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ASML und Intel geben bekannt, dass man gemeinsam den ersten TWINSCAN EXE:5200B installiert und in Betrieb genommen hat. Intel war der erste Kunde, der einen TWINSCAN EXE:5000 der ersten Generation erhalten hat. In der D1X-Fab in Hillsboro, im US-Bundesstaat Oregon, steht dieser erste High-NA-EUV-Scanner nun seit fast zwei Jahren und wird hier zur Entwicklung zukünftiger Fertigungstechnologien genutzt. Ein erster Prozess, der High-NA EUV verwenden könnte, ist Intel 14A. Laut Intel ist Intel 14A derart ausgelegt, dass sowohl High-NA EUV (0,55 NA) als auch Low-NA EUV (0,33 NA) zum Einsatz gebracht werden können.
Intel ist aber nicht der erste Kunde, der einen TWINSCAN EXE:5200B erhalten und in Betrieb genommen hat. Der südkoreanische Speicherspezialist SK Hynix hat einen ersten dieser Scanner bereits Mitte 2025 erhalten.
Mit dem TWINSCAN EXE:5200B entwickelt Intel den High-NA-EUV-Prozess nun weiter in Richtung Massenfertigung. Einerseits kann der neue Scanner deutlich mehr Wafer pro Stunde verarbeiten – bis zu 175 pro Stunde. Aber auch eine Verbesserung der Überlagerung (genaue Ausrichtung verschiedener Lithografieschichten) auf 0,7 nm ist mit dem neuen Scanner möglich.
In den kommenden Jahren werden mehr und mehr Systeme der TWINSCAN-EXE:5200-Serie ausgeliefert werden. Je nach Chiphersteller oder Auftragsfertiger wird High-NA-EUV eher früher oder eher später zum Einsatz kommen. Intel könnte einer der ersten Hersteller sein, die diese Technik zum Einsatz bringen werden. Allerdings ist dies nicht ohne Risiko.
Wie auch schon bei den "einfachen" EUV-Scannern wird ASML auch die High-NA-EUV-Systeme weiterentwickeln. Auf die TWINSCAN EXE:5200B werden die TWINSCAN EXE:5400 und darauf die TWINSCAN EXE:5600 bis Ende des Jahrzehnts folgen. Ab 2028 soll dann bereits Hyper-NA EUV folgen.
In einem ausführlichen Artikel haben wir uns mit den Vor- und Nachteilen von High-NA EUV beschäftigt.
