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SK hynix stellt ersten DDR5-DRAM vor

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sk-hynixSK hynix hat seinen ersten DDR5-DRAM angekündigt. Nach der Ankündigung der Entwicklung von 16-Gigabit-DDR5-DRAM im Jahr 2018 sieht sich das südkoreanische Unternehmen damit gut aufgestellt, den Markt mit DDR5-Speicher versorgen zu können. SK hynix hat inzwischen zahlreiche Validierungs-Tests durchgeführt, so dass eine Kompatibilität zu allen DDR5-Lösungen gewährleistet sein soll.

Mitte Juli hatte die JEDEC den finalen DDR5-Standard verabschiedet. Starten wird DDR5 mit DDR5-4800 bis DDR5-5600 und wäre damit fast doppelt so schnell wie DDR4. SK Hynix sprach sogar schon über DDR5-8400, wenngleich es sich sicherlich um einen Ausblick auf Lösungen handelt, die genau wie aktuell schnellerer Speicher oberhalb des spezifizierten Spektrums angesiedelt sind. Durch eine Reduzierung der Betriebsspannung von 1,2 auf 1,1 V soll die Leistungsaufnahme des Speichers um bis zu 20 % niedriger sein.

Ein On-Chip Error Correcting Code (ECC) soll 1-Bit-Fehler automatisch erkennen und beheben können. Einzelne DDR5-NAND-Chips sollen Kapazitäten von 256 GB erreichen können. Bis zu 2 TB pro Speichermodul nennen die Spezifikationen. Diese Maximalkapazitäten werden sicherlich nicht zum Start von DDR5 zur Verfügung stehen.

Um den DDR5-Speicher schneller und flexibler zu machen, wird ein Speichermodul künftig über zwei Kanäle angesprochen. Damit umgeht man das Problem, dass sich der eigentliche DRAM-Speicher gar nicht so hoch takten lässt, um die gewünschten Datenraten zu erreichen. Wie in einem RAID0 für Festplatten und SSDs wird ein DDR5-Modul dann über zwei jeweils 32 Bit (2x 40 Bit mit ECC) breite Datenkanäle angesprochen. DDR4 arbeitet mit einem 64 Bit breiten Bus. Diesen Dual-Channel-Betrieb von DRAM kennt man jedoch schon von LPDDR4 und GDDR6, wo ähnlich vorgegangen wird – auch um die eigentliche Limitierung des DRAM-Speichers zu umgehen.

Ein PMIC (Power Management Integrated Circuit) verschiebt die Komplexität der Spannungsversorgung vom Mainboard auf die Speichermodule. Hinzu kommt eine in der Spezifikation festgeschriebene Temperaturüberwachung. Die Fertigung des Speichers findet bei SK hynix in 1Ynm statt, also nicht dem fortschrittlichsten, den SK hynix für seine Speicherchips verwendet. Samsung hingegen will DDR5 bereits mit EUV fertigen.

DDR5-Speicher wird in diesem Jahr aber nicht mehr in den freien Handel gelangen. SK hynix nennt derzeit noch keine Preise und macht keine Angaben zur Verfügbarkeit.

Das Sampling läuft bereits

Ende Februar hatte Samsung verkündet, die Produktion von LPDDR5-RAM mit 16 GB aufzunehmen. Samsung wird den DRAM in der EUV-Lithografie fertigen. Micron verkündete im Januar mit dem Sampling von DDR5 begonnen zu haben. Zuletzt vermeldete Cadence seine IP auf DDR5-4800 vorbereitet zu haben.

Alle großen Speicherhersteller haben bereits mit dem Sampling von DDR5 begonnen. Bei AMD, Intel und Co. dürften bereits die ersten Prozessoren mit DDR5 in den Laboren laufen. In den kommenden zwölf Monaten sollen die ersten Prozessoren mit Unterstützung von DDR5 auf den Markt kommen. Bei Intel sind dies die Xeon-Prozessoren auf Basis von Sapphire Rapids. Bei AMD die EPYC-Modelle auf Basis des Genoa-Designs mit Zen-4-Kernen. Datacenter-Prozessoren auf Basis eines ARM-Designs werden ebenfalls in diesem Zeitraum auf DDR5 wechseln. Kandidaten sind hier die zukünftigen Ampere-Prozessoren. Aber auch Apple dürfte mit seinen eigenen Chipsbereits DDR5 ins Auge gefasst haben.

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