P2k1
Neuling
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Moin,
über die Micron Chips gibt es ja viel zu lesen. (Das sie gut mit Spannung skalieren und auch 2,2V +++ aushalten sollen.)
Aber über ProMos / Elpida Speicherchips, welche scheinbar immer häufiger bei "billig" Modulen verbaut werden, habe ich bis jetzt noch keine Infos dazu gefunden und wollte das mal zentral zu einem Thema machen.
Also:
Wie viel Volt würdet ihr ProMos / Elpida maximal für einen dauerhaften betrieb geben?
EDIT (Man sollte mal Datenblätter lesen *hehe):
Also laut den Datenblättern gilt folgendes:
Eplida:
ProMos:
PowerCHIP / PSC:
Micron:
Links:
http://www.elpida.com/pdfs/E0906E10.pdf
http://www.promos.com.tw/website/html/english/product/V91/V916765K24QC.pdf
http://www.deutron.com.tw/data_sheets/ddr2/512Mb_DDRII_(x8).pdf
http://download.micron.com/pdf/datasheets/dram/ddr2/1GbDDR2.pdf
(1GB / 2GB Module, die Datenblätter der anderen Module unterscheiden so wie ich das sehe in den Spannungswerten nicht.)
mfg
über die Micron Chips gibt es ja viel zu lesen. (Das sie gut mit Spannung skalieren und auch 2,2V +++ aushalten sollen.)
Aber über ProMos / Elpida Speicherchips, welche scheinbar immer häufiger bei "billig" Modulen verbaut werden, habe ich bis jetzt noch keine Infos dazu gefunden und wollte das mal zentral zu einem Thema machen.
Also:
Wie viel Volt würdet ihr ProMos / Elpida maximal für einen dauerhaften betrieb geben?
EDIT (Man sollte mal Datenblätter lesen *hehe):
Also laut den Datenblättern gilt folgendes:
Eplida:
Code:
Absolute Maximum Ratings
Parameter Symbol Value Unit Notes
Voltage on any pin relative to VSS (VT): +2.3 V
Supply voltage relative to VSS (VDD): +2.3 V
Operating case temperature (Tc): 0 to +95 °C 1, 2
Notes:
1. DDR2 SDRAM component specification.
2. Supporting 0°C to +85°C and being able to extend to +95°C with doubling auto-refresh commands in frequency to a 32ms period (tREFI = 3.9μs) and higher temperature self-refresh entry via the control of EMRS (2) bit A7 is required.
ProMos:
Code:
Absolute Maximum DC Ratings
Parameter Symbol MAX UNITS
VDD Supply Voltage relative to VSS (VDD): 2.3 V
VDDQ Supply Voltage relative to VSS (VDDQ): 2.3 V
VDDL Supply Voltage relative to VSS (VDDL): 2.3 V
Voltage on any pin relative to VSS (VIN, VOUT): 2.3 V
Storage Temperature TSTG -55 100 oC
Note: Stresses greater than those listed under Absolute Maximum Ratings may cause permanent damage to the
device
PowerCHIP / PSC:
Code:
Absolute Maximum Ratings
Parameter Symbol Rating Unit Note
Power supply voltage VDD +2.3 V 1
Power supply voltage for output VDDQ +2.3 V 1
Input voltage VIN +2.3 V 1
Output voltage VOUT +2.3 V 1
Power dissipation PD 1.0 W 1
Short circuit output current IOUT 50 mA 1
Storage temperature Tstg -55 to +100 °C 1,2
Notes:
1. Stresses greater than those listed under Absolute Maximum ratings may cause permanent damage to the device.
This is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions above those
indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating
conditions for extended periods may affect reliability.
2.Storage temperature is the case surface temperature on the center/top side of the DRAM.
Operating Temperature Condition
Parameter Symbol Rating Unit Note
Operating case temperature TC 0 to +75 °C 1,2
Notes:
1. Operating temperature is the case surface temperature on the center/top side of the DRAM.
2. Supporting 0 oC to + 75 °C with full AC and DC specifications.
Supporting 0 to + 75 and being able to extend to + 75 with doubling auto-refresh commands in frequency to a 32ms period (tREFI = 3.9μs) and higher temperature Self-Refresh entry via A7 “1” on EMRS (2).
Caution
Exposing the device to stress above those listed in Absolute Maximum Ratings could cause permanent damage. The device is not meant to be operated under conditions outside the limits described in the operational section of this specification.
Exposure to Absolute Maximum Rating conditions for extended periods may affect device reliability.
Micron:
Code:
Absolute Maximum DC Ratings
Parameter Symbol Max Units Notes
VDD supply voltage relative to VSS (VDD) 2.3 V 1
VDDQ supply voltage relative to VSSQ (VDDQ) 2.3 V 1, 2
VDDL supply voltage relative to VSSL (VDDL) 2.3 V 1
Voltage on any ball relative to VSS (VIN, VOUT) 2.3 V 3
Notes:
1. VDD, VDDQ, and VDDL must be within 300mV of each other at all times.
2. VREF ≤ 0.6 × VDDQ; however, VREF may be ≥ VDDQ provided that VREF ≤ 300mV.
3. Voltage on any I/O may not exceed voltage on VDDQ.
http://www.elpida.com/pdfs/E0906E10.pdf
http://www.promos.com.tw/website/html/english/product/V91/V916765K24QC.pdf
http://www.deutron.com.tw/data_sheets/ddr2/512Mb_DDRII_(x8).pdf
http://download.micron.com/pdf/datasheets/dram/ddr2/1GbDDR2.pdf
(1GB / 2GB Module, die Datenblätter der anderen Module unterscheiden so wie ich das sehe in den Spannungswerten nicht.)
mfg
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