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Im vergangenen Jahr verkündete Infineon den Aufbau einer ersten Pilotlinie für die Herstellung von Leistungshalbleitern auf Basis von Galliumnitrid (GaN). Mit einer Fertigung mit Wafern in 300 mm will Infineon damit einerseits die technischen Vorteile dieser Leistungshalbleiter und andererseits die wirtschaftlichen Vorteile der großen Wafer mitnehmen. Die Leistungshalbleiter kommen in vielerlei Elektronik zum Einsatz: Von E-Autos, über Netzteile, Solarwechselrichter und grundsätzlich überall dort, wo Komponenten mit einer effizienten Stromversorgung ausgestattet werden sollen.
Vorgestern verkündete Infineon, dass man erste Kunde an dem vierten Quartal mit Samples versorgen wolle. Damit ist man laut eigenen Angaben auf dem Weg hin, ein Integrated Device Manufacturer (IDM) in diesem Bereich zu werden. Neben dem klassischen Silizium sind Galliumnitrid (GaN) und Siliziumcarbid (SiC) die drei Standbeine in der Fertigung bei Infineon.
Mit dem Wechsel auf Wafer mit einem Durchmesser von 300 mm kann Infineon etwa 2,7mal mehr Chips pro Wafer fertigen, was sich positiv auf die Effizienz der Fertigung auswirkt. Infineon selbst schätzt den Markt für solche Leistungshalbleiter auf Basis von GaN für 2030 auf 2,5 Milliarden US-Dollar.
Währenddessen vermeldet das Branchenmagazin DigiTimes aus Taiwan, dass TSMC seine GaN-Linien herunterfahren wird. Im Hsinchu Science Park betreibt der größte Auftragsfertiger mehrere Anlagen, in denen GaN-Wafer mit einem Durchmesser von 150 und 200 mm hergestellt werden. Innerhalb von zwei Jahren sollen die Anlagen mitsamt der dazugehörigen Infrastruktur abgebaut und verkauft werden.
