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Samsung plant Fertigung bis auf 4 nm und mit EUV

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samsungSamsung zählt zu einem der führenden Chiphersteller weltweit. Das Unternehmen möchte seine Position nicht verlieren und hat nun die Pläne für die kommenden Jahre bei der Chipproduktion veröffentlicht. Wie die neuste Roadmap zeigt, ist der Hersteller gerade erst von 14- auf den 10-nm-Prozess umgestiegen. Beispielsweise wird der Exynos 8895 für das aktuelle Galaxy S8 des Herstellers schon im 10-nm-Prozess produziert. Dadurch konnte laut dem Hersteller einerseits die Leistung um 27% gesteigert werden und gleichzeitig der Energiehunger um 40% gegenüber dem Vorgänger reduziert werden.

Für die Zukunft sieht Samsung die Entwicklung im Bereich der Chipproduktion etwas langsamer als bisher. Als nächster Schritt steht der Umstieg auf 8 Nanometer an. Hier soll die Gate-Dichte nochmals gesteigert werden und damit die Leistung der Chips weiter ansteigen. Mit der genutzten Technik sei es Samsung allerdings nicht mehr möglich, noch kleinere Strukturbreiten zu erreichen und deshalb sei der 8-nm-Prozess der kleine Produktionsprozess mit der aktuellen Technik.

EUV-Litografie kommt mit 7-nm-Chips

Die übernächste Generation soll dann erstmals mit der Extreme-Ultra-Violet-Lithografie produziert werden. Hier möchte Samsung den 7-nm-Prozess anstoßen. Diese Art der Chips soll auch weiterhin auf das aktuell genutzte FinFET-Verfahren basieren und auch noch bei den 6- und 5-nm-Chips zum Einsatz kommen.

Erst bei den Chips mit 4 nm werde das Verfahren komplett geändert werden müssen. Ab dieser Generation soll Multi Bridge Channel FET zum Einsatz kommen. Mit dieser Technik sei es möglich, die physikalischen Grenzen der FinFET-Architektur zu umgehen. Als Basis wird hier ein sogenanntes Nanosheet-Gerät zum Einsatz kommen.

Zwar hat Samsung seine Pläne für die zukünftige Produktion von Chips vorgestellt, doch genaue Zeitangaben wollte das Unternehmen nicht machen. Somit kann nicht vorhergesagt werden, wann die ersten Chips mit 4 Nanometern vom Band laufen werden. Aufgrund der technischen Umsetzung wird es jedoch sicherlich noch einige Jahre dauern.

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Kommentare (1)

#1
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Der nähere Fahrplan dürfte so aussehen:
2017 - 10 FinFET LPP
2018 - 8 FinFET
2019 - 7 FinFET <-- euv

So dürfte der von TSMC aussehen:
2018 - 7 FinFET
2019 - 7 FinFET+ <-- euv
2020 - 5 Gate-all-Around-FET
2022 - 3 Gate-all-Around-FET
Mit 7FF ist TSMC bereits in die Risc-Production eingetreten.

Samsung hat 8FF wegen der Unwägbarkeiten mit EUV eingeschoben; aus demselben Grund führt TSMC auch erst einmal den 7FF ohne EUV ein.
ASLM steckt ja auch noch mitten in der Entwicklung. Alle Pläne ab 2019 könnten also Makulatur sein...
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