Was wäre denn besser:
Ohne groß mit den Spannungen zu spielen (SoC 1,0V, RAM 1,36V) erreiche ich mit dem Samsung B-Die-Kit (Fast lt. Calculator) bei 3000MHz nur ~90GB/s IO-Leistung und habe eine Latenz von 65,8ns.
Mit dem Hynix DJR-Kit komme ich mit denselben Spannungen und den Safe-CJR Timings auf 3400MHz und damit ~100GB/s IO-Leistung und bei der Latenz nur knapp weniger. (65,4ns) (3466 war in kurzen Versuchen nicht mit moderater Spannungserhöhung stabil zu bekommen. SoC 1,05V, RAM 1,4V)
Ich wäre ja für die Samsung B-Die's. Einerseits wäre die Latenz dieselbe, andererseits die "Belastung" durch den niedrigeren RAM/IMC/IF-Takt geringer, was ja bei einer WaKü eigentlich egal wäre.