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Samsung startet Massenproduktion von V-NAND mit 96 Layern und bis zu 256 Gb

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samsung-hbm2Samsung hat laut eigenen Angaben mit der Produktion seines V-NAND in der 5. Generation begonnen. Mit der neuen Generation erhöht der Chiphersteller die Anzahl der einzelnen Speicher-Layer nochmals deutlich und nennt nun insgesamt 96 Layer. Der Vorgänger kam hier noch auf maximal 64 Layer. Mit der Erhöhung der Speicher-Layer steigt auch gleichzeitig die Speicherkapazität pro Chip. Allerdings stehen zum Start lediglich Chips mit 256 Gbit zur Verfügung. Beim Vorgänger erreicht man durch Optimierungen des Produktionsprozesses schon 512 Gbit pro Speicherchip. In Zukunft soll die fünfte Generation jedoch eine Speicherkapazität von bis zu 1 GB erreichen können. 

Samsung greift auch bei der neusten Generation auf die TLC-Technik zurück, womit pro Zelle bis zu 3 Bits gesichert werden können. Zukünftig soll allerdings die QLC-Technik zum Einsatz kommen und damit pro Zelle bis zu 4 Bits gespeichert werden. Darüber hinaus kommt ein DDR4-Interface zum Einsatz, womit auch die Geschwindigkeit ansteigt. Laut den Südkoreanern sind mit dem DDR4-Interface bis zu 1,4 Gbit/s möglich, während mit DDR3 bisher maximal 1 Gbit/s erreicht werden konnte.

Zudem sei durch die Umstellung auf die neue Generation eine Reduzierung der Latenz erreicht worden. Samsung spricht von einer Reduzierung beim Schreiben um 30 % auf 500 µs. Beim Lesen soll die Latenz sogar nur noch 50 µs betragen. Außerdem konnte die Betriebsspannung von 1,8 auf 1,2 Volt reduziert werden, womit gleichzeitig der Energiehunger gesunken sei.

Durch die 5. Generation des V-NAND sollen die Produktionskosten nochmals weiter reduziert werden. Langfristig könnten damit die Preise für SSDs noch weiter fallen. Schließlich ist Samsung einer der größten Hersteller von NAND-Bausteinen und hat mit seiner Entwicklung durchaus einen Einfluss auf die Preisentwicklung der Halbleiter-Chips.

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Kommentare (3)

#1
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Beiträge: 3624
Zitat
Darüber hinaus kommt ein DDR4-Interface zum Einsatz

Damit ist der Cache gemeint, oder?
Zitat
Samsung greift auch bei der neusten Generation auf die TLC-Technik zurück, womit pro Zelle bis zu 3 Bits gesichert werden können. Zukünftig soll allerdings die QLC-Technik zum Einsatz kommen und damit pro Zelle bis zu 4 Bits gespeichert werden.

Uff, ich kann nur hoffen das dies dann so sicher sein wird wie mit MLC, sie zumindest auch MLC anbieten werden.
Zitat
Samsung spricht von einer Reduzierung beim Schreiben um 30 % auf 500 µs. Beim Lesen soll die Latenz sogar nur noch 50 µs betragen.

Was ist aktuell Standard (bei M.2)?
Zitat
Außerdem konnte die Betriebsspannung von 1,8 auf 1,2 Volt reduziert werden, womit gleichzeitig der Energiehunger gesunken sei.

Das hört sich immer gut an :-)
Zitat
Durch die 5. Generation des V-NAND sollen die Produktionskosten nochmals weiter reduziert werden.

Ich würde aber nicht darauf wetten das die Preise sofort beziehungsweise schnell fallen, die Forschung/Entwicklung und Geräte wollen auch bezahlt werden.
#2
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Beiträge: 2363
@III
Laut Quelle setzt Samsung tatsächlich auf ein "‘Toggle DDR 4.0’ interface", also ist nicht der Cache sondern die Art der Anbindung gemeint.

"In Zukunft soll die fünfte Generation jedoch eine Speicherkapazität von bis zu 1 GB erreichen können."
nicht 1GB sondern 1Tb ;)

Naja warten wir mal bis das in kaufbaren Produkten auf den Markt kommt und wie QLC dann performt.
#3
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Beiträge: 282
@III
@pescA

Ja, ist mir auch komisch vorgekommen. Denn bei dem Cache war der Schritt von DDR3 zu DDR4 bereits bei der aktuellen Generation vollbracht (850->860,960->970).
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