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Das 2022 neu gegründete japanische Halbleiterunternehmen Rapidus hat verkündet, dass man erfolgreich die ersten Wafer mit GAA_Transistoren in 2 nm hergestellt hat. Rapidus wurde gegründet, um die Produktion modernster Chips in Japan voranzutreiben. Mit staatlicher Unterstützung und Partnerschaften mit globalen Partnern strebt Rapidus an, ab 2027 eigene 2-nm-Chips in Japan herzustellen.
Die Herstellung erster Wafer mit solchen GAA-Transistoren, die auch über die entsprechenden elektrischen Charakteristiken verfügen, ist ein weiterer wichtiger Schritt, um letztendlich ein, wie Rapidues es nennt, "Innovative Integration for Manufacturing" oder kurz IIM-1 zu erreichen.
Mit der heutigen Ankündigung beschreibt Rapidus auch ein vollständiges einzelwaferbasiertes Front-End-Processing, bei dem jede Wafer einzeln bearbeitet wird. Dabei können an einem einzelnen Wafer gezielt Anpassungen vorgenommen, überprüft und – falls erfolgreich – auf alle folgenden Wafer angewendet werden. Dieser Ansatz ermöglicht eine deutlich umfangreichere Datenerfassung pro Wafer, was wiederum den Einsatz von KI-Modellen zur Optimierung der Fertigung und Steigerung der Ausbeute unterstützt. Rapidus ist das erste Unternehmen, das dieses vollständig einzelwaferbasierte Verfahren kommerziell umsetzt. Dies ist ein zentrales Element des "Rapid and Unified Manufacturing Service" (RUMs).
Der Bau der ersten Fab von Rapidus begann im September 2023. 2024 wurde der Reinraum fertiggestellt. Ab Juni 2025 wurden die ersten Wafer belichtet, was nun in der Herstellung der ersten Wafer mit GAA-Transistoren in 2 nm mündete.
Das Process Development Kit (PDK) für diese Fertigung soll im ersten Quartal 2026 bereitstehen. Mit der Massenproduktion will Rapidus dann 2027 beginnen.
