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Samsung kündigte 4. Generation seines gestapelten V-NAND für SSDs an

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samsung 2013Samsung hat während des Flash Memory Summit 2016 in Santa Clara die inzwischen vierte Generation seines V-NAND angekündigt. Diese wird den meisten unter dem Begriff 3D-NAND bekannt sein, wobei mehrere Lagen übereinander gestapelt werden, um die Speicherkapazität von Speicherbausteinen für SSDs zu erhöhen und gleichzeitig die Produktionskosten zu senken. Während die aktuelle, dritte Generation des V-NAND von Samsung noch mit 48 Lagen und einer maximalen Speicherkapazität von 256 Gbit verfügbar ist, wird die neuste Variante mit 64 Lagen ausgestattet sein. Aufgrund der höheren Anzahl an Lagen wird sich die Speicherkapazität verdoppeln und somit 512 Gbit pro Speicherchip betragen. Die Chips werden weiterhin auf die TLC-Technik zurückgreifen und damit pro Zelle drei Zustände speichern können.

Durch die erhöhe Kapazität hat Samsung für professionelle Kunden auch gleich ein passendes Laufwerk mit beeindruckender Kapazität angekündigt. Die SSD PM1643 wird demnach im 2,5-Zoll-Format eine Kapazität von 32 TB aufweisen. Bisher sind keine Laufwerke mit dem 2,5-Zoll-Formfaktor und einer solch hohen Kapazität auf dem Markt zu finden.

samsung ssd vnand

Zudem ermöglicht der neue V-NAND besonders kleine Laufwerke mit hoher Kapazität. Das Unternehmen plane noch in diesem Jahr ein Laufwerk mit 1 TB Speichervolumen. Das Laufwerk soll dabei lediglich die Größe eines Cent-Stücks besitzen und somit platzsparend untergebracht werden können. Neben der vierten Generation des V-NAND wird in dem BGA-Gehäuse auch der Controller untergebracht, der laut ersten Informationen eine sequentielle Datenrate von bis zu 3 GB/s bieten soll.

Mit Blick auf der Konkurrenz ist Samsung nicht der einzige Hersteller, der einen gestapelten Speicherchip mit 64 Lagen ankündigt. Toshiba und Western Digital haben mit dem BiCS3 bereits einen solchen Speicherchip angekündigt, doch dieser bietet lediglich 256 Gbit Kapazität und nicht wie der V-NAND von Samsung ein Speichervolumen von 512 Gbit. Zudem soll die Massenproduktion des BiCS3-Chips erst Anfang 2017 starten, während Samsung den Produktionsstart für das vierte Quartal 2016 einplant. 

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Kommentare (2)

#1
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Registriert seit: 12.05.2013

Vizeadmiral
Beiträge: 6522
Hoffentlich gibt es dann bald mal 2TB M.2 NVME SSDs für um die 500€...
#2
Registriert seit: 08.11.2015

Banned
Beiträge: 1381
Mit MLC wohl fraglich...bis dahin wird dann wohl auch Hynix und Co. ihre proprietäre Speichertechniken der "Zukunft" vorgestellt haben, ala Samsung mit ihrem Z-NAND und Mircon/Intel mit 3dXPoint...
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