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Samsung startet Produktion des 3D V-NAND der 4. Generation mit 64 Lagen

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samsungSamsung hat laut eigene Angaben mit der Produktion von V-NAND in der vierten Generation begonnen. Eigentlich sollten die gestapelten Speicherchips mit ihren 64 Lagen bereits 2016 in die Produktion gehen, doch aufgrund von technischen Schwierigkeiten musste Samsung die Massenproduktion immer wieder nach hinten verschieben. Inzwischen würden die Speicherchips in großen Menge vom Band laufen und eine Speicherkapazität von 256 Gbit bieten. Samsung gibt an, dass bis Jahresende etwa die Hälfte aller produzierten NAND-Speicherbausteine auf die vierte Generation setzen soll.

Samsung setzt bei seinem neuen V-NAND auch weiterhin auf die TLC-Technik, womit pro Zelle drei Bit gespeichert werden können. Die vierte Generation soll sich laut Samsung einerseits durch geringere Produktionskosten und andererseits eine höhere Leistung auszeichnen. Der Hersteller gibt an, dass eine Datenrate von bis zu 1.000 Mbit/s erreicht werden soll. Im Vergleich zum herkömmlichen 2D-NAND aus dem 10-nm-Prozess soll die Geschwindigkeit damit bis zu 10x höher ausfallen. Ebenfalls gibt der Hersteller auch eine verbesserte Effizienz an. Durch die Reduzierung der Betriebsspannung auf 2,5 Volt sei der Energiehunger um 30 % geringer als bei der dritten Generation des V-NAND.

Zukünftig möchte Samsung die Speicherkapazität seines NAND weiter erhöhen. In einem ersten Schritt sei eine Verdopplung auf 512 Gbit vorgesehen und auch Chips mit 1 Terabit seien geplant. Um das zu erreichen, sollen die Zellschichten weiter anwachsen. Samsung plant einen Anstieg der aktuellen 64 Layer auf bis zu 96 Layer. In wie weit sich die geringeren Produktionskosten auf die Preise der SSDs auswirken wird, bleibt abzuwarten. Da Samsung jedoch einer der größten NAND-Hersteller ist, könnte die vierte Generation durchaus für ein wenig Bewegung um Markt sorgen.