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B-Die-Produktion ausgelaufen: Neue M- und A-Dies sollen schneller sein

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samsung-ddr4Einer der beliebtesten Threads in unserem Forum ist die Ultimate-HARDWARELUXX-Samsung-8Gbit-B-Die-Liste. Hier zeigen sich die Stärken der Community, denn über die Initiative einiger wenige und die Zusammenarbeit der gesamtem Community wurde eine umfangreiche Leiste zusammengestellt, die nahezu alle Speichermodule und Kits der verschiedenen Hersteller enthält, die auf den Samsung B-Die setzen.

Beim Samsung 8Gbit B-Die handelt es sich um einen Samsung 8Gbit DDR4 DRAM IC vom Typ K4A8G045WB (PDF-Datenblatt). Zahlreiche Speicherhersteller verwenden diese Chips auf ihren Modulen. Sie können bei einseitiger Bestückung mit acht ICs eine Kapazität von 8 GB als Single-Rank-Modul erreichen oder mit 16 ICs in beidseitiger Bestückung eine Kapazität von 16 GB als Dual-Rank Modul.

Entsprechend bestückter Speicher hat sich als äußerst vielseitig und extrem übertaktungsfreudig erwiesen. Der mögliche Speichertakt skaliert fast linear mit Timings und Spannung, wobei wahlweise ein hoher Takt mit entspannten Timings bei geringer Spannung oder aber ein hoher Takt und scharfe Timings bei hoher Spannung kombiniert werden kann. Außerdem haben sich entsprechend bestückte Module als äußerst kompatibel mit den Ryzen-Prozessoren von AMD erwiesen und erreichen nach den AGESA-Updates hohe Taktraten.

Auf B-Die folgen M-Die und A-Die

Erst kürzlich hat Samsung angekündigt, in Kürze mit der Fertigung von DRAM-Chips der dritten Generation aus der 1z-Klasse zu beginnen. Bereits im Product Guide im Mai 2018 kündigte Samsung wiederum an, dass die eigenen B-Die-Chips irgendwann auslaufen werden. Dies ist nun offenbar geschehen und die entsprechenden Chips haben den EOL-Status (End of Life) erreicht. Dies liegt vor allem daran, dass Samsung die Fertigung von 20 nm auf kleinere Strukturbreiten umstellen möchte.

Aus chinesischer Quelle stammen nun Informationen, dass die in 1y nm (1y-Klasse) gefertigten M-Dies sich nun in der Massenproduktion befinden und die A-Dies im ersten Quartal 2019 die Qualifikationsphase erreicht haben. Neben der kleineren Strukturbreite ist einer der Vorteile der neuen Chips die Tatsache, dass sie die doppelte Kapazität erreichen können. Durch den Wechsel der Fertigung von 20 auf 1y nm sollen die Chips außerdem höhere Taktraten erzielen können. Damit möglich werden Module mit einer Kapazität von 16 GB Single-Sided, 32 GB Double-Sided sowie große Single-Sided-Module mit 32 GB.

Offenbar tauchen die ersten M-Die-Module bereits im Handel auf. Bisher sind aber keinerlei Erkenntnisse für den Taktverhalten und die weiteren Daten bekannt geworden.

Noch recht wenig bekannt ist zu den A-Dies. Diese sollen die nochmals verbesserte Fertigung in 1z nm (1z-Klasse) verwenden und damit über den M-Dies angesiedelt sein. Es gibt aber noch keinerlei technische Daten zu den A-Dies. Bis erste Speichermodule mit A-Dies in den Handel gelangen, dürfte noch einige Zeit vergehen. Von mindestens sechs Monaten kann hier ausgegangen werden.

Der Sommer dürfte für den Speichermarkt aber sehr interessant werden. Neben den M- und A-Dies von Samsung wären da noch Die E-Dies von Micron und die C-Dies von SK Hynix zu nennen. Zunächst einmal aber wird sicherlich ein Wettrennen nach den letzten Kapazitäten und Modulen mit B-Dies losgehen. Erst wenn klar ist, dass die M-Dies eine ähnliche Leistung und ein ähnlich hohes Potenzial bieten, dürften die Alternativen an Zuspruch gewinnen.

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