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Intel nennt erstmals konkrete Daten zur 10-nm-Fertigung

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Auf dem Meeting der Technology and Manufacturing Group (TMG) sprach Intel auch etwas genauer über die zukünftige 10-nm-Fertigung, auch wenn man sich in weiten Bereich der eigenen Produktpalette weiterhin auf 14 nm konzentriert.

Noch einmal betont Intel dabei, dass man sich hinsichtlich der Fertigung weit vor der Konkurrenz sieht. Dies betrifft wohl vor allem die größeren High-Performance-Chips, denn bei der Low-Power-Fertigung können TSMC und Samsung inzwischen auch mit sehr guten Ergebnisse aufwarten. Die Anzahl der Transistoren pro Quadratmillimeter als Maßstab genommen sieht sich Intel weiterhin um Jahre voraus. Mit dieser Aussage schielt Intel sicherlich auch auf die Chipflächen-Analyse der Zen-Architektur, die elf Prozent weniger Fläche belegen soll.

Für die Fertigung in 10 nm will Intel große Schritte in weiten Bereichen machen. Dazu gehört unter anderem die Steigerung der Leistung um 25 Prozent sowie die Reduzierung der Leistungsaufnahme um den Faktor 0,55 durch die Reduzierung der Leckströme. Natürlich aber denkt Intel schon deutlich weiter und spricht auch über 10 nm++, also die weiteren Optimierungen der Fertigung. So will man auch hier die Leistung um 15 Prozent steigern und die Leistungsaufnahme weiter reduzieren können.

Erstmals nennt Intel auch einige Vergleichswerte zwischen der eigenen 14- und 10-nm-Fertigung:

Gegenüberstellung von Fertigungen

14 nm 10 nm Verbesserung
Fin Pitch 42 nm 34 nm x 0,81
Min Metal Pitch 52 36 nm x 0,69
Cell Height 399 nm 272 nm x 0,68
Gate Pitch 70 nm 54 nm x 0,78
Dummy Gate Double Single nur ein Dummy Gate notwendig
Gate Contact Std COAG Gate-Kontakt nicht mehr planar

In der zweiten Jahreshälfte 2017 will Intel mit der Fertigung der ersten Prozessoren in 10 nm beginnen.

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