[Sammelthread] RAM OC mit 2nd Gen Ryzen

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Wenn der Ram & die CPU aus der Signatur stimmt, dann reicht für 3200 VSoc = 1V. VDimm 1.3 - 1.32V. Aber die TRFC ist schon sehr knapp gesetzt, da würde ich bei Problemen bei 333 anfangen. tRRDS, tRRDL & tFAW auf 6,8,24. tWTRS, tWTRL & tWR auf 4,12,12. Dann kannst Du das immer noch so straff setzen wenn es stabil ist. tRTP & tRDWR auf 8,8.

also vsoc senkung hat mir leider nichts gebracht um 3200m stabil zu bekommen :( - also mit dem calculator 3200 safe settings ging irgendwie nichts stabil auch diverse vsoc getested sowie mjeweils die 1.405v und 1.45v Vdimm. Andere CAD_BUS einstellungen haben leider auch keine was gebracht (weder die 24 oder 30er reihe oder sie gesteigerte reihe). mit den 3133 funktionieren auch nur 20 stabil.
Zum verzweifeln - glaube bekomme atm eher 3133 CL12 mit den teilen hin als 3200 CL14...

Anhang anzeigen 439410
 
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@Atlan1980: Naja das sind ja auch die 3133 settings die stabil 12k% Kahu sind Da läuft halöt auch mit dem knackigen tRFC stable. Werde morgen mal dein vorschlag angehen und berichten. 1.405v DIM hab ich ja nur zum testen dran das zumindest es nicht an der spannung liegt das es OC nicht klapp. Da würde ich erst wenn der rest stable ist halt dann wirklich ausloten.
 
@Atlan1980 danke hat funktioniert mit folgenden einstellungen läufts stable mit folgenden werten:

Unbenannt.png

nun heißts wohl finetuning - wobei ich fast die lust verspüre nochmal 3333/3400 vorher zu testen ;)
 
Ich teste immer mit Karhu MemTest auf über 8000%.
Das ist etwas besser ist als die 800% mit HCI ;)
.

Ohne jetzt wieder irgendwelche Diskussionen loszutreten.....Karhu nehme ich für das grobe, hci für das finetuning.

Karhu lief bei mir schon 30k% fehlerfrei und hci nach fand aber nach 270% Fehler .....natürlich bei den gleichen Einstellungen.

Bin gerade CL14 bei 3400mhz zu testen.....hat mein FlarreX nicht geschafft
 
Ist bei mir aber genauso. Zu hohe Ram oder Soc Spannung führt zu Instabilitäten. Temperatur schließe ich aus, da sie nicht über 40 Grad warm werden (Lüfter über den Rams).
 
Ryzen DRAM Calculator 1.3.0.zip - Google Drive
changelog:
* added initial support Hynix CFR (18nm), Micron E-die (16nm)
* substantially reworked most of the presets (timings, procODT, RTT, voltages)
* the "custom profile" now works a little differently, in most cases the XMP data is simply not compatible with Ryzen, so some timings are calculated according to a special algorithm. My opinion, importing a profile in most cases will not be successful anyway, AMD and Intel controllers have huge architectural differences and signal tolerances.
* combined Samsung e-die / d-die (v1 profile d-die, v2 - e-die)
* Extreme preset got a new life (I remind you that any memory requires additional cooling, if the memory heats above 52 degrees the system loses stability. AMD I have notified.)
* Overclocking potential DRAM is back for samsung b-die (for other chips, support will be added later)
* the combination for procODT + RTT now has more accurate recommendations for frequencies, with a change in frequency, these parameters change
* some items have been removed (for example, the recommendations have become smaller, DQS str + Data drive has been removed because most motherboards do not have these settings. These settings work only on ASUS CH6 / 7)
* new AGESA brought some changes in the power supply (PMU) for SOC / DRAM, the difference between generations of processors I did not see, because the choice of processor generation was removed
* appeared protection from stupid situations, when memory is not capable of working at the desired frequency, but the calculator gives suggestions
* added Help tab with 4 button (Overclocking Statistics + Information support)
* in the folder with the program now there is a picture, it is a methodical tool to help you set up the system
* adaptation for older versions of Windows
* small UI changes
* bug fixing

news and some important information:
A huge amount of time was spent on testing, because of this I had to delay the release of the new version. There is a problem you need to know about. Timing tFAW in most cases does not have a fixed time, the rule tFAW = tRRDS * 4 does not work, this timing must be selected manually. For example, 3666 I have stable only at tFAW = 27, and 3333 at tFAW = 17.

There is also a nuance, not all motherboards of the X470 generation received a new bus topology. The difference is in procODT, for example 3666, I can make it work with procODT 48, but some cards require procODT 60. In case of failure, you need to check the neighboring values of procODT.

AGESA 1.0.0.4c has an improvement in DRAM overclocking, at the moment AMD strives to ensure that most of the key settings work perfectly in automatic mode. First of all it concerns CAD_BUS. The values 24 24 24 24 are relevant for single rank. The release of the final bios is scheduled for the end of July.

At the moment, AMD has provided the developers of motherboards with a new AGESA 1.0.0.5. In addition to the Specter 2 patch, it is not known what it provides yet.
 
Das höre ich auch zum ersten mal. Wahrscheinlich wird dein RAM zu warm, da Samsung B-Die sehr gut auf die VDimm reagieren

Bei Intel ist eine hohe vDimm nur in Verbindung mit einer hohen System Agent bzw. VCCIO Spannung möglich. Alles ab 1,48v ist sonst instabil auf Dauer. Nicht nur temperaturbedingt.

B-Die fühlt sich im Alltag bei 1,400-1,440v am wohlsten, wenn die Temperatur stimmt.

Ich zitiere mal meinen Beitrag von damals:

Hab die Ergebnisse jetzt alle vorliegen bezüglich der vDimm.
Ab 1,48v kann man Stabilität vergessen. Das Optimum liegt bei mir bei ca 1,435-1,445v (Bios).
Sämtliche Angaben hier sind Bios-Werte. Real liegen 0-10mv mehr an bei meinem Maximus X Hero.
Habe alle schnellen Fehler doppelt getestet um den Einfluss von dummen Zufällen oder Messungenauigkeiten zu minimieren.

1,52v -> Fehler nach ~145% (157% / 133%)
1,51v -> Fehler nach ~255% (269% / 240%)
1,50v -> Fehler nach ~131% (29% / 232%)
1,49v -> Fehler nach ~345% (360% / 329%)
1,48v -> Fehler nach ~331% (288% / 374%)
1,47v -> Fehler nach 1249%
1,46v -> Fehler nach 1018%
1,45v -> Fehler nach 1582%
1,44v -> keine Fehler nach 2000%


1,52v


1,51v


1,50v


1,49v


1,48v


1,47v


1,46v


1,45v


1,44v (fehlerfrei)
 
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hmm woher nimmt der ryzen caculator 1.3 das "Overclockinmg Potential DRAM"

hab da quali 93%
potenzial 3674 CL14

und interressant das man mit UHQ memory, was meiner anscheinend ist an manchen stellen eher runter als rauf gehen soll imgegesatz zu standart riegeln
 
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Aus deinem binning cl*2000/taktfrequenz gibt nanosekunden. Je niedriger die zeit umso besser ist dein ram getestet worden... zb 15*2000/3600 =8,33ns (3600c15 Bin UHQ) oder typisches beispiel 14*2000/3200 = 8,75ns (3200 c14 Bin HQ ). Aus diesen ns lässt sich etwa die richtung abschätzen was der ram machen könnte.
 
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also hab ich ähnlich guten ram, welcher aber nur der 3600 c16 ist bei mir? o_O
 
Aus deinem binning cl*2000/taktfrequenz gibt nanosekunden. Je niedriger die zeit umso besser ist dein ram getestet worden... zb 15*2000/3600 =8,33ns (3600c15 Bin UHQ) oder typisches beispiel 14*2000/3200 = 8,75ns (3200 c14 Bin HQ ). Aus diesen ns lässt sich etwa die richtung abschätzen was der ram machen könnte.

Gut danke für die info
 
Speicher zu warm denke ich nicht, aber Zweiteres schon eher. Ist halt bloß ein ASRock AB350M Pro4 und kann VDimm bloß in 0,05V Schritten verstellen und nur bis 1,4V. Allerdings hatte curious auch schon bei (glaube) C6H oder C7H aufgezeigt, dass es schlechte Spannungsstufen und gute gibt.
1usmus hat das irgendwo mal in einer Tabelle für das C6H festgehalten und mit einem ASRock X370 Taichi verglichen. Ich kann die Tabelle zwar gerade nicht finden, aber erinner mich, dass das ziemlich deckungsgleich mit meinen Erfahrungen war. Das Taichi hatte laut 1usmus diese Löcher des C6H bei der vDIMM nicht.


Bei Intel ist eine hohe vDimm nur in Verbindung mit einer hohen System Agent bzw. VCCIO Spannung möglich. Alles ab 1,48v ist sonst instabil auf Dauer. Nicht nur temperaturbedingt.
B-Die fühlt sich im Alltag bei 1,400-1,440v am wohlsten, wenn die Temperatur stimmt.
Kann ich auf Ryzen übertragen bestätigen. Unterhalb von 1.385v fange ich gar nicht erst an mit B-die zu hantieren.
Hohe DRAM und SOC Spannungen gehen zumindest auf dem C6H Hand in Hand. Je höher der Bedarf des RAMs an Spannung desto höher der Spannungsbedarf des IMC. Das skaliert nicht unbedingt linear und wahrscheinlich nicht einmal kausal miteinander, aber eine gewisser Gleichschritt ist erkennbar. Das äußerst sich darin, dass RAM bei entweder erhöhter vDIMM oder erhöhter vSOC eher instabiler wird, während bei höherem Takt die gleiche aber gemeinsame Erhöhung der Spannungen zu einem Stabilitätsplus führt. Dabei ist die vSOC problematischer als die vDIMM. Allgemein sollten beide Spannungen zumindest in den Extrembereichen so niedrig wie notwendig gehalten werden. Dort kommt es auf die Feinabstimmung zwischen "Ermöglichung" und "Entlastung" an. Die Holzhammer-Methode führt selten zum Ziel.


Ohne jetzt wieder irgendwelche Diskussionen loszutreten.....Karhu nehme ich für das grobe, hci für das finetuning.
Karhu lief bei mir schon 30k% fehlerfrei und hci nach fand aber nach 270% Fehler .....natürlich bei den gleichen Einstellungen.
HCI MemTest verwende ich gar nicht mehr. Ich hab zur Jahreswende beide Tools für ein paar Wochen parallel genutzt und irgendwann keinerlei Grund mehr gesehen, HCI weiter zu nutzen. Gerade was das Feintuning anbelangt, hat sich Karhu ob der viel höheren Geschwindigkeit und der besseren "Reproduzierbarkeit" für mich absolut empfohlen.


Aus deinem binning cl*2000/taktfrequenz gibt nanosekunden. Je niedriger die zeit umso besser ist dein ram getestet worden... zb 15*2000/3600 =8,33ns (3600c15 Bin UHQ) oder typisches beispiel 14*2000/3200 = 8,75ns (3200 c14 Bin HQ ). Aus diesen ns lässt sich etwa die richtung abschätzen was der ram machen könnte.
Verlassen kann man sich auf diese Werte aber leider nicht. Ich hatte jetzt schon einige Riegel (als Teile eines Kits), die diesen Angaben relativ zum tatsächlichen OC Potenzial (unter Ryzen) nicht annähernd gerecht wurden.


Ryzen DRAM Calculator 1.3.0.zip - Google Drive
changelog:
* added initial support Hynix CFR (18nm), Micron E-die (16nm)
* substantially reworked most of the presets (timings, procODT, RTT, voltages)
* the "custom profile" now works a little differently, in most cases the XMP data is simply not compatible with Ryzen, so some timings are calculated according to a special algorithm. My opinion, importing a profile in most cases will not be successful anyway, AMD and Intel controllers have huge architectural differences and signal tolerances.
* combined Samsung e-die / d-die (v1 profile d-die, v2 - e-die)
* Extreme preset got a new life (I remind you that any memory requires additional cooling, if the memory heats above 52 degrees the system loses stability. AMD I have notified.)
* Overclocking potential DRAM is back for samsung b-die (for other chips, support will be added later)
* the combination for procODT + RTT now has more accurate recommendations for frequencies, with a change in frequency, these parameters change
* some items have been removed (for example, the recommendations have become smaller, DQS str + Data drive has been removed because most motherboards do not have these settings. These settings work only on ASUS CH6 / 7)
...
Ich hab mir den neuen Calculator kurz angesehen und bin etwas verwundert:
  1. Kein Support mehr für Summit Ridge: die Empfehlungen für die vSOC beziehen sich ausschließlich auf Pinnacle Ridge. Eine Auswahl der verschiedenen Generationen wird nicht mehr angeboten.
  2. Die Empfehlung für SR B-die ist jetzt procODT=43,6 Ohm und 53 Ohm kommt nach 48 Ohm erst an dritter Stelle. Viel Glück damit!!*
  3. Die Empfehlung für SR B-die ist jetzt RttNom=off. Das erinnert sehr an die kurze Verirrung von 1usmus als er durchgängig RZQ/5 empfohlen hat. Damit war er schwer auf dem Holzweg und mit "off" liegt er auch diesmal daneben, zumal er keine Alternativen anbietet. Am Ende wird sich wieder RZQ/7 durchsetzen. Ich hab 4 Boards, 5 Summit Ridges und mehr RAM durch als ich zählen kann. RZQ/7 hat immer gewonnen. Das heißt nicht, dass das allgemeingültig ist, aber die Masse wird RZQ/7 brauchen.*
  4. 4xDR B-die kann man bis auf DDR4-4200 ausrechnen lassen, aber 4xSR nur bis DDR4-3466??! :fresse:
  5. Samsung OEM Riegel werden nicht nach Chiptyp unterschieden. 4GBit D- und E-die werden mit 8GBit B- und C-die zusammengeworfen, dabei bestehen größte Unterschiede zwischen den verschiedenen ICs.
  6. Hynix 18nm CFR werden aufgeführt. Ich hoffe das entpuppt sich nicht wieder als der gleiche Blindgänger wie die in S-die umgelabelten Samsung E- und B-die und irgendjemand kann tatsächlich eine Nachweis der CFR erbringen. -> emi??
  7. die Empfehlung für das Refresh Intervall (tRFC) ist im SAFE Setting zu niedrig. Auf manchen Boards braucht man höhere Werte.
    Hab die Alt recommendations übersehen. Die sind trotzdem noch seehr knapp.
*diese Aussagen mache ich auf Basis meiner Erfahrungen mit Summit Ridge und X370. Mögliche Abweichungen zu Pinnacle Ridge kann ich nicht ausschließen.
 
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kann tatsächlich eine Nachweis der CFR erbringen. -> emi??
Jain, bestätigt und im Handel verfügbar sind Hynix 8Gbit CJR was wohl die finale "C-Die" Revision bleibt:

Produktseite @ Hynix: HMA851U6CJR6N @ SK Hynix / H5AN8G8NCJR SK Hynix
PDF Datenblatt: https://www.skhynix.com/product/filedata/fileDownload.do?seq=7742
Preisvergleich:
 
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So mich jetzt mal mit 4 SR Riegeln beschäftigt da mein neues c6h sich anders als mein altes bei DR Ram verhält?!
Vorläufiges Ergebnis aber mit Lüfter vor dem Rams ohne keine Chance es stabil zu bekommen...
 
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Was bei dem Calculator viele vergessen, ist dass es nur eine Empfehlung ist und keine exakte Vorgabe. Die Realität sieht anders aus bzw letzendlich muss jeder trotzdem für sich selbst die beste Einstellungen finden.
Mein 2700x braucht nach ersten Tests zb für 3333 nur 0.90v Soc, laut Calculator 1.025v - 1.05v.
Ich bleib lieber beim alten Stil und teste alles selbst durch :)

Meine 3600C19 Hynix lassen leider auf sich warten... sonst hätte ich wieder was zum testen.


Offtopic
Und in manchen Sachen ist 1usmus echt Beratungsresistent :d
 
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Ohne jetzt wieder irgendwelche Diskussionen loszutreten.....Karhu nehme ich für das grobe, hci für das finetuning.
Karhu lief bei mir schon 30k% fehlerfrei und hci nach fand aber nach 270% Fehler .....natürlich bei den gleichen Einstellungen.
Bin gerade CL14 bei 3400mhz zu testen.....hat mein FlarreX nicht geschafft

Ich habe mit HCI auf über 400% nachgetestet und das bei unangenehmen 29° Raumtemperatur :bigok:
Das sollte stabil sein ;)

Unbenannt3.jpg Anhang anzeigen 439230

Nachtrag: Beim testen hatte ich auch einmal den Lüfter-Bug und meine Lüfter sind auf das Minimum von 600 RPM runtergegangen.
Dabei lief der RAM sogar 20 Minuten stabil auf 56° weiter :hmm: ehe ich es bemerkt habe und den Rechner neugestartet habe .......
 
Zuletzt bearbeitet:
Nach meinen anfänglichen Problemen, irgendein Setup stabil zu bekommen, fahre ich derzeit folgende Einstellungen:

System:

Ryzen 2700
G.Skill Trident Z 3600er CL16
ASUS x470-i Strix
Corsair SF450
DanCase A4

3333/CL14, Ryzen DRAM Calculator Profil V1 safe bei VSoC 1.025V, VDimm 1.375V; >20h Aida64 stabil



3333/CL14, Ryzen DRAM Calculator Profil V1 fast bei VSoC 1.0375V, VDimm 1.4V; ca. 7h Aida64 stabil



Wäre schön, wenn ich 3333/CL14 fast noch stabil bekomme, die Latenz ist noch etwas hoch in meinen Augen. Bisher variiert habe ich die VDimm zwischen 1.375...1.4V, VSoC von 1.0125...1.0375V. Da aber der Stresstest bei gleichen Setup zwischen 20min und 7h stabil läuft, vermute ich, dass das Problem woanders liegt.

Eventuell hat einer von den Experten einen Tipp?!
 
Hier noch mein Ergebnis aus dem PCGH Forum.

32 GB (4x8GB) stabil auf 3533 :love:

Dafür musste ich extrem mit den CAD_Bus- Einstellung herumspielen (30 30 40 60 für Single Rank :hmm:).
Mit niedrigeren Werten bekam ich nach ein paar Minuten immer Fehlermeldungen.

Für 3466 musste ich bereits die CAD_BUS Werte auf 30 30 30 30 stellen.

Anhang anzeigen 439229 Anhang anzeigen 439230

An 3600 beiße ich mir aktuell echt die Zähne aus. Mit 32 GB bekomme ich das aktuell einfach nicht stabil.


finds erstaunlich das du nicht mehr bandbreite hast, weil eigentlich werden ja bei 4 modulen die dinger so angesprochen wie DR speicher mit 2 riegeln o_O aber ok, asus ist bei gleichen timings eh langsamer als asrock, weiss nicht was die da machen das es so ist.

- - - Updated - - -

Nach meinen anfänglichen Problemen, irgendein Setup stabil zu bekommen, fahre ich derzeit folgende Einstellungen:

System:

Ryzen 2700
G.Skill Trident Z 3600er CL16
ASUS x470-i Strix
Corsair SF450
DanCase A4

3333/CL14, Ryzen DRAM Calculator Profil V1 safe bei VSoC 1.025V, VDimm 1.375V; >20h Aida64 stabil



3333/CL14, Ryzen DRAM Calculator Profil V1 fast bei VSoC 1.0375V, VDimm 1.4V; ca. 7h Aida64 stabil


Wäre schön, wenn ich 3333/CL14 fast noch stabil bekomme, die Latenz ist noch etwas hoch in meinen Augen. Bisher variiert habe ich die VDimm zwischen 1.375...1.4V, VSoC von 1.0125...1.0375V. Da aber der Stresstest bei gleichen Setup zwischen 20min und 7h stabil läuft, vermute ich, dass das Problem woanders liegt.

Eventuell hat einer von den Experten einen Tipp?!

mal die soc voltage runtergeschraubt? bei mir wollte alles oberhalb von 3000 nicht stabil laufen mit soc @ default, erst als ich -0.025V probiert hatte lief auch 3466 stabil.

die latenz ist CPU takt abhängig, takte den mal hoch soweit du kannst, du wirst staunen :)

- - - Updated - - -

Was bei dem Calculator viele vergessen, ist dass es nur eine Empfehlung ist und keine exakte Vorgabe. Die Realität sieht anders aus bzw letzendlich muss jeder trotzdem für sich selbst die beste Einstellungen finden.
Mein 2700x braucht nach ersten Tests zb für 3333 nur 0.90v Soc, laut Calculator 1.025v - 1.05v.
Ich bleib lieber beim alten Stil und teste alles selbst durch :)

Meine 3600C19 Hynix lassen leider auf sich warten... sonst hätte ich wieder was zum testen.


Offtopic
Und in manchen Sachen ist 1usmus echt Beratungsresistent :d

nehme den cal nur für eine grobe richtung, nehme von den fast und safe die goldene mitte zum anfangen, und arbeite mich dann immer richtung fast vor... ein paar werte sind schon bei extreme angekommen, andere näher am "safe" geblieben... 1:1 kann man den cal. nicht nutzen, da taugt der nur für die safe timings denke ich, aber alles drüber muss man halt probieren.
 
Meine 3600C19 Hynix lassen leider auf sich warten... sonst hätte ich wieder was zum testen.
Sollen laut 1usmus "CFR" bzw CJR sein. Bin gespannt was Thaiphoon Burner bei deinem Kit ausspuckt ;)
 
@20Inch: VSoC 1,0125V führt nach ca. 1h Stunde zum Error bei AIDA64. 1,0V hat das erste mal zum Blackscreen geführt. Die 1,025 bis 1,0375V können nicht so falsch sein. Ich denke da stört was anderes. Die B-Dies sollten es eigentlich können. Eventuell mehr VDimm?
 
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finds erstaunlich das du nicht mehr bandbreite hast, weil eigentlich werden ja bei 4 modulen die dinger so angesprochen wie DR speicher mit 2 riegeln o_O aber ok, asus ist bei gleichen timings eh langsamer als asrock, weiss nicht was die da machen das es so ist.

Ich weiß es auch nicht. Bei mir scheint es aber das Maximum zu sein mit dem aktuellen BIOS. 3600 bekomme ich einfach nicht stabil.
 
Sollen laut 1usmus "CFR" bzw CJR sein. Bin gespannt was Thaiphoon Burner bei deinem Kit ausspuckt ;)

Hab bisher nur ein Review gefunden und dort waren auch CFR verbaut. Leider wurde der Liefertermin jetzt schon zwei mal verschoben.
Vielleicht halte ich doch mal nach ein paar lieferbaren Samsung C-die ausschau :d
 
Also weder die Erhöhung von Ram-, SoC- oder CPU-Spannung brachte Besserung...
 
Was bei dem Calculator viele vergessen, ist dass es nur eine Empfehlung ist und keine exakte Vorgabe. Die Realität sieht anders aus bzw letzendlich muss jeder trotzdem für sich selbst die beste Einstellungen finden.
Mein 2700x braucht nach ersten Tests zb für 3333 nur 0.90v Soc, laut Calculator 1.025v - 1.05v.
Ich bleib lieber beim alten Stil und teste alles selbst durch :)
Ja, so halte ich es auch. Der Calculator kann einfach nicht alle Unwägbarkeiten abdecken.


Und in manchen Sachen ist 1usmus echt Beratungsresistent :d
Immerhin hat er jetzt endlich tRFC2 und tRFC4 fallen lassen.
 
Ryzen DRAM Calculator 1.3.1 pre-release: Download @ Google Drive
changelog:
* new extreme presets for samsung b-die
* correction procODT+RTT_PARK for samsung b-die, all micron + correction RTT_NOM for all memory
* new V2 profile (low quality chips) for samsung b-die
* added support high frequency for 4 dimm samsung b-die
* added support Hynix AFR/MFR in Overclocking potential DRAM
* pop-up windows are added for some situations
* main recomendation 20 20 20 20 for CAD_BUS is back
* correction some timings in all samsung b-die presets
* some correction in micron e-die preset
* picture "b-die termination" in folder
* bug fix
 
ein wenig an den subtimings gespielt:
 

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