ich habe ein kleines problem. vorab mein sys:
a 64 3200 + venice
mushkin xp4000 redline ( utt)
dfi nf4 sli-dr
nt ocz 600W powerstream
kühler thermalright xp 120 mit einem noiseblocker sx2
bios hatte ich ausprobiert 618-2 510-2 510-2 hellfire
aber immer das gleiche problem:
bei 220 mhz und scharfen timings ( 2-2-2) kommt im memtest test 5 ab 95 % so um die 60 fehler! aber bei 230 mhz laufen die rams wieder stabil.
auch an der vdimm habe ich schon einiges probiert von 2,9 V bis 3,2 V
. die rams befinden sich in den orangenen slots. und den ldt habe ich auf 3x und den multi auf 9 gesetzt . so langsam weiß ich da nicht mehr weiter. habt ihr eine idee?
FSB Bus Frequency - 220
LDT/FSB Frequency Ration - 3.0
CPU/FSB Frequency Ratio - x9
PCI eXpress Frequency - 100Mhz
CPU VID StartUp Value - StartUp
CPU VID Control - 1.400v
CPU VID Special Control - Above VID * 123%
LDT Voltage Control - 1.30v
Chip Set Voltage Control - 1.60v
DRAM Voltage Control - 3.20v
DRAM Configuration Settings:
DRAM Frequency Set - 200 (DRAM/FSB:1/01)
Command Per Clock (CPC) - Enable
CAS Latency Control (Tcl) - 2.0
RAS# to CAS# delay (Trcd) - 02 Bus Clocks
Min RAS# active time (Tras) - 05 Bus Clocks
Row precharge time (Trp) - 02 Bus Clocks
Row Cycle time (Trc) - 07 Bus Clocks
Row refresh cyc time (Trfc) - 15 Bus clocks
Row to Row delay (Trrd) - 02 Bus Clocks
Write recovery time (Twr) - 02 Bus Clocks
Write to Read delay (Twtr) - 01 Bus Clocks
Read to Write delay (Trwt) - 02 Bus Clocks
Refresh Period (Tref) - 3120 Cycles
Write CAS Latency (Twcl) - 1
DRAM Bank Interleave - Enabled
DQS Skew Control - Auto
DQS Skew Value - 0
DRAM Drive Strength - 5
DRAM Data Drive Strength - 2
Max Async Latency - 7 ns
Read Preamble Time - 5ns
IdleCycle Limit - 256 Cycles
Dynamic Counter - Disable/Enable
R/W Queue Bypass - 16 x
Bypass Max - 07 x
32 Byte Granularity - Disable(8 Bursts)/ (4burst bei 618-2 bios)
a 64 3200 + venice
mushkin xp4000 redline ( utt)
dfi nf4 sli-dr
nt ocz 600W powerstream
kühler thermalright xp 120 mit einem noiseblocker sx2
bios hatte ich ausprobiert 618-2 510-2 510-2 hellfire
aber immer das gleiche problem:
bei 220 mhz und scharfen timings ( 2-2-2) kommt im memtest test 5 ab 95 % so um die 60 fehler! aber bei 230 mhz laufen die rams wieder stabil.
auch an der vdimm habe ich schon einiges probiert von 2,9 V bis 3,2 V
. die rams befinden sich in den orangenen slots. und den ldt habe ich auf 3x und den multi auf 9 gesetzt . so langsam weiß ich da nicht mehr weiter. habt ihr eine idee?
FSB Bus Frequency - 220
LDT/FSB Frequency Ration - 3.0
CPU/FSB Frequency Ratio - x9
PCI eXpress Frequency - 100Mhz
CPU VID StartUp Value - StartUp
CPU VID Control - 1.400v
CPU VID Special Control - Above VID * 123%
LDT Voltage Control - 1.30v
Chip Set Voltage Control - 1.60v
DRAM Voltage Control - 3.20v
DRAM Configuration Settings:
DRAM Frequency Set - 200 (DRAM/FSB:1/01)
Command Per Clock (CPC) - Enable
CAS Latency Control (Tcl) - 2.0
RAS# to CAS# delay (Trcd) - 02 Bus Clocks
Min RAS# active time (Tras) - 05 Bus Clocks
Row precharge time (Trp) - 02 Bus Clocks
Row Cycle time (Trc) - 07 Bus Clocks
Row refresh cyc time (Trfc) - 15 Bus clocks
Row to Row delay (Trrd) - 02 Bus Clocks
Write recovery time (Twr) - 02 Bus Clocks
Write to Read delay (Twtr) - 01 Bus Clocks
Read to Write delay (Trwt) - 02 Bus Clocks
Refresh Period (Tref) - 3120 Cycles
Write CAS Latency (Twcl) - 1
DRAM Bank Interleave - Enabled
DQS Skew Control - Auto
DQS Skew Value - 0
DRAM Drive Strength - 5
DRAM Data Drive Strength - 2
Max Async Latency - 7 ns
Read Preamble Time - 5ns
IdleCycle Limit - 256 Cycles
Dynamic Counter - Disable/Enable
R/W Queue Bypass - 16 x
Bypass Max - 07 x
32 Byte Granularity - Disable(8 Bursts)/ (4burst bei 618-2 bios)
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