> > > > Samsung kündigte 4. Generation seines gestapelten V-NAND für SSDs an

Samsung kündigte 4. Generation seines gestapelten V-NAND für SSDs an

Veröffentlicht am: von

samsung 2013Samsung hat während des Flash Memory Summit 2016 in Santa Clara die inzwischen vierte Generation seines V-NAND angekündigt. Diese wird den meisten unter dem Begriff 3D-NAND bekannt sein, wobei mehrere Lagen übereinander gestapelt werden, um die Speicherkapazität von Speicherbausteinen für SSDs zu erhöhen und gleichzeitig die Produktionskosten zu senken. Während die aktuelle, dritte Generation des V-NAND von Samsung noch mit 48 Lagen und einer maximalen Speicherkapazität von 256 Gbit verfügbar ist, wird die neuste Variante mit 64 Lagen ausgestattet sein. Aufgrund der höheren Anzahl an Lagen wird sich die Speicherkapazität verdoppeln und somit 512 Gbit pro Speicherchip betragen. Die Chips werden weiterhin auf die TLC-Technik zurückgreifen und damit pro Zelle drei Zustände speichern können.

Durch die erhöhe Kapazität hat Samsung für professionelle Kunden auch gleich ein passendes Laufwerk mit beeindruckender Kapazität angekündigt. Die SSD PM1643 wird demnach im 2,5-Zoll-Format eine Kapazität von 32 TB aufweisen. Bisher sind keine Laufwerke mit dem 2,5-Zoll-Formfaktor und einer solch hohen Kapazität auf dem Markt zu finden.

samsung ssd vnand

Zudem ermöglicht der neue V-NAND besonders kleine Laufwerke mit hoher Kapazität. Das Unternehmen plane noch in diesem Jahr ein Laufwerk mit 1 TB Speichervolumen. Das Laufwerk soll dabei lediglich die Größe eines Cent-Stücks besitzen und somit platzsparend untergebracht werden können. Neben der vierten Generation des V-NAND wird in dem BGA-Gehäuse auch der Controller untergebracht, der laut ersten Informationen eine sequentielle Datenrate von bis zu 3 GB/s bieten soll.

Mit Blick auf der Konkurrenz ist Samsung nicht der einzige Hersteller, der einen gestapelten Speicherchip mit 64 Lagen ankündigt. Toshiba und Western Digital haben mit dem BiCS3 bereits einen solchen Speicherchip angekündigt, doch dieser bietet lediglich 256 Gbit Kapazität und nicht wie der V-NAND von Samsung ein Speichervolumen von 512 Gbit. Zudem soll die Massenproduktion des BiCS3-Chips erst Anfang 2017 starten, während Samsung den Produktionsstart für das vierte Quartal 2016 einplant. 

Social Links

Ihre Bewertung

Ø Bewertungen: 0

Tags

Kommentare (2)

#1
customavatars/avatar191989_1.gif
Registriert seit: 12.05.2013

Vizeadmiral
Beiträge: 6287
Hoffentlich gibt es dann bald mal 2TB M.2 NVME SSDs für um die 500€...
#2
Registriert seit: 08.11.2015

Banned
Beiträge: 1381
Mit MLC wohl fraglich...bis dahin wird dann wohl auch Hynix und Co. ihre proprietäre Speichertechniken der "Zukunft" vorgestellt haben, ala Samsung mit ihrem Z-NAND und Mircon/Intel mit 3dXPoint...
Um Kommentare schreiben zu können, musst Du eingeloggt sein!

Das könnte Sie auch interessieren:

Samsung SSD 750 EVO im Test - die neue Einsteiger-Klasse?

Logo von IMAGES/STORIES/GALLERIES/REVIEWS/SAMSUNG-750-EVO/TEASER

Samsung gehört zu den Standardempfehlungen, wenn es um SSDs geht, sowohl im Highend-Bereich mit der Samsung SSD 950 PRO als auch im Mainstream-Bereich mit der 850 EVO. Letztere hat vor kurzem ein Upgrade erfahren, dabei wurde der 3D-Speicher durch eine neue Version mit nunmehr 48 statt 32... [mehr]

Crucial MX300 SSD mit 750 GB und 3D-NAND im Test

Logo von IMAGES/STORIES/GALLERIES/REVIEWS/CRUCIAL-MX300-750GB/TEASER

Crucial meldet sich zurück und packt mit der MX300 aktuelle Speichertechnologie in ein 2,5-Zoll-Laufwerk. Den Anfang macht dabei ein einziges Modell mit einer ungewöhnlichen Speicherkapazität von 750 GB, das gegen die Samsung SSD 850 EVO und andere Mainstream-Laufwerke bestehen soll. Die... [mehr]

Seagate Ironwolf 8 TB, WD Red 8 TB und Toshiba Enterprise Cloud 6 TB im Test

Logo von IMAGES/STORIES/REVIEW_TEASER/HDD_ROUNDUP_08-2016_TEASER

Auch wenn in den allermeisten Rechnern heutzutage statt einer Festplatte eine SSD als Systemlaufwerk zum Einsatz kommt, so sind die klassischen Magnetspeicher für das Speichern größerer Datenmengen weiterhin gefragt, zumal die beliebten NAS-Systeme als Cloud für Zuhause ein neues Absatzgebiet... [mehr]

Preiswerte M.2-SSD Intel 600p mit NVMe im Test

Logo von IMAGES/STORIES/GALLERIES/REVIEWS/INTEL-600P/TEASER

Mit der Intel X25-M war Intel einst eine feste Größe im Markt für Consumer-SSD, bis sich der Chipriese in den letzten Jahren fast ausschließlich auf den Enterprise-Markt konzentriert hat. Mit der SSD 750 hat Intel inzwischen zwar auch wieder ein Laufwerk für Heimanwender im Angebot, doch ist... [mehr]

NVMe-SSD Samsung 960 PRO mit 512 GB und 2 TB im Test

Logo von IMAGES/STORIES/GALLERIES/REVIEWS/SAMSUNG-960-PRO/TEASER

Die Samsung SSD 950 PRO hat bis heute unsere Benchmark-Tabelle als schnellste SSD angeführt. Konkurrenz bekommt sie jetzt aus eigenem Haus in Form des Nachfolgers 960 PRO. Dabei handelt es sich um mehr als ein kosmetisches Update, denn Samsungs neuste M.2-SSD mit NVMe-Interface ist insbesondere... [mehr]

Toshiba OCZ RD400 SSD mit NVMe im Test

Logo von IMAGES/STORIES/GALLERIES/REVIEWS/TOSHIBA-OCZ-RD400/TEASER

Auch Toshiba steigt jetzt mit der OCZ RD400 SSD in die Königsklasse der schnellen Halbleiter-Laufwerke mit NVMe-Interface ein. Mit einem PCI-Express-Interface der dritten Generation und vier Lanes verspricht Toshiba eine Performance von bis zu 2.600 MB/s beim Lesen und 1.600 MB/s beim Schreiben,... [mehr]