Seite 1: AMDs Ryzen 3000 trifft Samsung, Micron und Hynix

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Seit dem Launch der Ryzen-3000-Prozessoren sind nun schon einige Wochen vergangen und die neuen Prozessoren erfreuen sich einer sehr großen Beliebtheit auch hier im Forum. Einige Hersteller haben seitdem neue Arbeitsspeicher Modelle speziell für die neuen Ryzen-Prozessoren und X570-Mainboards herausgebracht oder angekündigt. Natürlich können diese durchaus auch auf B450- und X470-Mainboards genutzt werden, benötigen dafür unter Umständen aber manuelle Einstellungen.

Dieses Leser-Review wurde von unserem Community-Mitglied Reous erstellt. 

Update: Wir haben den Artikel hinsichtlich der Darstellung der Diagramme aktualisiert und die dazugehörigen Grafiken ersetzt. Änderungen an den Werten in den Diagrammen hat es nicht gegeben. Einzig die Darstellung wurde geändert.

Oft befinden sich auf diesen Modellen bestimmte IC-Typen (DRAM-Chips), die allgemein eine gute Kompatibilität mit den AMD-Plattformen besitzen. Unterschiede sind rein äußerlicher Natur in Form eines anderen Headspreaders zu finden. Derzeit werden auf solchen Modellen vorwiegend bestimmte IC-Typen mit 8 Gbit von Samsung, SK Hynix und Micron verwendet. Für diesen Test standen verschiedene Kits von G.Skill und Crucial zur Verfügung. 

Eine Kurze Übersicht der drei häufigsten am Markt vorhandenen und für den Test verwendeten ICs:

Samsung 8Gbit B-Die:

Hierbei handelt es sich um einen im 20 nm gefertigten IC vom Typ K4A8G085WB. Die ICs haben sich als extrem übertaktungsfreudig erwiesen und der mögliche Speichertakt skaliert fast linear mit Timings und Spannung. Im Vergleich zu den nachfolgenden ICs sind hier, bei den für die Leistung wichtigen Timings, sehr niedrige Werte möglich. Leider wird die Produktion von B-Die eingestellt und die Verfügbarkeit wird sich in den kommenden Monaten verschlechtern. Eine Auswahl, an mit B-Die möglichen bestückten ICs, sind im nachfolgenden Thread zu finden.

SK Hynix 8Gbit C-Die

Bei den H5AN8G8NCJR handelt es sich um einen 18 nm 8 Gbit IC der dritten Generation nach MFR und AFR. Sie besitzen ein hohes Übertaktungspotenzial, man muss aber gleichzeitig im Vergleich zu Samsung B-Die Abstriche bei einigen Timings wie zum Beispiel tRCDRD, tRP oder tRFC in Kauf nehmen. Man findet sie überwiegend auf Arbeitsspeicher bis DDR4-3600 vor.  Weitere hilfreiche Informationen sind in dem im Forum vorhandenen Sammelthread verfügbar.

Micron 8 Gbit E-Die

Bei der am häufigsten verwendeten Variante handelt es sich um einen, in 19 nm gefertigten 8-Gbit-IC vom Typ MT40A1G8SA-075:E (D9VPP). Er hat Anfang des Jahres mit einem Speichertakt-Weltrekord für Aufsehen gesorgt und ist seither in aller Munde. Bedingt durch die gute Übertaktbarkeit und des niedrigen Preises wird hierfür oft eine Kaufempfehlung ausgesprochen. Aber auch hier muss man im Vergleich zu Samsungs B-Die Abstriche bei einigen Timings wie zum Beispiel tRCDRD oder tRFC in Kauf nehmen. Weitere Informationen dazu gibt es ebenfalls im Forum.

Das Testsystem
CPU AMD Ryzen 7 3700X (fix auf 4,1 GHz)
Mainboard ASUS ROG Strix B450-I Gaming
BIOS 2703 ABB
  ASUS ROG Strix X570-E Gaming
BIOS 1005 ABB
HDD ADATA XPG SX6000 Lite 128GB M.2
Samsung SSD 850 EVO 250GB
OS Windows 10 (Build 1903)
Grafikkarte XFX Radeon R9 270X Black Edition
Arbeitsspeicher G.Skill Trident Z DDR4-3600 CL15-15-15
Samsung 8Gbit B-Die, Single Rank
F4-3600C15D-16GTZ       
  G.Skill Trident Z DDR4-4000 CL19-19-19
Samsung 8Gbit B-Die, Dual Rank
F4-4000C19D-32GTZKK
  Crucial Ballistix Elite DDR4-4000 CL18-19-19
Micron 8Gbit E-Die, Single Rank
BLE2K8G4D40BEEAK
  Crucial Ballistix Sport DDR4-3000 CL15-16-16
Micron 8Gbit E-Die, Dual Rank
BLS2K16G4D30AESB
  G.Skill Trident Z Neo DDR4-3600 CL16-19-19
Hynix 8Gbit C-Die, Single Rank
F4-3600C16D-16GTZNC
  G.Skill SniperX Camouflage DDR4-3600 CL19-20-20
Hynix 8Gbit C-Die, Dual Rank
F4-3600C19D-32GSXKB

Alle Tests wurden mit einem fixen CPU-Takt von 4,10 GHz bei 1,325V durchgeführt. Dadurch soll verhindert werden, dass bei schwankenden Temperaturen unterschiedliche Taktraten anliegen und dadurch ein Ergebnis verfälscht wird. Taktraten bis einschließlich DDR4-3733 wurden auf dem ROG Strix X570-E Gaming durchgeführt, hohe Taktraten ab DDR4-4200 auf dem ROG Strix B450-I Gaming. Als BIOS wurde jeweils eine Version mit dem zum Zeitpunkt der Tests verfügbaren ComboPi 1.0.0.3 Patch ABB eingesetzt. Zur Verfügung standen jeweils ein 2x 8 GB (Single Rank) Kit, sowie ein 2x 16GB (Dual Rank) Kit mit Speicherchips von Samsung, SK Hynix und Micron.

Die verschiedenen Benchmarks wurden bei Taktraten mit DDR4-3200, DDR4-3600, DDR4-3733 und wenn möglich auch mit DDR4-4200+ durchgeführt. Hohe Taktraten ab DDR4-4200 waren nicht mit allen Kits möglich, da dies entweder die ICs nicht zuließen oder das BIOS noch nicht ideal dafür optimiert wurde. Für das optimieren der Timings wurde eine maximale VDIMM von 1,50 V angelegt. Alle verwendeten Timings können der folgenden Tabelle entnommen werden: