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LPDDR4: Micron bringt 12-GBit-Bausteine aus dem 10-nm-Prozess

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micronMicron hat eigenen Angaben zufolge die Produktion von LPDDR4-Bausteinen im 10-nm-Prozess gestartet. Durch die Verkleinerung der Strukturbreite kann einerseits die Geschwindigkeit der Bausteine erhöht und andererseits der Energiebedarf gesenkt werden. Die Chips für den Arbeitsspeicher werden laut Hersteller eine Kapazität von 12 Gigabit bieten. 

Bei der Geschwindigkeit spricht der Hersteller von bis zu 4,27 Gb/s, womit schnellere RAM-Module gebaut werden könnten. Durch die feinere Strukturbreite konnte Micron zudem den Energiehunger reduzieren. Der Hersteller gibt an, dass gegenüber dem Vorgänger etwa 10 % weniger Energie benötigt wird.

Micron habe sich laut eigenen Angaben bewusst für die Kapazität von 12 Gigabit pro Chip entschieden, da dadurch die Produktionskosten gegenüber höheren Kapazitäten deutlich geringer ausfallen würden. Bei der Konkurrenz wird nämlich bereits LPDDR4-Speicher mit 16 Gigabit pro Chip produziert.

Micron hat schon erste Bausteine an seine Partner ausgeliefert. Vermutlich wird der neue LPDDR4-Speicher vor allem in mobilen Geräten wie Smartphones oder Tablets zu finden sein. Notebooks setzen für eine höhere Laufzeit meistens auf den energiesparenden LPDDR4-RAM.

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Kommentare (2)

#1
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Zitat HWL News Bot;26623088
Micron hat eigenen Angaben zufolge die Produktion von LPDDR4-Bausteinen im 10-nm-Prozess gestartet.


Die Angaben von Micron lauten: "The LPDDR4x DRAM will be produced based on 1Y-nm (10-nanometer-class) process technology"

1Y-nm ist eine von drei RAM-Node-Klassen, die im Bereich 10nm - 19nm angesiedelt sind (= 10nm-class), in Entwicklungsreihenfolge 1X, 1Y und 1Z genannt. Dabei kann 1X 19–17nm bedeuten, 1Y 16–14nm und 1Z 13–10nm, genaueres wird nicht veröffentlicht.

Die Node-Bezeichnungen bei RAM hat nichts mit den Node-Bezeichnungen bei Logic-Chips zu tun und auch nichts mit denen, die bei planarem NAND verwendet werden.
#2
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Zitat smalM;26623140
Die Angaben von Micron lauten: "The LPDDR4x DRAM will be produced based on 1Y-nm (10-nanometer-class) process technology"

1Y-nm ist eine von drei RAM-Node-Klassen, die im Bereich 10nm - 19nm angesiedelt sind (= 10nm-class), in Entwicklungsreihenfolge 1X, 1Y und 1Z genannt. Dabei kann 1X 19–17nm bedeuten, 1Y 16–14nm und 1Z 13–10nm, genaueres wird nicht veröffentlicht.

Die Node-Bezeichnungen bei RAM hat nichts mit den Node-Bezeichnungen bei Logic-Chips zu tun und auch nichts mit denen, die bei planarem NAND verwendet werden.


Danke für den Hinweis. War schon wieder dabei die originale Quelle zu suchen, weil ich etwas stutzig wurde.
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