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Samsung kündigt Massenfertigung in 7 nm mit EUVL an

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samsungSamsung kämpft gegen den Stillstand in der Weiterentwicklung der Fertigungstechnologien an. Im vergangenen Jahr haben TSMC und Samsung die Risc Production für 7 nm angekündigt, ab diesem Jahr fertigen beide Unternehmen Chips in 7 nm FinFET. Der nächste Schritt ist nun die Integration der EUVL (Extreme Ultraviolet Lithography).

Nun hat Samsung die Massenfertigung in 7LPP angekündigt, fertigt darin allerdings nicht vollständig mit EUVL-Unterstützung, sondern nur einige Layer. Dennoch soll dieser Schritt eine Verbesserung in vielen Bereichen möglich machen.

Im Vergleich zu 10LPE kann 7LPP die Leistungsaufnahme um bis zu 50 % reduzieren. Bei gleichem Takt und gleicher Komplexität können die Chips damit eine um 20 % höhere Leistung erreichen. Zugleich können die Transistoren deutlich enger gepackt werden. Samsung spricht von einer um 40 % höheren Packdichte.

Samsung hat die entsprechende Fertigung in Fab S3 in Hwaseong, Südkorea aufgebaut. Dort sollen jeden Tag 1.500 Wafer belichtet werden. Dazu kommen ASML Twinscan NXE:3400B EUVL zum Einsatz, die mit 280 W belichten. Allerdings werden nur etwa 20 % der Masken mit EUVL belichtet, der Rest findet weiterhin mit standardmäßigem DUV-Equipment (Deep Ultraviolet) statt.

Derzeit befindet sich der Fab S3 noch im Aufbau. In der für 2019 geplanten Fertigstellung sind Kosten von rund 4,5 Milliarden US-Dollar eingeplant. Die High Volumen Mass Production soll 2020 anlaufen. Neben Samsung für seine eigenen SoCs steht die Fertigung in 7LPP allen Partnern des Samsung Advanced Foundry Ecosystem (SAFE) zur Verfügung. Dazu gehören auch Ansys, ARM, Cadence, Mentor, SEMCO, Synopsys und VeriSilicon.

In den kommenden Jahren wird der Anteil der EUVL-Fertigung weiter erhöht werden. Nach einer teilweisen Verwendung der neuen Technik werden über kurz oder lang alle Masken in der Fertigung auf EUVL umgestellt. Dies ist auch wichtig, um zukünftig in Richtung einer Fertigung in 5, 4 und 3 nm fortzuschreiten.

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