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Samsung hat angekündigt, dass die erste kommerzielle Auslieferung von HBM4 begonnen habe. Dies beschreibt den offiziellen Start von HBM4 als Produkt von Samsung. Die bisherigen Auslieferungen in Form von Samples dienten der Verifizierung. Dabei handelt es sich um nichtkommerzielle Samples.
Der nun erste ausgelieferte HBM4 von Samsung erreicht eine Bandbreite von 11,7 GBit/s. Damit erfüllt man die von NVIDIA geforderten 11 GBit/s. Ursprünglich war der erste HBM4-Schritt mit 8 GBit/s angedacht. Der Speicher von Micron, Samsung und SK Hynix erfüllt die Vorgaben von NVIDIA bereits. Im Rennen um die nächste KI-Beschleuniger-Generation haben AMD und NVIDIA die Wunsch-Spezifikationen immer wieder angepasst.
Für den HBM4 verwendet Samsung den eigenen DRAM der 1c-Klasse, der in einem 10-nm-Verfahren hergestellt wird. der Base-Die wiederum wird in 4 nm gefertigt.
Samsung plant die ersten HBM4-Chips mit 11,7 GBit/s auszuliefern, später sollen aber auch Varianten mit 13 GBit/s zur Verfügung stehen. Die einzelnen HBM4-Speicherstacks kommen auf eine Bandbreite von 3,3 TB/s. In der 12-Hi-Variante, also mit 12 DRAM-Schichten, bietet der HBM4 eine Kapazität von 24 und 36 GB. Später soll es auch eine Variante mit 48 GB geben.
Durch die Fertigung in 10 und 4 nm für den DRAM sowie den Base-Die will Samsung eine um 40 % höhere Effizienz im Vergleich zu HBM3E erreichen. Durch das verbesserte Stacking-Verfahren will Samsung einen um 10 % geringeren thermischen Widerstand und eine um 30 % bessere Wärmeabfuhr erreicht haben. Die Betriebsspannung des HBM4 liegt bei 0,75 V. Kunden für den HBM4 sind vor allem AMD und NVIDIA. Aber auch weitere, zukünftige KI-Beschleuniger anderer Hersteller werden HBM4 nutzen.
Weiterhin will Samsung ab der zweiten Jahreshälfte 2026 die ersten Samples von HBM4E ausliefern. C-HBM4E soll ab 2027 folgen. Weitere Informationen zum Aufbau von HBM4E und der Integration des Speichercontrollers in den Base-Die von C-HBM4E, haben wir in einem gesonderten Artikel zusammengefasst.
