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B-Die-Produktion ausgelaufen: Neue M- und A-Dies sollen schneller sein

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samsung-ddr4Einer der beliebtesten Threads in unserem Forum ist die Ultimate-HARDWARELUXX-Samsung-8Gbit-B-Die-Liste. Hier zeigen sich die Stärken der Community, denn über die Initiative einiger wenige und die Zusammenarbeit der gesamtem Community wurde eine umfangreiche Leiste zusammengestellt, die nahezu alle Speichermodule und Kits der verschiedenen Hersteller enthält, die auf den Samsung B-Die setzen.

Beim Samsung 8Gbit B-Die handelt es sich um einen Samsung 8Gbit DDR4 DRAM IC vom Typ K4A8G045WB (PDF-Datenblatt). Zahlreiche Speicherhersteller verwenden diese Chips auf ihren Modulen. Sie können bei einseitiger Bestückung mit acht ICs eine Kapazität von 8 GB als Single-Rank-Modul erreichen oder mit 16 ICs in beidseitiger Bestückung eine Kapazität von 16 GB als Dual-Rank Modul.

Entsprechend bestückter Speicher hat sich als äußerst vielseitig und extrem übertaktungsfreudig erwiesen. Der mögliche Speichertakt skaliert fast linear mit Timings und Spannung, wobei wahlweise ein hoher Takt mit entspannten Timings bei geringer Spannung oder aber ein hoher Takt und scharfe Timings bei hoher Spannung kombiniert werden kann. Außerdem haben sich entsprechend bestückte Module als äußerst kompatibel mit den Ryzen-Prozessoren von AMD erwiesen und erreichen nach den AGESA-Updates hohe Taktraten.

Auf B-Die folgen M-Die und A-Die

Erst kürzlich hat Samsung angekündigt, in Kürze mit der Fertigung von DRAM-Chips der dritten Generation aus der 1z-Klasse zu beginnen. Bereits im Product Guide im Mai 2018 kündigte Samsung wiederum an, dass die eigenen B-Die-Chips irgendwann auslaufen werden. Dies ist nun offenbar geschehen und die entsprechenden Chips haben den EOL-Status (End of Life) erreicht. Dies liegt vor allem daran, dass Samsung die Fertigung von 20 nm auf kleinere Strukturbreiten umstellen möchte.

Aus chinesischer Quelle stammen nun Informationen, dass die in 1y nm (1y-Klasse) gefertigten M-Dies sich nun in der Massenproduktion befinden und die A-Dies im ersten Quartal 2019 die Qualifikationsphase erreicht haben. Neben der kleineren Strukturbreite ist einer der Vorteile der neuen Chips die Tatsache, dass sie die doppelte Kapazität erreichen können. Durch den Wechsel der Fertigung von 20 auf 1y nm sollen die Chips außerdem höhere Taktraten erzielen können. Damit möglich werden Module mit einer Kapazität von 16 GB Single-Sided, 32 GB Double-Sided sowie große Single-Sided-Module mit 32 GB.

Offenbar tauchen die ersten M-Die-Module bereits im Handel auf. Bisher sind aber keinerlei Erkenntnisse für den Taktverhalten und die weiteren Daten bekannt geworden.

Noch recht wenig bekannt ist zu den A-Dies. Diese sollen die nochmals verbesserte Fertigung in 1z nm (1z-Klasse) verwenden und damit über den M-Dies angesiedelt sein. Es gibt aber noch keinerlei technische Daten zu den A-Dies. Bis erste Speichermodule mit A-Dies in den Handel gelangen, dürfte noch einige Zeit vergehen. Von mindestens sechs Monaten kann hier ausgegangen werden.

Der Sommer dürfte für den Speichermarkt aber sehr interessant werden. Neben den M- und A-Dies von Samsung wären da noch Die E-Dies von Micron und die C-Dies von SK Hynix zu nennen. Zunächst einmal aber wird sicherlich ein Wettrennen nach den letzten Kapazitäten und Modulen mit B-Dies losgehen. Erst wenn klar ist, dass die M-Dies eine ähnliche Leistung und ein ähnlich hohes Potenzial bieten, dürften die Alternativen an Zuspruch gewinnen.

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Kommentare (19)

#10
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Registriert seit: 11.10.2013

Fregattenkapitän
Beiträge: 3034
Wenn die Buchstaben ausgehen , also mit den Dies kommen wahrscheinlich 10 Dies, oder 9 dies usw xd. Ab da blickt keiner mehr durch.
#11
Registriert seit: 18.11.2017
Hannover
Matrose
Beiträge: 11
Das Samsung Namensschema wird hier schön erklärt:
https://www.samsung.com/semiconductor/global.semi/file/resource/2018/06/DDR4_Product_guide_May.18.pdf
M: 1st Gen.
A: 2nd Gen.
B: 3rd Gen.
C: 4th Gen.
D: 5th Gen.
E: 6th Gen.
F: 7th Gen.
G: 8th Gen.
Bdie ist des weiteren nicht komplett aus dem Sortiment - die OEM Module direkt von Samsung für Server/OEM sind es jedoch. (EDIT: dokument ist älter, kann sein das Samsung den Plan geändert hat)

Mdie zumindest lässt sich, soweit ich gehört hab, übrigens lange nicht so gut takten wie B-die.
#12
Registriert seit: 14.08.2013

Leutnant zur See
Beiträge: 1183
Aber nach B kommt doch jetzt M und danach dann A. Kann also so nicht ganz stimmen.
#13
Registriert seit: 18.11.2017
Hannover
Matrose
Beiträge: 11
Zitat Padagon;26932752
Aber nach B kommt doch jetzt M und danach dann A. Kann also so nicht ganz stimmen.


M und das neue A die sind 16 Gbit ICs statt 8Gbit wie aktuelles B die.
#14
Registriert seit: 05.11.2018

Obergefreiter
Beiträge: 75
Zitat Ground;26932792
M und das neue A die sind 16 Gbit ICs statt 8Gbit wie aktuelles B die.

M378A4G43MB1-CTD soll ein neues M Die haben(aus Bild im Beitrag hwlx)
4G = 4Gb (density) müsste doch AG oder AK sein für 16Gb ???
edit
Mein Fehler. Ist im PDF Datenblatt für die K378xxxx Kennzeichnung noch "density"(4G: 4Gb) angegeben,
ist bei der M378xxxxxx version "depth"
#15
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Registriert seit: 10.12.2012

Bootsmann
Beiträge: 648
Nach meinem Verstehen sind die a-die Chips die Nachfolger der b-die Chips, bezogen auf Leistung, etc. während m-die eher den Mainstream umfasst.

Was mir etwas zu denken gibt: Wenn es nun keine Speicher mit b-die Chips mehr zu kaufen gibt und die nach Leistung lechzende Kundschaft (vor allem da die Ryzen 3xxx SoCs bald käuflich sind) schnellen Speicher will, hat diese die Wahl zwischen älteren, günstigen und langsamen Speicher oder den m-die Chip Speicher.
Es liest sich so als wird es die neuen Speicher nur mit doppelter Kapazität geben Also zwei Module im dual chanel, single/dual rank mit mindestens 32 GB? Wenn man aber nur 16 GB will - nur ein Modul verwenden?:haha:
Oder werden die single rank Module weiterhin 8 GB fassen? Liest sich nicht so heraus ...
Kann man sich nun darauf einstellen den doppelten Betrag zu bezahlen (im Vergleich mit 16 GB kits)?
#16
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Registriert seit: 28.08.2006

Oberleutnant zur See
Beiträge: 1380
Zitat Hyrasch;26934001
Nach meinem Verstehen sind die a-die Chips die Nachfolger der b-die Chips, bezogen auf Leistung, etc. während m-die eher den Mainstream umfasst.



Nein, Es gibt bei Samsung keine solchen Leistungsklassen.Der B-Die auf deinen 3200er Modulen ist id.R. von Samsung ganz normal als DDR4-2400 oder als 2666er verkauft worden.
Der Nachfolger vom allseits beliebten 8Gbit B-Die ist der 8Gbit C-Die und dessen Nachfolger, der 8Gbit D-Die, ist seit kurzem in der Sampling Phase.

Der erste 16Gbit Die, der seit ein paar Wochen verfügbar ist, ist der M-Die. Der Nachfolger des 16Gbit M-Die wird der 16Gbit A-Die und danach kommt der 16Gbit B-Die.

Der Buchstabe hat absolut null tiefere Bedeutung außer dass er die Revision angibt. Das ist kein Codename oder Klassifizierung oder ähnliches. Die erste Variante die in Massenproduktion geht wird der M-Die (Manufacturing). Danach geht es stupide mit Buchstaben ab A weiter.

Nicht bekannt ist mir warum es teilweise einen Sprung auf Q-Die gibt. Q scheint sowas wie der long term supply zu sein für Industrie, aber genaueres konnte/wollte man mir dazu nicht verraten.

Zitat Hyrasch;26934001

Oder werden die single rank Module weiterhin 8 GB fassen? Liest sich nicht so heraus ...


Basierend auf einem 16Gbit Die kannst du 8GB single rank als 1Gx16 bauen oder 16GB single rank als 2Gx8.
Da der monolithische 16Gbit Die aber aktuell deutlich teurer ist als zwei 8Gbit C-Dies oder D-Dies wird man die 8GB 1Gx16 variante wohl nicht am Markt sehen.

Korrekt ist übrigens: Ende Q2 ist last time buy/order, diese Bestellungen werden dann bis Ende Q4 ausgeliefert. Man kann sich also aktuell noch ganz ordentlich damit eindecken und ansonsten werden die Modulhersteller vermutlich auf den neuen 8Gbit D-Die schielen, der kommt ja aber Werk als DDR4-3200, nur halt mit Standardtimings (CL22/CL23).
M393A1K43DB1-CWE | Samsung Semiconductor Global Website
#17
customavatars/avatar2212_1.gif
Registriert seit: 02.07.2002
Bonn
Korvettenkapitän
Beiträge: 2439
Einige Herrschafften reiben sich gerade schon die Hände für neue OC Rekorde oder OC Nieten ;)
#18
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Registriert seit: 19.08.2007
Bayern
Admiral
Beiträge: 14109
DDR4-RAM: Samsung passt Produktion beliebter B-Dies an

Good News falls A und M-Die nix taugen ;)
#19
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Registriert seit: 28.08.2006

Oberleutnant zur See
Beiträge: 1380
Boah, jetzt kommen die nächsten... Recherchiert denn überhaupt noch eine News Seite richtig?

Der Artikel ist Quark. Der angebliche 16Gbit B-Die, der im von PCGH verlinkten Product Guide auftaucht, ist ein ganz banaler Tippfehler.
Im Mai 2018 war noch kein einziger 16Gbit Die in Mass Production und wenn man in Spalte 5 schaut steht da 1Gx8 und 512Mx16,
Beide Organisationen sind 8Gbit dies.

Für ein 16Gbit Die müsste es 2Gx8 oder 1Gx16 sein, sieht man drunter beim 16Gbit A Die der damals noch für Q1/19 als Customer Sampling geplant war.
Wir haben jetzt Q2/19 und die 16 Gbit M Die sind grade mal brauchbar verfügbar, vom 16Gbit A-Die fehlt noch jede Spur in der MP.

Der 32Gbit A Die ist übrigens auch ein Fehler. Man muss nur mal dessen angebliche Partnummern anschauen(und auch spalte 5), die sind identisch mit dem 16Gbit A Die... Wer hat denn diesen Product Guide Korrektur gelesen? Ich glaub ich bewerb mich mal bei Samsung.

Wenn man schaut wie viele Probleme Samsung mit dem monolithischen 16Gbit M-Die hatte und bei großen Servermodulen mittlerweile 3D Stacked TSV RAM zum Einsatz kommt darf man bezweifeln dass es einen DDR4 32Gbit Die geben wird.

32Gbit ICs wären 64GB Dual Rank x8 Module, also 256GB RAM auf einer 4 Slot Mainstream CPU. Das braucht zu DDR4 Zeiten keiner. Warum also den Stress machen und einen riesigen, komplizierten Die bauen, für den es kaum Abnehmer geben wird?
Im Serverbereich baut man mit 16Gbit Chips bis zu 256GB LRDIMMs, auch hier ist nicht wirklich Bedarf nach einem 32Gbit Chip.
Dazu sei erwähnt das die normalen, aktuellen Intel Server CPUs nur 1TB RAM nutzen können, erst die Sondermodelle können 2TB oder 4,5TB nutzen.
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