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Mitte Juli verkündete ASML, dass man das erste Produktionssystem für High-NA EUV, Twinscan EXE:5200B, ausgeliefert habe. Der Kunde wurde nicht genannt. Die ersten Twinscan-EXE:5200-Testsysteme für diese Belichtung gingen bereits an das imec, Intel und wohl auch TSMC.
Nun verkündet SK Hynix, dass das erste Twinscan-EXE:5200B-Produktionssystem in der M16-Fab in Icheon zusammengesetzt wurde. Nach der erfolgreichen Inbetriebnahme soll das System der Entwicklung zukünftiger DRAM-Technologie dienen.
Aktuell fertigt SK Hynix seinen DRAM in der vierten Generation der 10-nm-Technologie namens 1anm. Anders als bei den Logik-Chips skalierte die Fertigung von DRAM nicht in dem Maße, als dass man hier schon bei 2/3 nm angekommen wäre. Mit High-NA EUV soll der nächste Schritt gemacht werden. SK Hynix spricht von 1,7mal kleineren Transistoren und einer 2,9fachen Transistordichte.
Der Twinscan EXE:5200B belichtet bei 50 mJ/cm² mehr als 175 Wafer pro Stunde und kostet etwa 400 Millionen Euro. In den kommenden Jahren wird die EXE:5000-Serie dann um Weiterentwicklungen ergänzt, die vor allem für einen höheren Durchsatz und damit eine höhere Produktivität sorgen sollen.
Wer sich näher mit dem Thema High-NA EUV, den Vor- und Nachteilen beschäftigen will, schaut gerne in unserem Artikel dazu nach.
