Seite 2: Die AMD Radeon R7 SSD im Detail

Nach dem Öffnen der AMD Radeon R7 SSD finden wir jede Menge aktuelle Technologie: Der Speicher stammt selbstverständlich von Toshiba, zum Einsatz kommt hier in 19 nm gefertigter MLC-Flash. Die offizielle Bezeichnung lautet „A19 NAND", wobei das „A" für Advanced steht – es handelt sich um die zweite Generation von 19-nm-Speicher. Im Vergleich zur Vertex 460 läuft der Controller mit einer höheren Taktfrequenz und verspricht so eine höhere Performance. Beim Controller selbst handelt es sich, wenig verwunderlich, um den OCZ-eigenen Controller Barefoot 3 (M00). Während man offiziell nicht mehr den Namen Indilinx nennt, ziert den Controller selbst noch das bekannte Firmenlogo.

Radeon R7 SSD: AMD außen, OCZ innen

Abgesehen von Taktraten setzen alle drei Laufwerke auf den gleichen Controller und auf 19 nm-Flash von Toshiba, wobei auf der AMD Radeon R7 die aktuellste Generation zum Einsatz kommt. Eine offensichtliche Differenzierung zwischen den Laufwerken findet sowohl bei der Haltbarkeit als auch bei der Garantiezeit statt. Während das Mainstream-Laufwerk mit drei Jahren Herstellergarantie kommt, sind es bei der Radeon R7 vier Jahre und bei der Vector 150 fünf Jahre. Eine Garantiezeit von vier Jahren ist ungewöhnlich, bisher haben wir entweder drei oder fünf Jahre gesehen. Bei der Haltbarkeit gesteht OCZ der Vertex 460 eine Schreiblast von 20 GB pro Tag zu, bei der Radeon R7 sind es 30 GB und bei der Vector 150 schließlich 50 GB pro Tag. Während AMD den Namen ATI bei Grafikkarten längst abgeschafft hat, wird es bei der AMD Radeon R7 SSD mehr als deutlich, welcher Hersteller für die Entwicklung verantwortlich war. So wird die Radeon R7 SSD auch passgenau in das Produkt-Lineup von OCZ eingefügt, wie die folgende Folie aus einer Präsentation zeigt.

lineup

Da die AMD Radeon R7 SSD von OCZ stammt, kommt auch bei ihr ein performancesteigernder Trick zum Einsatz, den wir bereits von anderen OCZ-Laufwerken kennen. Dabei versucht der Controller, möglichst viel Flashspeicher im Pseudo-SLC-Modus anzusprechen. Das sorgt dafür, dass stets möglichst viele Zellen mit nur einem Bit programmiert werden, was schneller geht, als eine Zelle mit zwei Bits zu programmieren. Würde man das Laufwerk nun am Stück mit Daten füllen, sind nach einer gewissen Datenmenge alle Zellen mit genau einem Bit beschrieben, die Kapazität des Laufwerks aber noch nicht erreicht. Dann muss der Controller die Daten umorganisieren und die Zellen mit zwei Bits beschreiben, was sich in einem Abfall der (momentanen) Schreibleistung bemerkbar macht. Wird das Laufwerk beispielsweise zur Hälfte gefüllt, steht für Hälfte des übrigen freien Speichers wieder der Pseudo-SLC- bzw. Performance-Modus zur Verfügung. Lediglich wenn das Laufwerk komplett gefüllt wurde und es keine Zellen mehr gibt, die mit nur einem Bit programmiert werden können, steht die Leistung des Performance-Modus nicht mehr zur Verfügung.

Die Platine der AMD Radeon R7 SSD

Algorithmen dieser Art sind durchaus sinnvoll, allerdings ist bei der von OCZ gewählten Implementierung die Frage, wie sich diese Methode auf die Haltbarkeit auswirkt, schließlich müssen die Daten relativ häufig umorganisiert werden. Der Ansatz, den Samsung bei der 840 EVO mit der TurboWrite-Technologie gewählt hat, scheint schonender und nicht minder effektiv zu sein – Samsung reserviert einen festen Teil das Flashspeichers als Pseudo-SLC-Cache und nutzt diesen Bereich, um Schreibanfragen zwischenzuspeichern, was ebenfalls zu einer höheren Spitzenperformance führt. Auch die nCache-Technologie von SanDisk verfolgt einen ähnlichen Ansatz und erweitert die Cache-Hierarchie zwischen DRAM-Cache und MLC-Flashspeicher um einen Pseudo-SLC-Cache, der im Gegensatz zu Samsungs TurboWrite allerdings nur einen Bruchteil an Daten zwischenspeichert. Allerdings entfällt auch bei nCache das nachträgliche Umsortieren von Daten.