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Dementi: Samsung will ab 2022 in 3GAE fertigen

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samsungNachdem in der vergangenen Woche Informationen über anhaltende Probleme in der 5-nm-Fertigung bei Samsung auftauchten, sorgten Bilder vom Foundry Forum 2021 für zusätzliche Verwirrung. Diesen zufolge ist die Fertigung in 3GAE (3 nm Gate All Around Early) komplett verschwunden und demnach eingestellt worden.

Die Kollegen von Anandtech haben bei Samsung angefragt und auch eine Antwort erhalten. Dieser zufolge plant man bei Samsung weiterhin die Fertigung in 3GAE, tritt damit aber nicht an alle Kunden heran bzw. bietet nicht allen Kunden diese Möglichkeit der Fertigung.

"As for the 3GAE process, we've been in discussion with customers and expect to mass-produce 3GAE in 2022".

Mit "Kunden" könnte auch einfach nur Samsungs eigene SoC-Sparte Samsung LSI gemeint sein, wo die Exynos-Prozessoren entwickelt werden. Man plant aber offenbar weiterhin mit 3GAE für 2022. Ein Jahr später, also 2023, soll dann 3GAP (3 nm Gate All Around Plus) folgen – so wie es auch auf den neuesten Roadmaps vermerkt ist. Welche Kunden, außerhalb der eigenen LSI-Sparte, auf die neuen Prozesse setzen werden, wird sich in den kommenden Monaten zeigen.

Samsung Foundry Roadmap mit 4LPP und 3GAP

3GAE und 3GAP sollen ein Leistungsplus von 35 %, eine Reduzierung der Leistungsaufnahme von 50 % bzw. eine Verkleinerung der Strukturen von 45 % gegenüber 7LPP ermöglichen. Dies wären durchaus beachtliche Verbesserungen in allen Kernbereichen der Fertigung. Erste Testchips aus der Fertigung in 3 nm haben bereits in den vergangenen Wochen das Tape Out geschafft.

Für 2022 stehen also die ersten Prozessoren an, die in 3 und zunächst 4 nm gefertigt werden. Dabei handelt es sich meist um "kleinere" SoCs, während die größeren Chips zunächst in 6 und 5 nm vom Band rollen werden.

4LPP als Zwischenschritt

Nicht alle Kunden und Chips werden direkt auf 3GAE und 3GAP wechseln können und wollen. Kunden, die aktuell mit 7LPP planen oder arbeiten, können 5LPE und 5LPP ins Auge fassen. Beide Verfahren sollen wesentliche Verbesserungen im Bereich der Packdichte und Leistung gegenüber 7LPP aufweisen.

Für den nächsten größeren Schritt im FinFET-Bereich geht Samsung auf 4LPE – wie bereits angekündigt. Neu ist 4LPP und hier spricht Samsung vor allem von Verbesserungen in der Leistung. Bei der Packdichte scheint sich gegenüber 5LPE und 5LPP nicht viel zu tun. Dies ist er wieder für 3GAE und 3GAP der Fall. 4LPP dürfte damit der letzte Schritt in der EUV-Fertigung mit FinFETs sein. Danach plant Samsung nur noch mit Multi-Bridge Channel Field-Effect Transistoren (MBCFETs).

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