal mit Bezug auf Gesprächspartner im Unternehmen. Hintergrund sind anhaltende Versorgungsengpässe auf dem weltweiten Speichermarkt, die sich seit Ende 2025 zuspitzen. Nach Unternehmensangaben kann... [mehr]

  • HBM- und DRAM-Fertigung: Samsungs P5 bekommt mehr Reinräume in der Höhe

    Als Reaktion auf die massive Nachfrage nach DRAM, vorwiegend für LPDDR und HBM, haben alle Speicherhersteller einen massiven Ausbau ihrer Fertigungskapazitäten angekündigt. Dabei vorn mit dabei sind natürlich die beiden südkoreanischen Größen SK Hynix und Samsung, die gleich mehrere hunderte Milliarden US-Dollar investieren wollen – zumindest im Heimatland. Neben neuen Clustern mit gleich mehreren Fabs plant Samsung auch den Ausbau... [mehr]

  • Nun auch mit Bank Refresh: ZenTimings in Version 1.36 erschienen

    ZenTimings ist eine beliebte Software aller Ryzen-Nutzer, die sich etwas ausführlicher mit dem eingesetzten Arbeitsspeicher und den damit verbundenen Timings beschäftigen. Die Software ist nun in Version 1.36 erschienen. Neben der Unterstützung der aktuellsten Ryzen-Prozessoren, wie eben dem Ryzen 7 9850X3D (Test), zeigt die neue Version nun auch den Bank Refresh Mode an. Der Bank Refresh Mode bezeichnet bei DRAM‑Speicher die Art, wie... [mehr]

  • Speicherpreise: Beim DRAM scheint ein Plateau erreicht zu sein

    Bereits seit einigen Monaten verfolgen wir die Entwicklung für einige Speicherkits. Zuletzt haben wir Ende Januar einen Blick auf die Entwicklung geworfen. Es ist also wieder einmal Zeit für einen erneuten Blick darauf. Bereits in den vergangenen 1–2 Wochen war erkennbar, dass sich die enormen Preissteigerungen am Endkundenmarkt etwas verlangsamt haben. Einzelne Kits sind noch immer kaum verfügbar, werden nur von einzelnen Händlern... [mehr]

  • SAIMEMORY + Intel: Z-Angle Memory soll HBM-Alternative werden

    Intel will gemeinsam mit der SoftBank-Tochter SAIMEMORY einen neuen Speicher mit dem Namen Z-Angle Memory (ZAM) entwickeln. Beide Unternehmen haben eine entsprechende Absichtserklärung veröffentlicht. Da es sich um Grundsatzforschung im Speicherbereich handelt, wird die Entwicklung des ZAM vom Advanced Memory Technology (AMT) R&D-Programm unterstützt, welches wiederum vom U.S. Department of Energy sowie der National Nuclear... [mehr]

  • Erneute Preiserhöhung: Raspberry Pi wird deutlich teurer

    Die Raspberry Pi Foundation hat zum Wochenstart die zweite Preiserhöhungsrunde innerhalb von nur zwei Monaten angekündigt. Die jüngsten Preisanpassungen folgen einem gestaffelten Muster nach Speichergröße: Modelle mit 2 GB RAM werden um 10 US-Dollar teurer, 4-GB-Varianten um 15 US-Dollar, 8-GB-Ausführungen um 30 US-Dollar und die Top-Modelle mit 16 GB um beachtliche 60 US-Dollar.  Die Preisanpassung betrifft die komplette... [mehr]

  • SK Hynix und Samsung: Speicherhersteller verdienen kräftig am KI-Boom

    Die beiden südkoreanischen Unternehmen SK Hynix und Samsung haben ihre Zahlen für das letzte Quartal veröffentlicht und weisen darin in den Speichersparten ein großes Plus für Umsatz und Gewinn aus. Für das vergangene Quartal berichtet Samsung einen Umsatz von umgerechnet 65,6 Milliarden US-Dollar über alle Unternehmensbereiche hinweg. Der Gewinn lag bei 14 Milliarden US-Dollar. Besonders spannend ist dabei der Blick auf die... [mehr]

  • Bis zu vier Speicher-Fabs: Micron investiert bis zu 100 Milliarden US-Dollar in den USA

    Noch vor dem Wochenende hat Micron den Spatenstich zu einem der größten Halbleiterprojekte in den USA angekündigt. Am neuen Campus im Onondaga County, im US-Bundesstaat New York in der Nähe von Syracuse, sollen in vier Ausbauphasen bis zu 100 Milliarden US-Dollar in eine Leading-Edge-Speicherproduktion investiert werden. In der vollen Ausbaustufe wird sich das Projekt aber auch über die kommenden 20+ Jahre ziehen. Für die erste... [mehr]

  • WD_Black SN8100 mit 2 TB im Test: Generation-5-SSD mit DRAM-Cache

    Die Sandisk (ehemals WesternDigital) WD_BLACK SN8100 SSD mit 2 TB und PCIe-Gen5-Anschluss hat den Weg auf unser SSD-Testsystem gefunden. Sandisks aktuelles Topmodell auf dem Endkundenmarkt kommt mit bis zu 8 TB an Speicherplatz im M.2-Format und erhebt den Anspruch, an den Erfolg der SN850X anzuknüpfen. Ob das gelingt, klärt unser Test. In den folgenden Abschnitten sehen wir uns die WD_BLACK SN8100 mit 2 TB an. Die Marke WD_Black ging... [mehr]

  • SATA-SSDs: Samsung widerspricht Gerüchten zu Marktaustritt

    Vor wenigen Tagen kam das Gerücht auf, Samsung könnte, genau wie Micron, den Markt für bestimmte Produkte verlassen. Konkret soll es um SSDs von Samsung mit SATA-Interface gegangen sein. Wir können hier schon in der Vergangenheitsform sprechen, denn schnell hat Samsung den Gerüchten gegenüber WCCFTech widersprochen.The rumor regarding the phasing out of Samsung SATA or other SSDs is false.- so ein Samsung-Sprecher Die schnelle und eindeutige... [mehr]

  • Switch 2: Nintendo muss bis zu 41 % höhere Preise für NAND und DRAM zahlen

    Die gestiegenen Preise für NAND und RAM wirken sich auf alle Produkte aus, welche einen Speicher verwenden, der auf einem dieser Speichertypen basiert. Aktuell sind die stark gestiegenen Preise für Arbeitsspeicher für jeden sicherlich am prominentesten sichtbar, die Auswirkungen sind aber weitaus größer und werden sich sicherlich in naher Zukunft noch stärker zeigen. Laut Bloomberg zahlt Nintendo für die 12 GB LPDDR5X im aktuellen Quartal 41 %... [mehr]

  • Bessere Margen: Samsung verschiebt Kapazitäten hin zu DRAM

    Wer derzeit die Anschaffung eines neuen Gaming-PCs plant oder seinen Arbeitsspeicher aufrüsten möchte, der wird von stark gestiegenen Preisen für den Speicher ausgebremst. Die Auswirkungen könnten aber noch weitreichender sein, denn alle Produkte, welche DRAM in jeglicher Form verwenden, könnten davon betroffen sein. Für 2026 haben alle Speicherhersteller einen weiterhin hohen, wenn nicht gar höheren Bedarf für DRAM prognostiziert. Aus der... [mehr]

  • DRAM- und NAND-Speicher: Micron verkauft keine Endkundenprodukte mehr

    Micron hat soeben verkündet, dass man seine Endkunden-Sparte schließen wird und entsprechend keinerlei Arbeitsspeicher und SSDs mehr in diesem Bereich anbieten wird. Damit sollen alle Crucial-Produkte vom Markt verschwinden. Noch bis in den Februar 2026 wird man die Lieferungen an Retailer, E-Tailer und Distributoren fortsetzen. Es wird auch eine Weiterführung des Garantieservices und Supports für Crucial-Produkte geben. Micron... [mehr]

  • Wegen Speicherpreisen: Raspberry Pi wird teilweise deutlich teurer

    Auch wenn die aktuelle Entwicklung bei den Speicherpreisen noch keine direkten Auswirkungen auf die Preise bei den Grafikkarten hat, so ist zu befürchten, dass Komponenten allgemein in den kommenden Wochen, Monaten und vielleicht sogar Jahren immer teurer werden. Dies geht über die übliche Entwicklung durch, unter anderem die allgemeinen Preissteigerungen und die Inflationsentwicklung, hinaus. Dass wegen der gestiegenen Speicherpreise... [mehr]

  • 300 und noch einmal 410 Milliarden US-Dollar: Samsung und SK Hynix investieren kräftig in Speicherfertigung

    Während man in Europa bereits glücklich darüber ist, wenn Halbleiterunternehmen Inventionen in Milliardenhöhe tätigen, man in den USA inzwischen in mehreren Phasen immerhin ein paar Dutzend Milliarden US-Dollar je Chipfabrik vorsieht, ist man im asiatischen Raum in ganz anderen Dimensionen angekommen. Im südkoreanischen Yongin soll ein Semiconductor-Cluster entstehen, an dem unter anderem Samsung und SK Hynix beteiligt sind. Alleine SK Hynix... [mehr]

  • Mit EUV: Micron liefert ersten LPDDR5X mit 1γ-DRAM

    Nachdem Micron Ende Februar dieses Jahres die Fertigung der ersten DRAM-Chips im neuen Fertigungsverfahren namens 1γ (1-gamma) begonnen hat, verkündet man nun die ersten LPDDR5X mit 10.700 MT/s ausgeliefert zu haben. Die sechste Generation der Fertigung von DRAM bei Micron hört auf den Namen 1γ (1-gamma) und befindet sich im Bereich einer 10-nm-Fertigung. Erstmals kommt hier eine Belichtung mittels EUV (Extreme Ultra Violet) zum... [mehr]

  • Gestapelter DRAM: Intel und SoftBank sollen an HBM-Alternative arbeiten

    Intel, SoftBank und die Universität von Tokio wollen ein Startup namens Saimemory gründen, welches eine neue Art von DRAM-Stapelspeicher entwickeln. Dies berichtet Nikkei Asia und beruft sich dabei auf mehrere Quellen. Erste Prototypen sollen ab 2027 zur Verfügung stehen, der kommerzielle Einsatz ist für 2030 vorgesehen. Wie genau der neue, gestapelte DRAM aufgebaut sein soll, ist nicht bekannt. Er wird aber als Alternative zu High... [mehr]

  • 1-gamma: Micron fertigt DRAM nun mit EUV

    Micron hat angekündigt mit der Fertigung von DRAM in einem neuen Fertigungsverfahren namens 1γ (1-gamma) begonnen zu haben. Es handelt sich nach eigenen Angaben um die sechste Generation der Fertigung von DRAM bei Micron und bei 1γ (1-gamma) um eine Fertigung im Bereich von 10 nm. Erstmals kommt eine Belichtung mittels EUV (Extreme Ultra Violet) in der Fertigung zum Einsatz. Noch ohne EUV wird der aktuelle DRAM in 1α (1-alpha) und 1β... [mehr]

  • KIOXIA veröffentlicht AiSAQ: Skalierbare Leistung für RAG, ohne Indexdaten im DRAM

    KIOXIA hat die Veröffentlichung seiner neuen "All-in-Storage ANNS with Product Quantization"-Technologie (AiSAQ) als Open Source angekündigt. Mit einem neuartigen Algorithmus für "Approximate Nearest Neighbor Search" (ANNS), der für SSDs optimiert wurde, will KIOXIAs AiSAQ skalierbare Leistung für Retrieval-Augmented Generation (RAG) liefern können, ohne Indexdaten im DRAM ablegen zu müssen - die Suche erfolgt stattdessen direkt auf... [mehr]

  • Wafer- und Chipfertigung: China stellt 1 Million Wafer her und YMTC belichtet knapp die Hälfte

    Aktuelle Zahlen aus China sowie des japanischen Waferherstellers SUMCO ergeben ein neues Bild über den Umfang der Eigenständigkeit Chinas in der Chipfertigung. Inzwischen sollen chinesische Unternehmen in der Lage sein, rund eine Million Wafer selbst zu fertigen. Damit macht man sich weiter von westlichen Herstellern wie SUMCO unabhängig, was natürlich schlecht für deren Geschäft ist. Zu den weiteren Herstellern von Wafern... [mehr]

  • 10.700 MT/s: Samsung stellt schnellen LPDDR5X in Aussicht

    Samsung hat eine weitere Beschleunigung seines Angebots an LPDDR5X-Speicher angekündigt. Dieser soll nun 10,7 GBit/s erreichen. Aktuell erreicht das LPDDR5X von Samsung bis zu 8.533 MBit/s, der neue Speicher ist also um 25 % schneller. Zudem spricht Samsung davon, dass der neue LPDDR5X eine um 30 % höhere Kapazität bieten soll. Hier liegt man aktuell bei 18 GB, Samsung wird also den Sprung auf 24 GB machen und stellt bereits 32 GB in... [mehr]

  • Crucial: Neue T705-PCIe-5.0-SSD zusammen mit Overclocking-DRAM angekündigt

    Es wurde viel spekuliert, nun ist es offiziell: Crucial hat die beiden neuen PCIe-Gen5-SSDs T705 und die T705 Limited Edition vorgestellt. Mit dabei ist der neu angekündigte Crucial DDR5 Pro.  Wie erwartet, setzen die beiden T705-Modelle auf den Micron-232-Layer-TLC und sollen so Lese- und Schreibvorgänge mit bis zu 14.500 MB/s und 12.700 MB/s (bis zu 1550/1800 IOPS bei zufälligen Lese- und Schreibvorgängen) erreichen können. Sie... [mehr]

  • DDR5 mit 8.400 MT/s: G.Skill stellt Speicherkit für 14. Core-Generation vor

    Die heute gestarteten Core-Prozessoren der 14. Generation alias Raptor Lake-Refresh sollen laut Intel höhere Speichertaktraten ermöglichen. 8.000 MT/s und mehr sollen möglich sein. Die Erfahrungen aus der Vorgänger-Generation legen nahe, dass auch diese durchaus hohe Speichertaktraten erreichen konnten, es ab 7.600+ MT/s aber zu einem Glücksspiel werden konnte, ob das System mit diesen hohen Taktraten noch starten wollte. In Anbetracht des... [mehr]

  • Abkehr von China: Micron plant den Bau einer Chipfabrik in Indien

    Die Unabhängigkeit gegenüber China hinsichtlich Halbleiterprodukten zu reduzieren genießt derzeit hohe Priorität, sowohl von verschiedenen Staaten wie auch Unternehmen. Als neuer Absatz- und auch Produktionsstandort rückt dabei das seit kurzem bevölkerungsreichste Land der Erde in den Mittelpunkt, Indien. Micron hat sich, als einer der größten Halbleiterhersteller der Welt, nun für den Bau einer neuen Montage- und Testanlage auf dem... [mehr]

  • Speicherpreise: Schwache Serveraufträge und hohe Lagerbestände lassen Preise weiter einbrechen

    Neuste Prognosen zeigen, dass die Speicherpreise ihre Talsohle noch nicht erreicht haben. Die Branchenbeobachter von TrendForce mussten daher ihren zuletzt geäußerten Optimismus, dass sich der Preisverfall verlangsamen werde, korrigieren. Denn die neuesten Untersuchungen der Branchenkenner deuten darauf hin, dass die Produktionskürzungen bei DRAM und NAND Flash nicht mit der schwächeren Nachfrage Schritt gehalten haben. Dies wiederum soll zu... [mehr]

  • Voll mit Speicher: Microns Lager explodieren

    Die Speicherhersteller stecken in der Krise – Grund dafür ist eine rückläufige Nachfrage bei gleichzeitig starken Überkapazitäten. Micron lässt mit den vor kurzem veröffentlichten Zahlen aber einen konkreten Einblick zu. Dabei trifft es bei Micron jeden Geschäftsbereich. Der Konzern gibt an, dass der Umsatz gegenüber dem Vorjahr insgesamt um 47 % auf 4,1 Milliarden Dollar eingebrochen ist. Damit macht der Konzern seit langer Zeit erstmals... [mehr]

  • 1β-DRAM: Micron startet Massenproduktion

    Micron hat bekannt gegeben, dass man die ersten Qualification-Samples des nach eigener Aussage "modernsten DRAM" ausgeliefert habe. LPDDR5X mit bis zu 3.200 MT/s werde momentan an die ersten Smartphone-Kunden ausgeliefert. Die Besonderheit stellt die Fertigung dar, denn Micron geht nach 1α (1-alpha) nun den Schritt zu 1β (1-beta), verzichtet jedoch weiterhin auf die Nutzung von EUV. Stattdessen kommt das bewährte Multi... [mehr]

  • Exotische Hardware: RAM-Modul für IBM-Server zeigt sich mit 152 DRAM-Chips

    Der PC-Markt befindet sich aktuell in einer Umstellung von DDR4 zu DDR5. Hier beschäftigen wir uns mit den Themen Latenzen, Timings, Spannungen und der aktuellen Notwendigkeit sowie der Probleme im Betrieb mit vier DIMMs. Neben dem klassischen DDR-Speicher gibt es NVDIMMs, die per externer Stromversorgung einen gewissen Schutz der Daten gewährleisten sollen. Im Hinblick auf die Speicherkapazität pro Sockel stellt der Optane Persistent Memory... [mehr]

  • Micron präsentiert PCIe-4.0-SSDs für den Endkundenbereich

    Zur Computex stellt Micron die nächste Generation der eigenen Endkunden-SSDs vor, die allesamt auf PCI-Express 4.0 basieren, bzw. einen entsprechenden Controller verwenden. Über die 3400- und 2450-Serie teilt Micron das Angebot in zwei Produktkategorien auf – allesamt mit 176-Layer 3D TLC NAND bestückt. Dieser erreicht Datenraten von 1.600 MT/s, so dass es auf Seiten des eigentlichen Speichers eine gewisse Beschleunigung gibt. Micron ist... [mehr]

  • Samsung SSD 980 im Test: Ohne DRAM keine Empfehlung

    Etwas überraschend erscheint nach Einführung der Samsung SSD 980 PRO nicht die mit Spannung erwartete EVO oder gar QVO, sondern lediglich die 980. Eine SSD ohne Namenszusatz, lediglich mit dem Seriennamen der Samsung 980. Doch nicht nur der Namenszusatz fiel dem Rotstift zum Opfer, sondern auch viel wichtiger: der DRAM-Cache. Ob das zum bisherigen Ruf der Samsung-SSDs passt oder ob der Speicherspezialist damit zu weit ging, klären wir in... [mehr]

  • Barlow Pass: Intel Optane Persistent Memory 200 Series wird schneller (Update)

    Mit den Cascade-Lake-Prozessoren setzt Intel einen Großteil der Aufmerksamkeit auf den Optane DC Persistent Memory, der erstmalig in der zweiten Generation der Xeon-Scalable-Prozessoren zum Einsatz kam. Auf die aktuelle Apache-Pass-Generation folgt nun Barlow Pass. Wichtigstes Merkmal ist die höhere Speicherbandbreite (+25 %) im Vergleich zur ersten Generation. Verwendet werden können die neuen Module zunächst von den neuen... [mehr]

  • Samsung: Schmutz verursacht Milliarden-Schaden bei DRAM-Produktion

    Samsung hatte laut eigenen Angaben in den letzten Wochen mit Verschmutzungen bei der Produktion von DRAM-Chips zu kämpfen. Der Chiphersteller gibt an, dass durch verunreinigte Ausrüstung zahlreiche Wafer entsorgt werden mussten und damit ein Schaden von mehreren Milliarden Won entstanden sei. Allerdings wurde lediglich eine kleinere DRAM-Fertigung verschmutzt, sodass nicht die komplette Produktion gestoppt werden musste. Konkret soll... [mehr]

  • Take it to the limit: G.Skill Trident Z Royal Silver DDR4-4000 im Test

    In unserem bisherigen Testsystem kamen wir bei Tests von Speichermodulen nicht über eine Taktfrequenz von 4.200 MHz. Auch das ist zwar bereits ein recht hoher Wert, aber für Speichermodule wie die G.Skill Trident Z Royal mit spezifizierten 4.000 MHz beim Overclocking schnell erreicht. Insofern brauchten wir eine neue Plattform: Die neuen G.Skills testen wir erstmals auf einem ASUS Maximus XI Apex. Das Board hat einen... [mehr]

  • B-Die-Produktion ausgelaufen: Neue M- und A-Dies sollen schneller sein

    Einer der beliebtesten Threads in unserem Forum ist die Ultimate-HARDWARELUXX-Samsung-8Gbit-B-Die-Liste. Hier zeigen sich die Stärken der Community, denn über die Initiative einiger wenige und die Zusammenarbeit der gesamtem Community wurde eine umfangreiche Leiste zusammengestellt, die nahezu alle Speichermodule und Kits der verschiedenen Hersteller enthält, die auf den Samsung B-Die setzen. Beim Samsung 8Gbit B-Die handelt es sich um... [mehr]

  • Preise und Vergleiche zu Optane DC Persistent Memory (Update: Retail-Preise)

    Im Rahmen der Vorstellung der Xeon-Scalable-Prozessoren der 2. Generation hat Intel auch den offiziellen Startschuss des Optane DC Persistent Memory gegeben. Im Rahmen der Vorstellung ist es immer wieder zu Fragen gekommen, welche Vorteile Optane DC Persistent Memory gegenüber Standard-DRAM denn nun hat. Auch die Fragen nach den Kosten scheint bisher nicht in der Form beantwortet worden zu sein, dass dieser Umstand im Zusammenspiel... [mehr]

  • Samsung kündigt DRAM-Chips der 3. Generation aus der 1z-Klasse an

    Samsung gehört weltweit zu einer der größten Hersteller für DRAM- und NAND-Bausteinen. Wie das südkoreanische Unternehmen mitteilt, werde man schon bald die DRAM-Produktion mit einer feineren Strukturbreite verbessern. Aktuelle setzt Samsung bei der Produktion der Bausteine noch auf die 1y-Klasse, doch noch im Laufe des zweiten Halbjahres 2019 soll der Schritt zur 1z-Klasse erfolgen. Samsung hat bereits vor einiger Zeit die Bezeichnung für die... [mehr]

  • AMD will DRAM und SRAM in das CPU-Package bringen

    Auf der High Performance Computing Conference gab Forrest Norrod, Senior Vice President und General Manager der Datacenter-Gruppe bei AMD, eine interessante Präsentation. Dabei ging er zunächst einmal auf die aktuellen Herausforderungen im Chipdesign ein. Diese liegen laut AMD in der Fertigung immer kleinerer Strukturen bei gleichzeitig immer größeren Anzahl an Transistoren und damit einer erhöhten Komplexität sowie der Tatsache, dass die... [mehr]

  • DRAM und NAND: Micron mit neuer NVDIMM-N-Generation

    Dieses Jahr darf im Serversegment als Durchbruch für den NVDIMM bezeichnet werden. Darunter wird die Kombination aus DRAM und NAND verstanden, der als Arbeitsspeicher die Vorteile beider Speichertechnologien vereinen soll. HP und verschiedene weitere Serveranbieter verbauen NVDIMM bereits. Micron hat nun neue Module mit einer Kapazität von 32 GB vorgestellt. Diese arbeiten als DDR4-2933 mit Timigs von CL21 und sind damit wesentlich... [mehr]

  • Intel profitiert von Desktop und Server CPUs

    In den USA ist gerade Earnings Season, die an Börsen notierten Unternehmen veröffentlichen aktuell ihre Zahlen für das abgelaufene zweite Quartal. Intel hat nun auch das Quartalsergebnis veröffentlicht, der Chiphersteller profitierte abermals von seinen Server- und Desktop-CPUs. Der Chipkonzern erwirtschaftete einen Umsatz in Höhe von 14,8 Milliarden US Dollar, neun Prozent mehr als ein Jahr zuvor. Intels Nettogewinn stieg um 111 % an, und... [mehr]

  • Samsung meldet Rekordwachstum, überholt Intel

    Samsung Electronics hat für das zweite Quartal neue Rekordzahlen vorgelegt. Der koreanische Technologiekonzern setzte 61 Billionen Won um, umgerechnet rund 46,79 Milliarden Euro, 10,06 Billionen Won mehr als in den gleichen drei Monaten im Vorjahr. Der Nettogewinn betrug 14,07 Billionen Won, was beim derzeitigen Wechselkurs 8,43 Milliarden Euro wären. Im Vergleich zum entsprechenden Zeitraum des Vorjahres wuchs der Nettogewinn um 5,92... [mehr]

  • Samsung erhöht die Produktion von HBM2 mit 8 GB Kapazität

    Samsung hat die erhöhte Produktion von schnellem HBM2-Speicher mit einer Kapazität von 8 GB bekanntgegeben. Wie der Hersteller mitteilt, seien ab sofort größere Mengen des schnellen Speichers in der Produktion. Der Chiphersteller bietet den HBM2-Speicher schon länger an, doch bisher gelang es Samsung nur eine begrenzte Anzahl zu produzieren. Aufgrund von Verbesserungen im Produktionsprozess konnte die Ausbeute nun deutlich erhöht werden, sodass... [mehr]

  • Samsung will Milliarden in Speicher und Smartphone-Displays investieren

    Samsung hat heute zur Eröffnung eines neuen Werks im südkoreanischen Pyeongtaek weitere milliardenschwere Investitionen in Südkorea angekündigt. Wie der Elektronikkonzern bekannt gab, hat das Werk die Massenproduktion von Samsungs V-NAND 3D Flashspeicher der vierten Generation mit 64 Lagen aufgenommen, in Kürze erhält der erste Kunde seine Lieferung. Laut Firmenangaben soll es die weltgrößte Produktionsanlage (Fab) seiner Art sein. Samsung... [mehr]

  • Preise für DRAM sollen noch weiter steigen

    Die Preise für DRAM könnten im zweiten Quartal 2017 noch weiter anziehen. Das sagt jedenfalls der Präsident des DRAM-Herstellers Nanya Technology, Pei-Ing Lee, voraus. Laut Lee gebe es weiterhin Lieferengpässe, so dass die Preise aufgrund der Nachfrage klettern dürften. Erst ab dem dritten Quartal dieses Jahres sei dann wieder mit einer Stabilisierung zu rechnen. Entsprechend könnte natürlich Arbeitsspeicher im zweiten Quartal 2017 für die... [mehr]

  • Samsung will im kommenden Jahr Arbeitsspeicher in 15 nm produzieren

    Wie die Kollegen von wccftech berichten, soll Samsung ab dem kommenden Jahr seinen DRAM auch im 15-nm-Prozess produzieren. Damit wäre der Chip-Hersteller wieder einmal Vorreiter, denn die Konkurrenz stellt ihre Chips für Arbeitsspeicher aktuell noch im 18- und 20-nm-Verfahren her. Eine Umstellung auf einen feineren Fertigungsprozess sei bei SK Hynix und Micron frühstens im dritten Quartal 2017 geplant. Konkret plane Samsung die Produktion... [mehr]

Back to top