[Sammelthread] Ryzen DDR5 RAM OC Thread

[Neon Knights]

...der latency killer funktioniert auf dem MSI etwas besser, hier mit LK auf enabled, ohne wär´s ~69 auf dem MSI. Das Taichi lag so um die 67.
Das MSI verzeiht einem bei Weitem weniger als das Taichi. Man muss um einiges mehr den CMOS reset bemühen bei manuellen Einstellungen. Dafür sind die MSI Presets besser. Sowohl für PBO als auch für die unterschiedlichen Ram Settings. Vielleicht mag sich das mit den neueren Biose verbessert haben, das werde ich später mal auf dem 2. Bios Chip ausprobieren.

 

[ThunderXX80]

@Neon Knights : wieso nicht twr auf 48? Das hat bei mir noch bei jedem Kit geklappt. Sogar mit Micron Chips.
Mich bestätigt immer mehr mein Gedanke, dass ich ein richtig mieses 48GB Kit erhalten habe, wenn ich eure Settings sehe. Mein 48GB Kit geht unmöglich niedriger als 200ns trfc.
Und auch sonst sind meine stabilen Setttings deutlich schlechter, als das was ich hier sehe. (aber twr48 geht bei mir immer )

 

[Neon Knights]

@Neon Knights : wieso nicht twr auf 48? Das hat bei mir noch bei jedem Kit geklappt. Sogar mit Micron Chips.
Mich bestätigt immer mehr mein Gedanke, dass ich ein richtig mieses 48GB Kit erhalten habe, wenn ich eure Settings sehe. Mein 48GB Kit geht unmöglich niedriger als 200ns trfc.
Und auch sonst sind meine stabilen Setttings deutlich schlechter, als das was ich hier sehe. (aber twr48 geht bei mir immer )

...weil 54 ein Erfahrungswert vom Taichi war. 48 lief dort auch eher unzuverlässig. Vor ein paar Tagen hatte ich da noch 60 - das war von einem der MSI Presets. Die 54 muss ich aber dahingehend auch noch validieren.

übrigens was ich auch unschön finde. Packe ich auf dem MSI proc odt PU / PD manuell auf 48 Ohm(siehe Taichi) an, booted das Ferkel nicht mehr- also wieder CMOS Reset. Was ich noch ausprobieren will ist PU 48 ohm und PD auf Auto lassen- mal sehen. Der mag es absolut nicht wenn man da manuell rumfummelt. Was das MSI auch nicht anbietet ist eine Nitro Einstellung (kann´s nicht finden) , zumindest nicht mit diesem älteren Bios.

 

[ThunderXX80]

Ich hab mit automatisch gesetzten Widerständen die besten Ergebnisse gemacht. Gefühlt reagiert da jedes Board anders. Wahrscheinlich weil die Leiterbahnen anders laufen.
Aber es ist echt erstaunlich wie unterschiedlich die Erfahrungen auch sonst sind, weil twr48 bei mir noch bei jedem Kit 100% stabil war. Egal ob DDR5-8100 oder. 6000 und komplett egal welche Chips auf den Modulen waren.

 

[ollivetti]

Ich hab mit automatisch gesetzten Widerständen die besten Ergebnisse gemacht. Gefühlt reagiert da jedes Board anders. Wahrscheinlich weil die Leiterbahnen anders laufen.
Aber es ist echt erstaunlich wie unterschiedlich die Erfahrungen auch sonst sind, weil twr48 bei mir noch bei jedem Kit 100% stabil war. Egal ob DDR5-8100 oder. 6000 und komplett egal welche Chips auf den Modulen waren.

Ja, bei mir bisher auch mit den Widerständen, aber ich bin bei weitem noch nciht durch mit allen Möglichkeiten.

Mal eine andere Frage in die Runde:
Wie sind eure Erfahrungen bzw. gibt es schon welche, die länger eine hohe Spannung >1,6V betreiben und wie sich die DIMMs dabei verhalten nach mehreren Wochen in diesem Betrieb? Gibt es ggf. Ausfallerscheinungen oder ANzeichen einer schnelleren Alterung der Speicher?

 

[NightFly2]

Ja, bei mir bisher auch mit den Widerständen, aber ich bin bei weitem noch nciht durch mit allen Möglichkeiten.

Mal eine andere Frage in die Runde:
Wie sind eure Erfahrungen bzw. gibt es schon welche, die länger eine hohe Spannung >1,6V betreiben und wie sich die DIMMs dabei verhalten nach mehreren Wochen in diesem Betrieb? Gibt es ggf. Ausfallerscheinungen oder ANzeichen einer schnelleren Alterung der Speicher?

ich hab ab dem 19 März 1.62 am laufen mit Luftkühler auf die DIMMs und 0 Probleme , aber ich spiele auch nur oder lasse RAM Tests laufen. und sollten die Kaputt gehen so RAM kostet nicht die Welt also die 150 Euro sind mir egal

 

[RedF]

ich hab ab dem 19 März 1.62 am laufen mit Luftkühler auf die DIMMs und 0 Probleme , aber ich spiele auch nur oder lasse RAM Tests laufen. und sollten die Kaputt gehen so RAM kostet nicht die Welt also die 150 Euro sind mir egal

Bei der Spannung machen sie wahrscheinlich schon nach 15 Jahren die Grätsche und nicht nach 25.

 

[ApolloX]

Bei 1,6X V erschrickt hier noch niemand.
Ist keine drei Tage her, dass glaub ich Vince von 2V gesprochen hat....?

 

[ollivetti]

Bin gerade am schauen. Habe Anomalien beim zocken festgestellt und bin Grad am gegen testen, ob es an den cl26 liegt.

Mal schauen. Und das mitten am austarieren der CPU mit TDP, EDC, PPT und EDC.
Oh Mann. 😂

 

[Tatilica]

...the latency killer works a bit better on the MSI, here with LK enabled; without it, it would be around 69 on the MSI. The Taichi was around 67.
The MSI is far less forgiving than the Taichi. You have to work harder to reset the CMOS with manual settings. However, the MSI presets are better, both for PBO and for the various RAM settings. Perhaps this has improved with the newer BIOS; I'll test it later on the second BIOS chip.
Anhang anzeigen 1126578

Yeah, Killer is working great on MSI, I doubt better PBO & RAM settings presets are improved with newer Bios, just rolled back 1.2.0.3a PatchA, same Profile failed testing 1.2.0.3f runs, no matter what, be aware, don't
8055 BCLK100.7 PBO Auto Boost +25 CO--perCore


Agesa 1.2.0.3f same Profile Boost+25 +100 both failed

Agesa 1.2.0.3aPatchA reflashed back to stability origin

 

[medifix]

fclk auf 2500 mit sehr moderater vsoc mit einem 8400f.
habe ich bisher nicht so oft gesehen, nur deshalb mal gezeigt.

hci memtest stabil. das setting ist nicht tm5 getestet.
bei den tm5 90 min testversuchen hatte ich dreimal erfolg, jedoch mit anderen 6200er settings. alle weiteren versuche endeten mit einem späten error alle nach >50 min und bei >50°C. ich interpretiere das als temp-grenze bei ansonsten stabilen settings. wie auch immer, ich lass das vorerst so laufen...

edit:
...für aida cache+mem musste ich die vsoc von 1.160v wieder auf 1.190v erhöhen. alles darunter wurde mit einer errormeldung quittiert.
1 x 10 min 47°C pass
1 x 20 min 44.2°C pass
(mit unterschiedlicher lüfterconfig)

occt cpu+ram nach 05:33 error bei 51.5°C
occt memory 10 min pass bei 50.2°C

bleibt also bei vsoc 1.190v, auch gut.
als nächstes werde ich versuchen die temperatur weiter abzusenken...

 

[Ardadamarda]

5600B wie auch BN ist nur ein Speedbin von JEDEC. Sagt im Prinzip nichts mehr aus, da alle Speicherhersteller einen eigenen Weg gehen. 5600B Kits funktionieren aber meist bis CL28 gut mit recht wenig Spannung. Es kommt hier hauptsächlich auf die "Minimum Active to Active/Refresh Time (tRCmin)" an.

Hallo Vince,

Kannst du das bitte nochmal kurz erläutern?
Auf welchen Wert genau kommt es an? Denn "Minimum Active to Active/Refresh Time (tRCmin)" kann ich im Rammon nicht finden.
Hier mal ein Dump von meinem Kit:

Spoiler: FFXD532G7200HC34ADC01

RAMMon v3.4 Build: 1000 built with SysInfo v3.3 Build: 1000
PassMark (R) Software - www.passmark.com​

Memory settings

Transfer rate	6000 MT/s
Memory timings	28-36-36-48
Channel mode	2

Memory capacity / benchmarks

L1 cache	80 KB (637.5 GB/s)
L2 cache	1024 KB (195.5 GB/s)
L3 cache	98304 KB (147.7 GB/s)
Physical RAM	31.7 GB (39529 MB/s)
Latency	43.750 ns

Memory SPD information​

Item	Slot #1	Slot #2	Slot #3	Slot #4
Ram Type	DDR5	DDR5	Not Populated	Not Populated
Maximum Clock Speed (MHz)	3610 (XMP)	3610 (XMP)
Maximum Transfer Speed (MT/s)	DDR5-7220	DDR5-7220
Maximum Bandwidth (MB/s)	PC5-28800	PC5-28800
Memory Capacity (MB)	16384	16384
DIMM Temperature	34.000	32.000
Jedec Manufacture Name	Team Group Inc.	Team Group Inc.
Search Amazon.com	Search!	Search!
SPD Revision	1.0	1.0
Registered	No	No
ECC	No	No
On-Die ECC	Yes	Yes
DIMM Slot #	1	2
Manufactured	Week 49 of Year 2024	Week 49 of Year 2024
Module Part #	UD5-7200	UD5-7200
Module Revision	0x0	0x0
Module Serial #	01045FD1 (04ef00244901045fd1)	01045FD4 (04ef00244901045fd4)
Module Manufacturing Location	0	0
# of Row Addressing Bits	16	16
# of Column Addressing Bits	10	10
# of Banks	32	32
# of Ranks	1	1
Device Width in Bits	8	8
Bus Width in Bits	32	32
Module Voltage	1.1V	1.1V
CAS Latencies Supported	22 28 30 32 36 40 42 46 50	22 28 30 32 36 40 42 46 50
Timings @ Max Frequency (JEDEC)	46-46-46-90	46-46-46-90
Maximum frequency (MHz)	2800	2800
Maximum Transfer Speed (MT/s)	DDR5-5600	DDR5-5600
Maximum Bandwidth (MB/s)	PC5-22400	PC5-22400
Minimum Clock Cycle Time, tCK (ns)	0.357	0.357
Minimum CAS Latency Time, tAA (ns)	16.428	16.428
Minimum RAS to CAS Delay, tRCD (ns)	16.428	16.428
Minimum Row Precharge Time, tRP (ns)	16.428	16.428
Minimum Active to Precharge Time, tRAS (ns)	32.000	32.000
Minimum Row Active to Row Active Delay, tRRD (ns)	0.000	0.000
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Time, tRC (ns)	48.428	48.428
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Command Period, tRFC (ns)	295.000	295.000
DDR5 Specific SPD Attributes
Maximum Clock Cycle Time, tCKmax (ns)	1.010	1.010
Write Recovery time (ns)	30.000	30.000
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto Refresh Command Period, tRFC2 (ns)	160.000	160.000
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto Refresh Command Period, tRFC4 (ns)	130.000	130.000
Minimum Refresh Recovery Delay Time, tRFC1 (ns)	0.000	0.000
Minimum Refresh Recovery Delay Time, tRFC2 (ns)	0.000	0.000
Minimum Refresh Recovery Delay Time, tRFCsb (ns)	0.000	0.000
Module Type	UDIMM	UDIMM
Module information SPD revision	1.0	1.0
SPD present	Yes	Yes
SPD device type	SPD5118	SPD5118
SPD Manufacturer	Montage Technology Group (Bank: 7, ID: 0x32)	Montage Technology Group (Bank: 7, ID: 0x32)
PMIC 0 present	Yes	Yes
PMIC 0 device type	PMIC5100	PMIC5100
PMIC 0 Manufacturer	Richtek Power (Bank: 11, ID: 0x8C)	Richtek Power (Bank: 11, ID: 0x8C)
PMIC 1 present	No	No
PMIC 1 device type
PMIC 1 Manufacturer
PMIC 2 present	No	No
PMIC 2 device type
PMIC 2 Manufacturer
Thermal Sensor 0 present	No	No
Thermal Sensor 1 present	No	No
Thermal Sensor device type
Thermal Sensor Manufacturer
Module Height (mm)	32	32
Module Thickness Front (mm)	2	2
Module Thickness Back (mm)	1	1
Module Reference Card	Raw Card A Rev. 0	Raw Card A Rev. 0
# DRAM Rows	1	1
Heat spreader installed	No	No
Operating Temperature Range	XT (0 to + 95 °C)	XT (0 to + 95 °C)
Rank Mix	Symmetrical	Symmetrical
Number of Package Ranks per Channel	1	1
Number of Channels per DIMM	2	2
Primary bus width per Channel	32 bits	32 bits
Bus width extension per Channel	0 bits	0 bits
DRAM Manufacture ID	173	173
DRAM Manufacture Bank	1	1
DRAM Manufacture Name	SK Hynix	SK Hynix
DRAM Stepping	4.1	4.1
SDRAM Package Type	Monolithic SDRAM	Monolithic SDRAM
SDRAM Density Per Die	16Gb	16Gb
SDRAM Bank Groups	8	8
SDRAM Banks Per Bank Group	4	4
Second SDRAM Package Type
Second SDRAM Density Per Die
Second SDRAM Column Address Bits
Second SDRAM Row Address Bits
Second SDRAM Device Width
Second SDRAM Bank Groups
Second SDRAM Banks Per Bank Group
First SDRAM RFM RAAMMT	0X (FGR: 0X)	0X (FGR: 0X)
First SDRAM RFM RAAIMT	0 (FGR: 0)	0 (FGR: 0)
First SDRAM RFM Required	no	no
First SDRAM RFM RAA Counter Decrement per REF command	RAAIMT / 2	RAAIMT / 2
Second SDRAM RFM RAAMMT
Second SDRAM RFM RAAIMT
Second SDRAM RFM Required
Second SDRAM RFM RAA Counter Decrement per REF command
First SDRAM ARFM Level A RAAMMT	0X (FGR: 0X)	0X (FGR: 0X)
First SDRAM ARFM Level A RAAIMT	0 (FGR: 0)	0 (FGR: 0)
First SDRAM ARFM Level A supported	no	no
First SDRAM ARFM Level A RAA Counter Decrement per REF command	RAAIMT / 2	RAAIMT / 2
Second SDRAM ARFM Level A RAAMMT
Second SDRAM ARFM Level A RAAIMT
Second SDRAM ARFM Level A supported
Second SDRAM ARFM Level A RAA Counter Decrement per REF command
First SDRAM ARFM Level B RAAMMT	0X (FGR: 0X)	0X (FGR: 0X)
First SDRAM ARFM Level B RAAIMT	0 (FGR: 0)	0 (FGR: 0)
First SDRAM ARFM Level B supported	no	no
First SDRAM ARFM Level B RAA Counter Decrement per REF command	RAAIMT / 2	RAAIMT / 2
Second SDRAM ARFM Level B RAAMMT
Second SDRAM ARFM Level B RAAIMT
Second SDRAM ARFM Level B supported
Second SDRAM ARFM Level B RAA Counter Decrement per REF command
First SDRAM ARFM Level C RAAMMT	0X (FGR: 0X)	0X (FGR: 0X)
First SDRAM ARFM Level C RAAIMT	0 (FGR: 0)	0 (FGR: 0)
First SDRAM ARFM Level C supported	no	no
First SDRAM ARFM Level C RAA Counter Decrement per REF command	RAAIMT / 2	RAAIMT / 2
Second SDRAM ARFM Level C RAAMMT
Second SDRAM ARFM Level C RAAIMT
Second SDRAM ARFM Level C supported
Second SDRAM ARFM Level C RAA Counter Decrement per REF command
sPPR Granularity	bank group	bank group
sPPR Undo/Lock	supported	supported
Burst length 32	not supported	not supported
MBIST/mPPR	not supported	not supported
mPPR/hPPR Abort	not supported	not supported
PASR	not supported	not supported
DCA Types Supported	Device supports DCA for 4-phase internal clock(s)	Device supports DCA for 4-phase internal clock(s)
x4 RMW/ECS Writeback Suppression	not supported	not supported
x4 RMW/ECS Writeback Suppression MR selector	MR9	MR9
Bounded Fault	not supported	not supported
SDRAM Nominal Voltage, VDDQ	1.1V	1.1V
SDRAM Nominal Voltage, VPP	1.8V	1.8V
Cyclical Redundancy Code (CRC) for Base Configuration	9d1a	9d1a
XMP Attributes
XMP version	3.0	3.0
PMIC Vendor ID	8A8C	8A8C
Number of PMICs on DIMM	1	1
PMIC capabilities
PMIC has capabilities for OC functions	Yes	Yes
Current PMIC OC is enabled	Yes	Yes
PMIC voltage default step size	5mV	5mV
OC global reset functions	No	No
Validation and Certification Capabilities
DIMM is self-certified by DIMM vendor	No	No
PMIC Component is validated by Intel AVL level	No	No
XMP revision	1.2	1.2
XMP Profile 1
Profile name	TG-7200-34-42-84	TG-7200-34-42-84
XMP Certified	No	No
Recommended number of DIMMs per channel	1	1
Module VPP voltage	1.80V	1.80V
Module VDD voltage	1.40V	1.40V
Module VDDQ voltage	1.40V	1.40V
Memory Controller voltage	1.10V	1.10V
Clock speed (MHz)	3610	3610
Transfer Speed (MT/s)	DDR5-7220	DDR5-7220
Bandwidth (MB/s)	PC5-28800	PC5-28800
Minimum clock cycle time, tCK (ns)	0.277	0.277
Supported CAS latencies	34	34
Minimum CAS latency time, tAA (ns)	9.418	9.418
Minimum RAS to CAS delay time, tRCD (ns)	11.634	11.634
Minimum row precharge time, tRP (ns)	11.634	11.634
Minimum active to precharge time, tRAS (ns)	23.268	23.268
Supported timing at highest clock speed	34-42-42-84	34-42-42-84
Minimum Active to Auto-Refresh Delay, tRC (ns)	34.902	34.902
Minimum Write Recovery Time, tWR (ns)	30.000	30.000
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Delay, tRFC1 (ns)	295.000	295.000
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Delay, tRFC2 (ns)	160.000	160.000
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Delay, tRFCsb (ns)	130.000	130.000
Minimum Read to Read Command Delay Time, Same Bank Group, tCCD_L (ns)	0.000 (0 nCK)	0.000 (0 nCK)
Minimum Write to Write Command Delay Time, Same Bank Group, tCCD_L_WR (ns)	0.000 (0 nCK)	0.000 (0 nCK)
Minimum Write to Write Command Delay Time, Second Write not RMW, Same Bank Group, tCCD_L_WR2 (ns)	0.000 (0 nCK)	0.000 (0 nCK)
Minimum Write to Read Command Delay Time, Same Bank Group, tCCD_L_WTR (ns)	0.000 (0 nCK)	0.000 (0 nCK)
Minimum Write to Read Command Delay Time, Different Bank Group, tCCD_S_WTR (ns)	0.000 (0 nCK)	0.000 (0 nCK)
Minimum Active to Active Command Delay Time, Same Bank Group, tRRD_L (ns)	0.000 (0 nCK)	0.000 (0 nCK)
Minimum Read to Precharge Command Delay Time, tRTP (ns)	0.000 (0 nCK)	0.000 (0 nCK)
Minimum Four Activate Window, tFAW (ns)	0.000	0.000
Advanced Memory Overclocking Features
Real-Time Memory Frequency Overclocking	Not supported	Not supported
Intel Dynamic Memory Boost	Not supported	Not supported
System CMD Rate Mode	2N	2N
Vendor Personality Byte	0x00	0x00
XMP Profile 2
Profile name	TG-6000-38-38-78	TG-6000-38-38-78
XMP Certified	No	No
Recommended number of DIMMs per channel	1	1
Module VPP voltage	1.80V	1.80V
Module VDD voltage	1.25V	1.25V
Module VDDQ voltage	1.25V	1.25V
Memory Controller voltage	1.10V	1.10V
Clock speed (MHz)	3000	3000
Transfer Speed (MT/s)	DDR5-6000	DDR5-6000
Bandwidth (MB/s)	PC5-24000	PC5-24000
Minimum clock cycle time, tCK (ns)	0.333	0.333
Supported CAS latencies	38	38
Minimum CAS latency time, tAA (ns)	12.654	12.654
Minimum RAS to CAS delay time, tRCD (ns)	12.654	12.654
Minimum row precharge time, tRP (ns)	12.654	12.654
Minimum active to precharge time, tRAS (ns)	25.974	25.974
Supported timing at highest clock speed	38-38-38-78	38-38-38-78
Minimum Active to Auto-Refresh Delay, tRC (ns)	38.628	38.628
Minimum Write Recovery Time, tWR (ns)	30.000	30.000
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Delay, tRFC1 (ns)	295.000	295.000
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Delay, tRFC2 (ns)	160.000	160.000
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Delay, tRFCsb (ns)	130.000	130.000
Minimum Read to Read Command Delay Time, Same Bank Group, tCCD_L (ns)	0.000 (0 nCK)	0.000 (0 nCK)
Minimum Write to Write Command Delay Time, Same Bank Group, tCCD_L_WR (ns)	0.000 (0 nCK)	0.000 (0 nCK)
Minimum Write to Write Command Delay Time, Second Write not RMW, Same Bank Group, tCCD_L_WR2 (ns)	0.000 (0 nCK)	0.000 (0 nCK)
Minimum Write to Read Command Delay Time, Same Bank Group, tCCD_L_WTR (ns)	0.000 (0 nCK)	0.000 (0 nCK)
Minimum Write to Read Command Delay Time, Different Bank Group, tCCD_S_WTR (ns)	0.000 (0 nCK)	0.000 (0 nCK)
Minimum Active to Active Command Delay Time, Same Bank Group, tRRD_L (ns)	0.000 (0 nCK)	0.000 (0 nCK)
Minimum Read to Precharge Command Delay Time, tRTP (ns)	0.000 (0 nCK)	0.000 (0 nCK)
Minimum Four Activate Window, tFAW (ns)	0.000	0.000
Advanced Memory Overclocking Features
Real-Time Memory Frequency Overclocking	Not supported	Not supported
Intel Dynamic Memory Boost	Not supported	Not supported
System CMD Rate Mode	2N	2N
Vendor Personality Byte	0x00	0x00
EXPO Attributes
EXPO version	1.0	1.0
PMIC feature support
PMIC 10 mV step size support	No	No
EXPO Profile 1
DIMMs per channel supported	1	1
EXPO Optional Block Support
Block 1 enabled	Yes	Yes
SDRAM VDD	1.40V	1.40V
SDRAM VDDQ	1.40V	1.40V
SDRAM VPP	1.80V	1.80V
Clock speed (MHz)	3610	3610
Transfer Speed (MT/s)	DDR5-7220	DDR5-7220
Bandwidth (MB/s)	PC5-28800	PC5-28800
Minimum clock cycle time, tCK (ns)	0.277	0.277
Minimum CAS latency time, tAA (ns)	9.418	9.418
Minimum RAS to CAS delay time, tRCD (ns)	11.634	11.634
Minimum row precharge time, tRP (ns)	11.634	11.634
Minimum active to precharge time, tRAS (ns)	23.268	23.268
Supported timing at highest clock speed	34-42-42-84	34-42-42-84
Minimum Active to Auto-Refresh Delay, tRC (ns)	34.902	34.902
Minimum Write Recovery Time, tWR (ns)	30.000	30.000
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Delay, tRFC1 (ns)	295.000	295.000
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Delay, tRFC2 (ns)	160.000	160.000
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Delay, tRFCsb (ns)	130.000	130.000
Minimum Active to Active Command Delay Time, Same Bank Group, tRRD_L (ns)	5.000	5.000
Minimum Read to Read Command Delay Time, Same Bank Group, tCCD_L (ns)	5.000	5.000
Minimum Write to Write Command Delay Time, Same Bank Group, tCCD_L_WR (ns)	20.000	20.000
Minimum Write to Write Command Delay Time, Second Write not RMW, Same Bank Group, tCCD_L_WR2 (ns)	10.000	10.000
Minimum Four Activate Window, tFAW (ns)	8.888	8.888
Minimum Write to Read Command Delay Time, Same Bank Group, tWTR_L (ns)	10.000	10.000
Minimum Write to Read Command Delay Time, Different Bank Group, tWTR_S (ns)	2.500	2.500
Minimum Read to Precharge Command Delay Time, tRTP (ns)	7.500	7.500

 

[Vince96]

Hallo Vince,

Kannst du das bitte nochmal kurz erläutern?
Auf welchen Wert genau kommt es an? Denn "Minimum Active to Active/Refresh Time (tRCmin)" kann ich im Rammon nicht finden.
Hier mal ein Dump von meinem Kit:

Spoiler: FFXD532G7200HC34ADC01

RAMMon v3.4 Build: 1000 built with SysInfo v3.3 Build: 1000​

PassMark (R) Software - www.passmark.com​

Memory settings​

Transfer rate	6000 MT/s
Memory timings	28-36-36-48
Channel mode	2

Memory capacity / benchmarks​

L1 cache	80 KB (637.5 GB/s)
L2 cache	1024 KB (195.5 GB/s)
L3 cache	98304 KB (147.7 GB/s)
Physical RAM	31.7 GB (39529 MB/s)
Latency	43.750 ns

Memory SPD information​

Item	Slot #1	Slot #2	Slot #3	Slot #4
Ram Type	DDR5	DDR5	Not Populated	Not Populated
Maximum Clock Speed (MHz)	3610 (XMP)	3610 (XMP)
Maximum Transfer Speed (MT/s)	DDR5-7220	DDR5-7220
Maximum Bandwidth (MB/s)	PC5-28800	PC5-28800
Memory Capacity (MB)	16384	16384
DIMM Temperature	34.000	32.000
Jedec Manufacture Name	Team Group Inc.	Team Group Inc.
Search Amazon.com	Search!	Search!
SPD Revision	1.0	1.0
Registered	No	No
ECC	No	No
On-Die ECC	Yes	Yes
DIMM Slot #	1	2
Manufactured	Week 49 of Year 2024	Week 49 of Year 2024
Module Part #	UD5-7200	UD5-7200
Module Revision	0x0	0x0
Module Serial #	01045FD1 (04ef00244901045fd1)	01045FD4 (04ef00244901045fd4)
Module Manufacturing Location	0	0
# of Row Addressing Bits	16	16
# of Column Addressing Bits	10	10
# of Banks	32	32
# of Ranks	1	1
Device Width in Bits	8	8
Bus Width in Bits	32	32
Module Voltage	1.1V	1.1V
CAS Latencies Supported	22 28 30 32 36 40 42 46 50	22 28 30 32 36 40 42 46 50
Timings @ Max Frequency (JEDEC)	46-46-46-90	46-46-46-90
Maximum frequency (MHz)	2800	2800
Maximum Transfer Speed (MT/s)	DDR5-5600	DDR5-5600
Maximum Bandwidth (MB/s)	PC5-22400	PC5-22400
Minimum Clock Cycle Time, tCK (ns)	0.357	0.357
Minimum CAS Latency Time, tAA (ns)	16.428	16.428
Minimum RAS to CAS Delay, tRCD (ns)	16.428	16.428
Minimum Row Precharge Time, tRP (ns)	16.428	16.428
Minimum Active to Precharge Time, tRAS (ns)	32.000	32.000
Minimum Row Active to Row Active Delay, tRRD (ns)	0.000	0.000
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Time, tRC (ns)	48.428	48.428
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Command Period, tRFC (ns)	295.000	295.000
DDR5 Specific SPD Attributes
Maximum Clock Cycle Time, tCKmax (ns)	1.010	1.010
Write Recovery time (ns)	30.000	30.000
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto Refresh Command Period, tRFC2 (ns)	160.000	160.000
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto Refresh Command Period, tRFC4 (ns)	130.000	130.000
Minimum Refresh Recovery Delay Time, tRFC1 (ns)	0.000	0.000
Minimum Refresh Recovery Delay Time, tRFC2 (ns)	0.000	0.000
Minimum Refresh Recovery Delay Time, tRFCsb (ns)	0.000	0.000
Module Type	UDIMM	UDIMM
Module information SPD revision	1.0	1.0
SPD present	Yes	Yes
SPD device type	SPD5118	SPD5118
SPD Manufacturer	Montage Technology Group (Bank: 7, ID: 0x32)	Montage Technology Group (Bank: 7, ID: 0x32)
PMIC 0 present	Yes	Yes
PMIC 0 device type	PMIC5100	PMIC5100
PMIC 0 Manufacturer	Richtek Power (Bank: 11, ID: 0x8C)	Richtek Power (Bank: 11, ID: 0x8C)
PMIC 1 present	No	No
PMIC 1 device type
PMIC 1 Manufacturer
PMIC 2 present	No	No
PMIC 2 device type
PMIC 2 Manufacturer
Thermal Sensor 0 present	No	No
Thermal Sensor 1 present	No	No
Thermal Sensor device type
Thermal Sensor Manufacturer
Module Height (mm)	32	32
Module Thickness Front (mm)	2	2
Module Thickness Back (mm)	1	1
Module Reference Card	Raw Card A Rev. 0	Raw Card A Rev. 0
# DRAM Rows	1	1
Heat spreader installed	No	No
Operating Temperature Range	XT (0 to + 95 °C)	XT (0 to + 95 °C)
Rank Mix	Symmetrical	Symmetrical
Number of Package Ranks per Channel	1	1
Number of Channels per DIMM	2	2
Primary bus width per Channel	32 bits	32 bits
Bus width extension per Channel	0 bits	0 bits
DRAM Manufacture ID	173	173
DRAM Manufacture Bank	1	1
DRAM Manufacture Name	SK Hynix	SK Hynix
DRAM Stepping	4.1	4.1
SDRAM Package Type	Monolithic SDRAM	Monolithic SDRAM
SDRAM Density Per Die	16Gb	16Gb
SDRAM Bank Groups	8	8
SDRAM Banks Per Bank Group	4	4
Second SDRAM Package Type
Second SDRAM Density Per Die
Second SDRAM Column Address Bits
Second SDRAM Row Address Bits
Second SDRAM Device Width
Second SDRAM Bank Groups
Second SDRAM Banks Per Bank Group
First SDRAM RFM RAAMMT	0X (FGR: 0X)	0X (FGR: 0X)
First SDRAM RFM RAAIMT	0 (FGR: 0)	0 (FGR: 0)
First SDRAM RFM Required	no	no
First SDRAM RFM RAA Counter Decrement per REF command	RAAIMT / 2	RAAIMT / 2
Second SDRAM RFM RAAMMT
Second SDRAM RFM RAAIMT
Second SDRAM RFM Required
Second SDRAM RFM RAA Counter Decrement per REF command
First SDRAM ARFM Level A RAAMMT	0X (FGR: 0X)	0X (FGR: 0X)
First SDRAM ARFM Level A RAAIMT	0 (FGR: 0)	0 (FGR: 0)
First SDRAM ARFM Level A supported	no	no
First SDRAM ARFM Level A RAA Counter Decrement per REF command	RAAIMT / 2	RAAIMT / 2
Second SDRAM ARFM Level A RAAMMT
Second SDRAM ARFM Level A RAAIMT
Second SDRAM ARFM Level A supported
Second SDRAM ARFM Level A RAA Counter Decrement per REF command
First SDRAM ARFM Level B RAAMMT	0X (FGR: 0X)	0X (FGR: 0X)
First SDRAM ARFM Level B RAAIMT	0 (FGR: 0)	0 (FGR: 0)
First SDRAM ARFM Level B supported	no	no
First SDRAM ARFM Level B RAA Counter Decrement per REF command	RAAIMT / 2	RAAIMT / 2
Second SDRAM ARFM Level B RAAMMT
Second SDRAM ARFM Level B RAAIMT
Second SDRAM ARFM Level B supported
Second SDRAM ARFM Level B RAA Counter Decrement per REF command
First SDRAM ARFM Level C RAAMMT	0X (FGR: 0X)	0X (FGR: 0X)
First SDRAM ARFM Level C RAAIMT	0 (FGR: 0)	0 (FGR: 0)
First SDRAM ARFM Level C supported	no	no
First SDRAM ARFM Level C RAA Counter Decrement per REF command	RAAIMT / 2	RAAIMT / 2
Second SDRAM ARFM Level C RAAMMT
Second SDRAM ARFM Level C RAAIMT
Second SDRAM ARFM Level C supported
Second SDRAM ARFM Level C RAA Counter Decrement per REF command
sPPR Granularity	bank group	bank group
sPPR Undo/Lock	supported	supported
Burst length 32	not supported	not supported
MBIST/mPPR	not supported	not supported
mPPR/hPPR Abort	not supported	not supported
PASR	not supported	not supported
DCA Types Supported	Device supports DCA for 4-phase internal clock(s)	Device supports DCA for 4-phase internal clock(s)
x4 RMW/ECS Writeback Suppression	not supported	not supported
x4 RMW/ECS Writeback Suppression MR selector	MR9	MR9
Bounded Fault	not supported	not supported
SDRAM Nominal Voltage, VDDQ	1.1V	1.1V
SDRAM Nominal Voltage, VPP	1.8V	1.8V
Cyclical Redundancy Code (CRC) for Base Configuration	9d1a	9d1a
XMP Attributes
XMP version	3.0	3.0
PMIC Vendor ID	8A8C	8A8C
Number of PMICs on DIMM	1	1
PMIC capabilities
PMIC has capabilities for OC functions	Yes	Yes
Current PMIC OC is enabled	Yes	Yes
PMIC voltage default step size	5mV	5mV
OC global reset functions	No	No
Validation and Certification Capabilities
DIMM is self-certified by DIMM vendor	No	No
PMIC Component is validated by Intel AVL level	No	No
XMP revision	1.2	1.2
XMP Profile 1
Profile name	TG-7200-34-42-84	TG-7200-34-42-84
XMP Certified	No	No
Recommended number of DIMMs per channel	1	1
Module VPP voltage	1.80V	1.80V
Module VDD voltage	1.40V	1.40V
Module VDDQ voltage	1.40V	1.40V
Memory Controller voltage	1.10V	1.10V
Clock speed (MHz)	3610	3610
Transfer Speed (MT/s)	DDR5-7220	DDR5-7220
Bandwidth (MB/s)	PC5-28800	PC5-28800
Minimum clock cycle time, tCK (ns)	0.277	0.277
Supported CAS latencies	34	34
Minimum CAS latency time, tAA (ns)	9.418	9.418
Minimum RAS to CAS delay time, tRCD (ns)	11.634	11.634
Minimum row precharge time, tRP (ns)	11.634	11.634
Minimum active to precharge time, tRAS (ns)	23.268	23.268
Supported timing at highest clock speed	34-42-42-84	34-42-42-84
Minimum Active to Auto-Refresh Delay, tRC (ns)	34.902	34.902
Minimum Write Recovery Time, tWR (ns)	30.000	30.000
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Delay, tRFC1 (ns)	295.000	295.000
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Delay, tRFC2 (ns)	160.000	160.000
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Delay, tRFCsb (ns)	130.000	130.000
Minimum Read to Read Command Delay Time, Same Bank Group, tCCD_L (ns)	0.000 (0 nCK)	0.000 (0 nCK)
Minimum Write to Write Command Delay Time, Same Bank Group, tCCD_L_WR (ns)	0.000 (0 nCK)	0.000 (0 nCK)
Minimum Write to Write Command Delay Time, Second Write not RMW, Same Bank Group, tCCD_L_WR2 (ns)	0.000 (0 nCK)	0.000 (0 nCK)
Minimum Write to Read Command Delay Time, Same Bank Group, tCCD_L_WTR (ns)	0.000 (0 nCK)	0.000 (0 nCK)
Minimum Write to Read Command Delay Time, Different Bank Group, tCCD_S_WTR (ns)	0.000 (0 nCK)	0.000 (0 nCK)
Minimum Active to Active Command Delay Time, Same Bank Group, tRRD_L (ns)	0.000 (0 nCK)	0.000 (0 nCK)
Minimum Read to Precharge Command Delay Time, tRTP (ns)	0.000 (0 nCK)	0.000 (0 nCK)
Minimum Four Activate Window, tFAW (ns)	0.000	0.000
Advanced Memory Overclocking Features
Real-Time Memory Frequency Overclocking	Not supported	Not supported
Intel Dynamic Memory Boost	Not supported	Not supported
System CMD Rate Mode	2N	2N
Vendor Personality Byte	0x00	0x00
XMP Profile 2
Profile name	TG-6000-38-38-78	TG-6000-38-38-78
XMP Certified	No	No
Recommended number of DIMMs per channel	1	1
Module VPP voltage	1.80V	1.80V
Module VDD voltage	1.25V	1.25V
Module VDDQ voltage	1.25V	1.25V
Memory Controller voltage	1.10V	1.10V
Clock speed (MHz)	3000	3000
Transfer Speed (MT/s)	DDR5-6000	DDR5-6000
Bandwidth (MB/s)	PC5-24000	PC5-24000
Minimum clock cycle time, tCK (ns)	0.333	0.333
Supported CAS latencies	38	38
Minimum CAS latency time, tAA (ns)	12.654	12.654
Minimum RAS to CAS delay time, tRCD (ns)	12.654	12.654
Minimum row precharge time, tRP (ns)	12.654	12.654
Minimum active to precharge time, tRAS (ns)	25.974	25.974
Supported timing at highest clock speed	38-38-38-78	38-38-38-78
Minimum Active to Auto-Refresh Delay, tRC (ns)	38.628	38.628
Minimum Write Recovery Time, tWR (ns)	30.000	30.000
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Delay, tRFC1 (ns)	295.000	295.000
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Delay, tRFC2 (ns)	160.000	160.000
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Delay, tRFCsb (ns)	130.000	130.000
Minimum Read to Read Command Delay Time, Same Bank Group, tCCD_L (ns)	0.000 (0 nCK)	0.000 (0 nCK)
Minimum Write to Write Command Delay Time, Same Bank Group, tCCD_L_WR (ns)	0.000 (0 nCK)	0.000 (0 nCK)
Minimum Write to Write Command Delay Time, Second Write not RMW, Same Bank Group, tCCD_L_WR2 (ns)	0.000 (0 nCK)	0.000 (0 nCK)
Minimum Write to Read Command Delay Time, Same Bank Group, tCCD_L_WTR (ns)	0.000 (0 nCK)	0.000 (0 nCK)
Minimum Write to Read Command Delay Time, Different Bank Group, tCCD_S_WTR (ns)	0.000 (0 nCK)	0.000 (0 nCK)
Minimum Active to Active Command Delay Time, Same Bank Group, tRRD_L (ns)	0.000 (0 nCK)	0.000 (0 nCK)
Minimum Read to Precharge Command Delay Time, tRTP (ns)	0.000 (0 nCK)	0.000 (0 nCK)
Minimum Four Activate Window, tFAW (ns)	0.000	0.000
Advanced Memory Overclocking Features
Real-Time Memory Frequency Overclocking	Not supported	Not supported
Intel Dynamic Memory Boost	Not supported	Not supported
System CMD Rate Mode	2N	2N
Vendor Personality Byte	0x00	0x00
EXPO Attributes
EXPO version	1.0	1.0
PMIC feature support
PMIC 10 mV step size support	No	No
EXPO Profile 1
DIMMs per channel supported	1	1
EXPO Optional Block Support
Block 1 enabled	Yes	Yes
SDRAM VDD	1.40V	1.40V
SDRAM VDDQ	1.40V	1.40V
SDRAM VPP	1.80V	1.80V
Clock speed (MHz)	3610	3610
Transfer Speed (MT/s)	DDR5-7220	DDR5-7220
Bandwidth (MB/s)	PC5-28800	PC5-28800
Minimum clock cycle time, tCK (ns)	0.277	0.277
Minimum CAS latency time, tAA (ns)	9.418	9.418
Minimum RAS to CAS delay time, tRCD (ns)	11.634	11.634
Minimum row precharge time, tRP (ns)	11.634	11.634
Minimum active to precharge time, tRAS (ns)	23.268	23.268
Supported timing at highest clock speed	34-42-42-84	34-42-42-84
Minimum Active to Auto-Refresh Delay, tRC (ns)	34.902	34.902
Minimum Write Recovery Time, tWR (ns)	30.000	30.000
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Delay, tRFC1 (ns)	295.000	295.000
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Delay, tRFC2 (ns)	160.000	160.000
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Delay, tRFCsb (ns)	130.000	130.000
Minimum Active to Active Command Delay Time, Same Bank Group, tRRD_L (ns)	5.000	5.000
Minimum Read to Read Command Delay Time, Same Bank Group, tCCD_L (ns)	5.000	5.000
Minimum Write to Write Command Delay Time, Same Bank Group, tCCD_L_WR (ns)	20.000	20.000
Minimum Write to Write Command Delay Time, Second Write not RMW, Same Bank Group, tCCD_L_WR2 (ns)	10.000	10.000
Minimum Four Activate Window, tFAW (ns)	8.888	8.888
Minimum Write to Read Command Delay Time, Same Bank Group, tWTR_L (ns)	10.000	10.000
Minimum Write to Read Command Delay Time, Different Bank Group, tWTR_S (ns)	2.500	2.500
Minimum Read to Precharge Command Delay Time, tRTP (ns)	7.500	7.500

Es ist egal was im SPD gespeichert ist. Egal ob 4800BN, 5600B, 8800B.

Die Hersteller wie Gskill, Teamgroup, etc. kaufen ihre ICs in großen Trays ein (--> so günstig wie möglich) und binnen diese selber.
Das 5600er Profil von Teamgroup entspricht keiner JEDEC Norm und ist deshalb selbst von Teamgroup definiert.
Du müsstest dein Heatsink abmachen und schauen, ob der IC ein Class V oder A ist. Das kann etwas über die Qualität sagen, bei den Mengen was aber zurzeit im Umlauf sind oder auch die letzten Jahre gebinnt wurde, muss es das aber nicht.
6000C26 ob 16GB oder 24Gb sind beides Class V. Evtl. gibt es da draußen noch Class A die noch besser sind, der Yield ist aber so klein das sich ein Verkauf nichtmal lohnen würde.

Kurzgesagt: selber binnen und bewerten. Was im SPD steht, ist egal.

Beitrag automatisch zusammengeführt: 23.07.2025

fclk auf 2500 mit sehr moderater vsoc mit einem 8400f.
habe ich bisher nicht so oft gesehen, nur deshalb mal gezeigt.


Anhang anzeigen 1127003


Anhang anzeigen 1127005

hci memtest stabil. das setting ist nicht tm5 getestet.
bei den tm5 90 min testversuchen hatte ich dreimal erfolg, jedoch mit anderen 6200er settings. alle weiteren versuche endeten mit einem späten error alle nach >50 min und bei >50°C. ich interpretiere das als temp-grenze bei ansonsten stabilen settings. wie auch immer, ich lass das vorerst so laufen...

FCLK mit P95 oder YCruncher testen. Dann hast du eine Aussage über die Stabilität.
Meist wenn TM5 spät Fehler wirft liegt es an einem tick zu wenig VDD. Also um 0.01V anpassen. VDDIO unter 1,1V macht keinen Sinn. Es ist lediglich die I/0 Spannung -> gleiches gilt auf Mem Seite für VDDQ. Zu niedrig = weniger Performance.
Spannungen erst dann Anpassen, wenn das Setup stabil ist und nicht während man FCLK oder Timings anpasst. -> Zu viele Stellschrauben = mühsame Fehlersuche

 

[Lord_Melchior]

Hi,

welchen RAM würdet Ihr kaufen, rein von der Leistung:

Kingston Fury Renegade RGB KF580C36RLAK2-48

G.Skill Trident Z5 NEO RGB F5-6000J2636H24GX2-TZ5NRW leider aktuell nicht kaufbar.

Aktuell habe ich ein 9800x3D mit Asus B650E-E Board. Würde der Fury da auch 6000MHz@CL26 bzw 28 packen?.

Vermutlich ist der besser da er neuer ist oder?

THX

 

[ApolloX]

Vermutlich ist der besser da er neuer ist oder?

Das ist ja mal garkeine sinnvolle Schlussfolgerung.

Zunächst ist mal die Frage, ob du 1:1, also 6000er oder 2:1, also 8000er willst.
6000-30 schaffen beide und der Rest hängt viel mehr von deiner CPU als den Riegeln ab.

Ich würd immer zum GSkill greifen, weil der den besseren Spannungscontroller hat. Und die 6000-26 sind schon sehr gute Riegel, wähend 8000er Abenteuer beim Ryzen nicht so viel (mehr) bringen.

 

[Lord_Melchior]

Das ist ja mal garkeine sinnvolle Schlussfolgerung.

Zunächst ist mal die Frage, ob du 1:1, also 6000er oder 2:1, also 8000er willst.
6000-30 schaffen beide und der Rest hängt viel mehr von deiner CPU als den Riegeln ab.

Ich würd immer zum GSkill greifen, weil der den besseren Spannungscontroller hat. Und die 6000-26 sind schon sehr gute Riegel, wähend 8000er Abenteuer beim Ryzen nicht so viel (mehr) bringen.

Ich weiss das es keine sinnvolle Schlussfolgerung ist - Die Fury sind halt schon seit so 2 Jahren am Markt. Die GSkill werde ich wohl nehmen. Die Fury sind nur gerade im "Angebot" müsste ich halt zeitnah kaufen.

RAM mit CUDIMM (mit Clock Driver) zu holen für späteren Zen 6 Kern ist wahrscheinlich auch zu früh, auch wenn die aktuell im Ryzen System im Bypass Modus laufen.

 

[ApolloX]

Hey, also zuerst fragen, ob ein Modell zu alt ist und dann fragen, ob man bereits RAM für eine nicht existierende CPU kaufen soll. Da müssen wir wohl beide etwas lachen.

 

[Lord_Melchior]

Gibt halt aktuell paar Möglichkeiten beim RAM-Kauf. Ich habe mich auch nach der PC Games Hardware-Liste gerichtet, sie haben aktuell recht oft das RAM Thema.

 

[XST3RN]

PC Games Hardware

 

[ThunderXX80]

@Lord_Melchior :
Die Kingston würde ich nicht nehmen. Das Mindeste wären 6000er CL30. Die Gskill 6000 CL26 sind die besten Module, die es aktuell gibt. CUDIMM ist ne Überlegung wert, aber man weiß ja nicht, ob AMD bei Zen6 den IMC wieder verbockt (wie bei Zen4+5). Der aktuelle IMC von den Single CCD CPUs limitiert ja lange bevor ein Board oder der Hynix RAM an seine Grenzen kommt.
Aktuell bist du mit Modulen mit A-Die Chips ohne Clock Druver optimal versorgt. Was AMD mit Zen6 bringt, weiß niemand, somit kann man schwer zukunftssicher einkaufen.
LG

 

[Gr3yh0und]

Man muss auch bedenken, dass bis dahin noch etwas Zeit ins Land geht. Zukunftssicherer zu kaufen aber 1+ Jahr(e) suboptimal zu fahren ist auch so naja. Wenn man dann eh upgraded ist das Setup zusammen ja immernoch valide, auch für Gebrauchtkäufer.

Fahr ein günstigeres 6000er CL28 Kit mit Expo bis man genaueres weiß nächstes Jahr.

 

[Roak]

Aktuell meine Config, GMD off läuft aber mismatch bei tPHYRDL mit 35/37. Komme nicht mehr weiter, wäre nice wenn da jemand drüberschaut.

 

[Vince96]

Aktuell meine Config, GMD off läuft aber mismatch bei tPHYRDL mit 35/37. Komme nicht mehr weiter, wäre nice wenn da jemand drüberschaut.

GDM off
Missmatch ist eig. egal.
Mit mehr CLDO_VDDP lässt sich der Missmatch i.d. Regel beheben. ->5 oder 10mV Schritte

tRP kannst du runter auf 34 oder 32
tWTRS = 4
tWRTL = 16
tWRWRSCL = 1 oder 2

 

[Vince96]

84C30 mit M-Die ist schon wild

 

[Holzmann]

84C30 mit M-Die ist schon wild

Wo hast du das kit her?

 

[HardyEbw]

@Vince96 Das ist geil.😉

Ich habe heute Morgen einige Zeit verschwendet, meinen FCLK in Abhängigkeit von der VDDG zu erhöhen.
Erfolg nein, Erfahrung gesammelt ja. Anscheinend kann VDDG deutlich niedriger sein, als es das Mainboard auf AUTO einstellt.
Über FCLK 2133 komme ich nicht stabil, aktuell läuft nicht einmal mehr das ohne Fehler. 2167 bootet, 2200 bootet nicht einmal.

Frage zu den Widerständen:
Stellt ihr diese manuell ein oder bleibt das auf AUTO und macht das dann das Mainboard?
Mir sind an der Stelle Unterschiede zwischen verschiedenen Usern aufgefallen, welche entweder manuell gesetzt wurden (...oder werden mussten?), oder von verschiedenen Mainboards herrühren.

 

[Felix the Cat]

Wo hast du das kit her?

Das ist das 48GB 6000CL26 Kit von G.Skill.
Also ganz normal in einem Shop gekauft.

 

[Holzmann]

Klar aber die sind seit Monaten nicht lieferbar.

 

[Vince96]

Klar aber die sind seit Monaten nicht lieferbar.

Ich habs Anfang Juni bestellt

Beitrag automatisch zusammengeführt: 31.07.2025

Frage zu den Widerständen:
Stellt ihr diese manuell ein oder bleibt das auf AUTO und macht das dann das Mainboard?
Mir sind an der Stelle Unterschiede zwischen verschiedenen Usern aufgefallen, welche entweder manuell gesetzt wurden (...oder werden mussten?), oder von verschiedenen Mainboards herrühren.

am besten lässt man diese auf Auto stehen. Der Mainboard Hersteller weiß am besten was er tut.

 

[Holzmann]

Ich habs Anfang Juni bestellt

krass wo konnte man das Kit bestellen?