Aktuell fertigt SK Hynix seinen DRAM in der vierten Generation der 10-nm-Technologie namens 1anm. Anders als bei den Logik-Chips skalierte die Fertigung von DRAM nicht in dem Maße, als dass man hier schon bei 2/3 nm angekommen wäre.
Als ob bei einem der Logikchips aus den vor allem von der Presse so genannten 2nm oder 3nm Prozessen, auch nur eine Struktur wirklich so klein wäre. Die Zahlen sind nur noch Marketing, haben aber mit realen Abmessungen der Chips nichts mehr zu tun, gar nichts!
Mit High-NA EUV soll der nächste Schritt gemacht werden. SK Hynix spricht von 1,7mal kleineren Transistoren und einer 2,9fachen Transistordichte.
Obwohl die Transistoren nur 1,7mal kleiner werden, kann man 2,9 mal so viele auf der gleichen Fläche unterbringen, weil man immer mehr in die 3. Dimension geht und dies ist auch bei den Logik Chips der Hauptgrund, warum die Prozesse heute so kleine Nummer wie N2 oder 18A haben: Die Nummern bezogen sich bei so 90nm mal auf echte Strukturgrößen und dann immer mehr darauf, wie klein die Strukturen sein würden, um die gleiche Transistorgröße zu erreichen, obwohl die eigentlichen Strukturgrößen halt größer waren. Nachdem GF, Samsung und TSMC dann bei ihren 20nm Prozessen, die eben erstmal FinFET Transistoren erfordert haben, so viele Probleme hatten, ging danach eine regelrechte Inflation der Nummer los. Davor hat man sich noch an die alte Regel gehalten, dass bei einer Halbierung der Zahl auch eine Vervierfachung der Transistordichte erreicht wurde.
Aber heute gibt z.B. TSMC von N5 auf N3 eine 70% höhere Density an, dabei hätten es nach der alten Nummerierung mehr als 150% sein müssen, da demnach bei N3 auf nur 9mm² so viele Transistoren wie bei N5 auf 25mm² hätten passen müssen. Von N3 auf N2 wird es noch verrückter, da gibt TSMC 10 bis 20% an, es hätte aber mehr als das 100% sein müssen, wenn bei N2 auf 4mm² so viele Transistoren wie auf 9mm² bei N3 passen würden. Die Zahlen werden in letzter Zeit immer mehr inflationär vom Marketing gesenkt und sind technisch überhaupt nicht mehr zu begründen.
