3D Stacked FET: Wie Samsung die Halbleiterleistung vorantreiben will

[HWL News Bot]

Intel hat auf dem VLSI Symposium einige Leistungsdaten des nächsten Fertigungsprozesses Intel 18A-P gesprochen. Samsung spricht über das Ende der klassischen 2D-Skalierung, Gate-All-Around als nächste Evolutionsstufe und den Übergang in die dritte Dimension mittels 3D-gestapelten Transistoren.
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[Mr.Mito]

Danke für den Artikel. War interessant auch die unterschiedliche, strategische Ausrichtung der Firmen zu sehen. Intel ist wohl wirklich in Zugzwang und gewillt durch einige Risiken wieder aufzuholen, wobei sie wohl auch keine andere Wahl haben. Bin gespannt obs klappt.

 

[Bitmaschine]

Ja, spannend. Eine Vergleichsargumentation seitens Samsung war, dass wenn wenig Bauland zur Verfügung steht, eben nach oben gebaut werden muss. Irgendwann ist die physikalische Grenze in der Fläche auch erreicht. Wenn die thermische Problematik im 3D Stack gleich wie der Ansatz bei Micron mit HBM Speicher gelöst werden kann, dann eröffnen sich unglaublich viele Möglichkeiten, finde ich.

 

[Botcruscher]

3D Chips wurden schon für das Jahr 2000 voraus gesagt. Da nicht zumindest SRAM gestapelt wird, scheint es da Probleme mit den Ebenen bzw. dann der Wärmeabfuhr zu geben. Vielleicht sehen wir ja bald 3d Prozesse explizit für lowpower Chips.

 

[Bitmaschine]

3D Chips wurden schon für das Jahr 2000 voraus gesagt. Da nicht zumindest SRAM gestapelt wird, scheint es da Probleme mit den Ebenen bzw. dann der Wärmeabfuhr zu geben. Vielleicht sehen wir ja bald 3d Prozesse explizit für lowpower Chips.

Durchaus denkbar.
Mir ist ein kleiner Fehler passiert, Samsung, nicht Micron, hat für HBM-Speicherstapelung folgende Lösung (Heat Path Block) präsentiert Link HWLuxx: Kühlkanal in HBM ...

 

[Holt]

Intel hat damals FinFET mit seinem 22nm Prozess eingeführt, während GF, Samsung und TSMC damit massive Probleme hatten und daher lange bei ihren 28nm Prozessen festhingen, weil sie ihre 20nm Prozesse mit FinFET eben nicht zum Laufen gebracht haben. Erst als Intel schon in 14nm gefertigte CPUs verkauft hat, haben TSMC (mit einem 16nm) und Samsung mit einem 14nm Prozess das Problem gelöst und GF hat dann den Prozess von Samsung lizenziert. Bei Prozessen der "2nm" Klasse kommt man nun um GAA nicht herum, Intel hat mit Panther Lake das erste Produkt aus einem solchen Prozess Ende 2025 auf den Markt gebracht, Samsung inzwischen mit dem Smartphones mit Samsungs Exynos 2600 SoC, welcher in SF2 gefertigt wird, ebenfalls. Wobei es auch Varianten von deren SF3 Prozess mit GAA geben soll, aber ich wüsste nun nicht welches konkrete Produkt dann darin gefertigt und ab wann verkauft wurde.

Von TSMC wird erst im September das erste Produkt aus der N2 Fertigung erwartet, die SoC in der nächsten iPhone Generation. Zumindest zeitlich liegt TSMC also bzgl. der Einführung von GAA zurück.

 

[oldi46]

Aus technologischer Sicht kann man schon sagen dass Intel und Samsung etwas weiter sind als TsMC. Jedoch macht TSMC aus ihrem technologischen Stand deutlich mehr draus was wenn TSMC auf Gaa und rückseitige Stromversorgung setzen wird sich deutlich zeigen wird. Kostentechnisch wird es wie es TSMC macht auch besser sein.

 

[Holt]

Aus technologischer Sicht kann man schon sagen dass Intel und Samsung etwas weiter sind als TsMC. Jedoch macht TSMC aus ihrem technologischen Stand deutlich mehr draus

Die Kunden wechseln nicht so gerne und leicht die Foundry, denn da hängt ein ganzer Rattenschwanz dran und Intel haben die Gerüchte um einen möglichen Verkauf der Fabs sicher auch nicht geholfen das Vertrauen potentieller Kunden zu stärken. Dazu sind Intels Prozesse noch immer sehr stark auf Intels Anforderungen, also maximale Taktraten statt guter Effizienz bei moderaten Taktraten ausgelegt, aber meisten Kunden brauchen eben letzteres und nicht 5+GHz.

was wenn TSMC auf Gaa und rückseitige Stromversorgung setzen wird sich deutlich zeigen wird.

Das wird mit A16 erfolgen, wobei es ursprünglich mal für N2P geplant war und A16 steht für 2027 in TSMCs Roadmap, mit Produkten im Handel ist also erst 2028 zu rechnen, steht doch N2 für 2025 auf der Roadmap und TSMC hat den Beginn der N2 Massenfertigung am 31.12.2025 bekanntgegeben.