[Sammelthread] Micron 8GBit E-Die DDR4

Hat jemand ne Idee, was 2x 16GB BLS16G4D30AESB aktuell gebraucht kosten bzw. wert sind?
Ohne OC Testergebnisse
 
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Ich hab kürzlich nen 2x16GB Kit Crucial ballistix DDR4-3600 CL16-18-18-38@1.35v bekommen...

CrucialreveDR_091231.JPG
CrucialreveDR3800abs_090750.JPG


max frequency

ein Modul schafft es auf 4533 beide zusammen schaffen dementsprechend auch 4533, das zweite auf 4666!

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Zuletzt bearbeitet:
Servus, habe nun eine Menge Zeit verbracht, um die optimale Config zu finden. Orientiert habe ich mich natürlich an den einschlägigen Posts hier im Forum und auch an Loretta/Discord.
Mit trCDWR= (<=18) kann ich nicht booten. Ich las irgendwo, das es bei den E-dies häufig so ist, dass man tcl+3 rechnen muss. trCDRD soll angeblich gar keine Auswirkungen auf die Perfomance haben. Der 5700G ist eine Apu; die Latency soll wohl grundsätzlich 5% schlechter sein als bei den Ryzen 5000 mit doppeltem L3.
Könnt Ihr das bestätigen und evtl. hat ja jemand noch Anregungen?
Nur zur Info, GPU ist eine 3070, nicht die iGPU.
Danke und Grüsse
 

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Servus,
ich habe ein ähnliches Setup; einen 5700G mit 2x 16 GB Crucial Ballistix Sport @ 3800 Mhz und einer RX 6700XT. Ich komme aber auf bessere Werte beim AIDA64 Benchmark.
Anbei mal meine Werte zur Orientierung.
 

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Danke für deine Werte; ich habe diese mal bei mir übernommen. Durchsatz ist nun das, was man erwarten darf, allerdings die Latenz ist ausbaufähig. Möglicherweise liegt das an meinem Mini-ITX ASRock Phantom Gaming B550. Z.B. gibt es keine Möglichkeit Spread Spectrum abzuschalten. Setze ich z.B. den BLCK manuell auf 100 Mhz, fällt der Boosttakt aus. Also muss ich BLCK auf Auto (99,8 Mhz) lassen.
 

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Hallo, finde dieses Thema hier sehr nützlich und möchte mich auch etwas beteiligen.

Habe mich hier registriert um meine Erfahrung mit Folgendem RAM mitzuteilen.

Corsair Vengeance RGB RT 32GB 3200C16 ver. 3.31
CMN32GX4M2Z3200C16
2x 16GB Dual-Rank
1Gx8 Micron Chips (SpecTek PP048-062E F 2248)
PP048 = PRN1G8Z11BDFSA laut SpecTek Decoder
PCB-Version: modifiziertes "B2"
[Kühler mit Föhn erhitzt und abgezogen, um die Chips abzulesen]

Laut dem Thaiphoon Burner sollen es Micron D-Die sein, was aber wahrscheinlich inkorrekt ist.

SPD: 3200 22-22-22-53 1,2v
XMP: 3200 16-20-20-38 1,35v

Merkwürdig: Dieses RAM-Kit verträgt sich nicht mit dem Gear-Down Mode

Hatte den RAM zuerst noch mit einem "R5 2600" und dem "ASRock B450 Pro4" verwendet, damit lief er nur bis 2933 stabil, aber das selbst mit 1,2v einwandfrei.
Jedoch nur mit deaktiviertem Gear-Down Mode und auf 2T.
Dann die CPU durch einen "R7 5700X" ersetzt, damit lief er nur noch bis 2666 2T stabil, und das auch nur mit deaktiviertem Gear-Down Mode.
Danach das Mainboard gegen ein "MSI B550-A PRO" getauscht, damit ging 3200 2T, aber weiterhin kein Gear-Down Mode.

Habe dann von den Setup Times gelesen und einfach mit 1T ohne Gear-Down und mit AddrCmdSetup 56 begonnen.

Kurz:
- mit 56 oder 48 kommt Win nicht bis zum Desktop
- 50 bis 52 liefen scheinbar stabil
- nur 52 läuft wirklich stabil, intensiv getestet

Mit AddrCmdSetup 52 UND CsOdtSetup 52 läuft dann 1T Gear-Down plötzlich doch, jedoch auch 1T ohne Gear Down stabil.

Habe dann die Timings optimiert, 20-20-20-40-60 fand ich erstmal ausreichend, und dies war selbst noch bei 1,2v stabil.
Erst mit tRRD 6/8 tFAW 24 wurde 1,3v nötig, sonst in Karhu immer bei 30% der erste Fehler.
Habe dann einfach tRRD auf 4/6 und tFAW auf 16 verkleinert und die Spannung auf 1,35v erhöht.
Bislang alles stabil.
Ob AddrCmdSetup 52 überhaupt von der Latenz besser ist als 2T bezweifel ich...
 

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Rtt würd ich 7-3-4, 7-3-3 und 7-3-1 testen, in der Reihenfolge. Bei DR normal immer RttNom 7 zumindest, ohne kommen bei mir sehr schnell Fehler.

3200 C20 ist halt schon arg langsam? 3200 C16 sollten jedenfalls gehen, also 16-16-20-16-48-64. tRCDRD ist fast immer der limitierende Faktor.
 
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RttNom sollte "Disabled" sein wenn nur ein Modul pro Kanal verwendet wird soweit ich es verstehe.
Dann sollte 0-3-1 korrekt sein.
Hatte da auch mal mit experimentiert als ich noch das ASRock Board hatte, alles andere als RttNom 0 wollte nicht.
Ausser als beide Module in Kanal A steckten und somit nur im Single Channel betrieb waren, da war RttNom 7 und auch nur dann liefen 3200 und sogar 3400.
Aber sobald es Dual Channel Betrieb mit den Modulen in A2 und B2 war wollte es nur noch bis 2666 laufen.

Ich lasse es nun einfach auf 3200 20-20-20-40-60 CR2 und tRRD 6/8 , tFAW 24 laufen.
Somit ist es schonmal etwas schneller als nach JEDEC.

Vorgesehen laut XMP wäre 16-20-20-38-58 und tRRD 6/9 , tFAW 36. (JEDEC tFAW 34)
Mir ist Stabilität aber wichtiger als das letzte bisschen Geschwindigkeit.
Ich möchte weder stundenlang testen noch mich bei jedem Software-Crash fragen ob es nun ein Software oder Hardware Problem ist.

Hatte mich ja extra für den TDP 65w (78w) 5700x entschieden.
Den kriege ich sogar einwandfrei und recht leise mit dem alten Wraith Spire (Kupferkern) gekühlt, selbst beim stundenlangen Videos encodieren.

Was Games angeht ist das forderndste bei mir im Moment nur Ryujinx (Nintendo Switch Emulator).

Ich finde es nur merkwürdig dass diese Module den Gear-Down Mode standardmäßig nicht vertragen.
 
RttNom sollte "Disabled" sein wenn nur ein Modul pro Kanal verwendet wird soweit ich es verstehe.
Dann sollte 0-3-1 korrekt sein.
Hatte da auch mal mit experimentiert als ich noch das ASRock Board hatte, alles andere als RttNom 0 wollte nicht.
Ausser als beide Module in Kanal A steckten und somit nur im Single Channel betrieb waren, da war RttNom 7 und auch nur dann liefen 3200 und sogar 3400.
Aber sobald es Dual Channel Betrieb mit den Modulen in A2 und B2 war wollte es nur noch bis 2666 laufen.
RTTs ändern ihre Bedeutung und Funktionalität mit Dual Rank.
_WR hat die überhand über NOM & PARK & ändert deren Effektivität.
_WR Nutzung hat ebenso die Möglichkeit einer CRC (Korrektur) , neben dass es auf DynamicODT-Mode switched.

Bei Single Rank haben sie eine simplifizierte Nutzung
NOM = Ceiling
PARK = Floor
WR = Volume/Density
Ganz simple ausgedrückt

NOM skaliert mit hoher Spannung
PARK skaliert mit PCB Quality und eher was Hitze erstellt bzw kontrolliert.
NOM kontrolliert Pull-Up overshoots bzw Backreflections.
Nun Ansich sind Reflections ein Ergebniss aus beiden ~ aber high voltage peaks werden durch NOM beinflusst.

Der RRD & WTR Einfluss ~ ist eine side-influence.
Dass diese vom Design her zusammen skalieren und sich beinflussen ist klar :)
Gezielt jedoch nicht RTTs Hauptarbeit.


EDIT:
Was du denke ich gelesen hast, sind Informationen über den DynamicODT Modus
Aber es ist nicht RTTs Hauptarbeit. Es ist nur ein Modus den RTT_WR aktivieren oder ebenso "nicht nutzen" kann.
Standartmäßig haben SingleSided Modules den DynamicODT Modus auf "disabled".

Hier unterscheiden sich dann wieder die "Feature-sets" zwischen IC & PCB hersteller.
Micron kann einiges an tricks wie zb den 3* CAS bef RAS refresh.
Etwas dass die Samsungs nicht können.
LPDDR Micron hat dann noch erweiterten Zugriff auf BurstRefreshes usw.

unknown.png

November, 2022 ~ 1.62v
Die 4800-5000MT/s Bilder finde ich momentan nicht
aida64_2xjrzodk33-png.2564222

// PARK aus da hohe Daily Spannung. Micron Custom A2 PCB
Kühlung = Luft, 30° Raumtemperatur (Sommer) tauglich bis 4800MT/s.
RAS = CAS*3
Das können Hynix & Samsung nicht ! :)
WR = RTP*2, ebenso Micron Exclusive [MSR].
Samsung/Hynix können diese desync rennen.
 
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@ Bread & Veii

Danke an euch für die Infos.
Habe es dann einfach mal probiert und 7-3-4 läuft mit diesem Board direkt.
GDM mag der RAM damit immernoch nicht, und 1T läuft weiterhin nur mit AddrCmdSetup 52.
Nun einfach die folgenden Timings gesetzt und bislang alles Stabil laut TestMem5 (1usmus_v3) und Karhu.
Habe mich vorsichtshalber für 2T entschieden, aber @ 1T off 52 lief je auch ein Test durch.
Habe dabei sogar vergessen die Spannung von 1,3v höher zu setzen, laut Sensor liegt sie tatsächlich bei 1,284v und schwankt @ max/min von 1,28v bis 1,288v.
Man merkt bereits dass der CPU Lüfter in Karhu früher hochdreht.

ZenTimings_Screenshot_28454078.8234081.png



Edit: mittlerweile auch @ 1T und einigen verkleinerten Timings @ 1,3v am prüfen
 

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@MHM kannst noch folgendes probieren, in der Reihenfolge:
  • Zuerst:
    • Die beiden SCL auf 4
    • tCWL = 16 (unbedingt tCWL = tCL , mindestens tCL -1!)
    • tRDWR 8 / tWRRD 3 (wegen höherer tCWL)
    • Drunter dann 1-4-4-1-6-6-1
  • Läuft? Dann
    • ab tRRDS 4-6-16 (tFAW) / tWTRL 4-12-12 (tWR)
    • tRTP = 6 (bei Micron tRTP = tWR / 2, läuft auch bei anderen ICs normal so. Sonst würd ich das einfach = tWR machen und messen obs eh wurscht ist ;))
  • Läuft? Dann die Primaries ab tCL 16-16-20-16-32-48
  • Läuft? Dann tRFC auf 320ns (= tRFC 512 , ev auch tRFC 480 = 300ns)
CsODTSetup müsste auch auf 0 gehen?
 
  • Danke
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@Bread

Läuft? Dann die Primaries ab tCL 16-16-20-16-32-48

Alles vor dieser Zeile klappt sogar bei 1,3v, zumindest einen Durchlauf in TestMem5 @ "1usmus_v3".
Aber ab dieser Zeile ist Schluss, Win fährt hoch aber in TestMem5 klettern die Fehler direkt ab Beginn, selbst bei 1,4v.

Soweit ich mich vorher schon eingelesen hatte ist tRAS bei Ryzen nahezu egal.
Aber bei Micron Rev. E etc. soll häufig Schluss sein wenn man @ 3200MT bei tRC an die 50 runtergeht, und bei tRFC könnten 320ns bereits gefährlich nahe der Instabilität sein.
Da tRC und tRFC kritische Werte sind und zu unbemerkten Datenverfälschungen führen möchte ich da lieber nicht weiter experimentieren.

Zumindest der Latenz in AIDA64 hat es nicht geholfen, aber dieses Benchmark gilt ja auch als extrem Realitätsfern.


ZenTimings_Screenshot_28458404.5849436.png
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RRDL 8 = SCL 5
SCL 4 = RRDL 7
RRDL 6 = SCL 3
😴

EDIT:
Morning~

(min) CCDS = RRDS = BurstChop (8/2)
(min) CCDL = RRDL (passive change)
CCDL = minimum read to read roundtrip between banks
RRDL = minimum read to read trountrip (_L) between bankgroups
RD RD SC Long = consecutive read to read samechip select roundtrip
Delay is CCDL minus Phydelay (1) = +4-1
= RRDL -3.
// CCDL on AMD is handled automatically, up to user set timings.
// RRDL matchup and value force, is a passive change.

2N vs 1N differ in PhyDly, but its RRDL+4-1, or on AM5 its RRDL+8-1
Because DDR4 is BL 8 (/2 for Burstchop) & DDR5 is BL 16 (/2 for BurstChop)

So also remains
tRDWR = tLongDelay (CAS-CWL) + BL/2 (4) + PhyDly (1) + tW(r)PRE (1 to 3, mostly 1)
Soo 0 or 1+4+1+1 = min 6-7.
+1 ontop, for more stability (micron)

Write delays are handled by the CPU.
WR to WR remains at mem-architecture hardlimit of Strobe-chop (4) .
First write is strobe-chop/2 (middle of strobe) , 2nd write if no read happens
is BC4/2 (2) + BC4 = 6nCK for two writes // not relevant here, but for intel tWRWR = 6.

SC_L is a transition delay like remain SC, SD, DD are.
Minimum value of all is between 2,3,4.
Depends on timing action. What its purpose is.
1 means PhyDly, but skipped action. 0 if boardbios allows, means deactivated timing.
 
Zuletzt bearbeitet:
Läuft? Dann die Primaries ab tCL 16-16-20-16-32-48
war etwas zu aggressiv

Habe nun Folgende Werte @ 1,3v scheinbar stabil:
16-18-18-36-54
tRFC = 320ns
beide SCL = 3
Damit ist die Latenz in AIDA64 wieder etwas gesunken.

ZenTimings_Screenshot_28461055.9559107.png
capture_001_11022024_160939.png
 
@MHM sorry bei Micron ist es natürlich

16-16-18-16-48-64 weil tRAS = 3x tCL und tRC = 4x tCL bei Micron am besten, das ist sogar ggf schneller als agressivere Werte. Kannst noch versuchen.

tCKE 1 geht nicht?
 
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@Bread

Doch tCKE 1 ging, aber ich glaube es hängt mit PowerDown zusammen und wäre darum irrelevant, hatte es darum beim letzten versuch auf Auto belassen.

Sicher dass tRAS 48 und tRC 64 sein sollen bei 3200? Weil die im XMP Profil ja bereits bei nur tRAS 38 und tRC 58 liegen.
Eventuell verändert sich deren Bedeutung ja wenn tRCDWR & tRP verkleinert werden, keine Ahnung.

Hatte in 30min TestMem5 und 1,5h Karhu keine Fehler, aber in WhatsApp beim verschicken in 2 Bildern je einen "defekten Block" als Bildartefakt einencodiert, das hatte ich noch nie.
 
Spannend. Ja, normalerweise gilt tRAS = 2x tCL und tRC = tRAS + tRP (= 3x tCL, da tRP meist = tCL). Das ist bei Micron gleich oder schneller, und eben entspannter für die RAMs.
Micron braucht nur mehr tRCDRD, das ist bei den meisten ICs eine "wall", also eine harte Grenze.

Sonst schaut das schon super aus. Könntest noch Setup weg, und CAD 60-20-24-20 versuchen - und 3800 sowieso ;) Hier meine aktuellen Settings:

1707720354299.png


Sind M16E, also 16Gbit ICs wegen 2x 32GB DR, da geht also nicht so viel wie bei M8E. Bei Deinen (wenn das wirklich M8E sind) sollte 3800 C17 jedenfalls laufen, C16 eigentlich auch.
 
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Sonst schaut das schon super aus. Könntest noch Setup weg, und CAD 60-20-24-20 versuchen - und 3800 sowieso ;)
Also CAD 60-20-24-20 hilft nicht, brauche bei 3200 1T weiterhin AddrCmdSetup 52.

3800 1:1 bekomme ich garnicht am laufen, mit 1:2 läuft es einen kurzen Moment in Windows und dann bekommt der Monitor kein Signal mehr und der Rechner hängt.

3600 2T mit entspannten Timings läuft scheinbar stabil, aber der SoC braucht ein paar Watt mehr und nimmt die vom Power-Budget, ist im Endeffekt langsammer damit.

Habe bei 3200 nun folgende Werte und ehrlich gesagt keine Lust schneller als 3200 weiter zu probieren:
Müsste aber noch einige Stunden Testen um sicher zu sein dass es wirklich stabil läuft.

ZenTimings_Screenshot_28466785.2377707.png
capture_001_15022024_154155.png
 
RRDL 8 = SCL 5
SCL 4 = RRDL 7
RRDL 6 = SCL 3
😴

Hello Veii,
why SCL 4 = RRDL 7?
I have RRDL at 6, but later had to go from 3 to 4 with SCL because otherwise it wasn't 100% stable.
Should I therefore go to 7 with RRDL? What about RRDS?
Current values. Do you have any suggestions for improvement? :)

1708063298261.png


Old HCI run
1900IF 3800Mem 2000% HCI.png
 
Zuletzt bearbeitet:
Mit den folgenden Werten @ ZenTimings in 8 Stunden Karhu keine Fehler.

10ns für tRP waren zu wenig, daran ändert auch die Spannung nichts, auf 17 sind nun keinerlei Fehler aufgetreten.
Die Terminierung hat auch keinen Unterschied gemacht, darum wieder auf Standard.

Was aber einen Unterschied gemacht hat war TSME von "Auto" auf "Disabled".
So fallen RAM Instabilitäten sofort, idr bei 7-8% auf und nicht erst später.
Scheinbar werden RAM Tests durch die Verschlüsselung ineffektiver.
Aber soweit ich weiß sollte der 5700x kein TSME unterstützen...
Bei der Latenz in AIDA64 macht es jedenfalls keinen Unterschied.

ZenTimings_Screenshot_28468670.5070385.png
 
Wenn ich beide SCL auf 4 erhöhe hat der RAM aber etwas mehr Durchsatz.
Habe WTR mal auf 3/9 verkleinert wie in deinem Screenshot (@ Bread), dann traten aber wieder direkt einzelne Fehler auf.
Mehr Spannung oder andere Terminierung haben keinen Unterschied gemacht.
Erst mit tRP auf 18 war dann wieder alles gut.

tRC natürlich immer auf tRAS+tRP angepasst
 
Zuletzt bearbeitet:
Habe die Module vertauscht, und so geht nun tRP 16 mit 1,3v Einstellung (1,284v tatsächlich) doch stabil.
Nun geht mit höherer Spannung mehr.
1T geht aber weiterhin nur mit AddrCmdSetup 52.
2T ist aber nur 0,4ns langsammer in AIDA64, dann bleibe ich lieber auf 2T.

  • Die beiden SCL auf 4
  • tCWL = 16 (unbedingt tCWL = tCL , mindestens tCL -1!)
  • tRDWR 8 / tWRRD 3 (wegen höherer tCWL)
  • Drunter dann 1-4-4-1-6-6-1

SCL 4 oder 1-4-4-1-6-6-1 vergrößern nur die Latenz und verringern den Durchsatz @ HWiNFO64 Bandbreite geringfügig.

Rtt würd ich 7-3-4, 7-3-3 und 7-3-1 testen, in der Reihenfolge. Bei DR normal immer RttNom 7 zumindest, ohne kommen bei mir sehr schnell Fehler.
Mit RttPark auf /4 bleiben die RAMs etwas kühler beim Test.
 

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tRCDRD 17 läuft bei der Spannung ebenfalls stabil laut TestMem5, Karhu und OCCT.
Mit den SCLs 4 und 1-4-4-1-6-6 wird der RAM aber ein paar Grad wärmer, was bedeuten dürfte dass mehr Aktivitäten stattfinden, dann scheinen die Tests zu täuschen.

Bei tRCDRD 16 treten dann direkt Fehler auf, auch bis zu 1,45v und höhere ClkDrvStr helfen da nicht mehr.

Prüfe es so noch eine Weile und denke werde final dann auf tRCDRD 18 hochgehen.
 

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Habe die Module vertauscht, und so geht nun tRP 16 mit 1,3v Einstellung (1,284v tatsächlich) doch stabil.
Nun geht mit höherer Spannung mehr.
1T geht aber weiterhin nur mit AddrCmdSetup 52.
2T ist aber nur 0,4ns langsammer in AIDA64, dann bleibe ich lieber auf 2T.
Echt, darauf verzichtest Du? ;)
SCL 4 oder 1-4-4-1-6-6-1 vergrößern nur die Latenz und verringern den Durchsatz @ HWiNFO64 Bandbreite geringfügig.
Durchsatz bei AIDA64 meinst Du, oder? Tatsächlich? Bei mir wird das gleich schlechter auf 5.
Mit RttPark auf /4 bleiben die RAMs etwas kühler beim Test.
Danke, damit bestätigst du was auch viele in OCN beschreiben. Andere wiederum sagen sie merken nix davon.
 
Durchsatz bei AIDA64 meinst Du, oder? Tatsächlich? Bei mir wird das gleich schlechter auf 5.
Sowohl in AIDA64 als auch der Durchsatz in HWiNFO64 beim RAM-Test gehen etwas runter. Aber die Chips werden auf 4 wärmer was mehr durchsatz bedeuten sollte.
Evtl kriegt der Zähler die Peaks nicht mit.

Mit tRCDRD 17 ist eine Harte Grenze erreicht, weniger wird instabil.
tRP 14 scheint bei 1,35v (1,328v Minimum und 1,336v Maximum tatsächlich laut Sensor) auch stabil zu laufen, aber das habe ich noch nicht richtig intensiv getestet.

tRCDWR hatte ich beim letzten Test versehentlich bei 16 vergessen.

Echt, darauf verzichtest Du? ;)
Seit ich die Module vertauscht habe gehen deutlich kürzere Timings, eigentlich wie im alten Ryzen DRAM Calculator.
1T Gear down geht immernoch nicht, und AddrCmdSetup 52 ist auch nicht mehr wirklich stabil, der Wert muss sich etwas verschoben haben.
Darum habe ich es bislang auf 2T betrieben.

Mehr als 3200 will ich auch nicht versuchen weil dann der SoC Verbrauch deutlich ansteigt und dem CCD das Power Budget stiehlt, dann müsste ich da mit undervolten etc anfangen.


So ganz verstehe ich es immernoch nicht was es mit den Terminierungswiderständen RZQ und auch mit den DriveStr auf sich hat.
Höherer Widerstand müsste doch eigentlich weniger Strom und weniger Wärme bedeuten, dafür evtl mehr Ringing, und wenn die Spannungsspitzen in den Chips wie mit Zenerdioden "aufgenommen" werden evtl dadurch die Wärme?
Drive Strength würde ich mir so vorstellen dass bei höheren Werten größere Widerstände intern in Reihe geschaltet werden, dadurch schwächeres Signal aber weniger Ringing gegen die Leitungs- und Chipkapazitäten durch höhere Güte in diesem parasitären Schwingkreis.
Dass keine echten Widerstände benutzt werden sondern mit Gates nachgebildet werden ist mir klar, trotzdem kling es so als wenn es sich mit den Werten genau umgekehrt verhält.
 
Durchsatz bei AIDA64 meinst Du, oder? Tatsächlich? Bei mir wird das gleich schlechter auf 5.
Die Latenz fängt auch zu steigen, wenn man in Bereiche kommt, die nicht richtig stabil sind. Vermute mal das passiert bei ihm mit niedrigeren SCL Werten.
Das kann man auch gezielt nutzen, um die SoC/IoD Spannungen auszuloten (+ Sicherheitsaufschlag später).
Ich nutze dafür ein WintoGo wo nichts im Hintergrund läuft, da Aida dann konstante Ergebnisse liefert.
 
Läuft so nun ein paar Tage stabil.
1T geht weiterhin mit AddCmdSetup 52.
Hatte "Memory Fast Boot" beim letzten UEFI Reset auf dem Standard "Enabled" übersehen, das muss da irgendwie zwischengefunkt haben als 1T-52 nicht wollte.
 

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Nun gab es ein BIOS Update für das "MSI B550-A Pro", und damit funktioniert der RAM bei 3200 nichtmal mehr mit CL22 (SPD) stabil.
CMOS Reset natürlich auch schon durchgeführt, obwohl das Update alle Einstellungen zurückgesetzt hatte.
Alle Spannungen (SoC) etc. sind wie vorher.

Es sind nur einzelne sporadische Fehler, wenn der Rechner während des RAM-Tests nicht benutzt wird läuft es mitunter Stundenlang fehlerfrei.
Mit optimiertem RAM fallen sie früher auf als mit SPD Timings.

7C56vAG
"Fixed SOC voltage reading error issue."

Ich habe die Vermutung dass eine der Spannungen evtl grenzwertig war und nach dem Update evtl anders geregelt wird (Loadline Calibration ...)
Habe nun mal SoC im "Offset Mode" um +0,05V angehoben.
Liegt nun idle bei 1,050v und unter Last bei 1,044v.
Im Gegensatz zur manuellen Spannungseingabe funktioniert der SoC-Stromsparkram im Offset-Mode weiterhin.

Nach einem CMOS Reset läuft das Board nach wie vor mit dem RAM auf 2933 @ Auto, obwohl der RAM 3200 SPD & XMP Profile hat.
Mit 2933 wählt das Board weiterhin auf Automatik ProcOdt 60 Ohm, und alle DrvStr 24 Ohm.
Mit 3200 sind es ProcOdt 36.9 Ohm, und alle DrvStr 20 Ohm.

Weiß Jemand wie hoch die Spannungen bei Zen3 und 2xDR 3200er RAM mit aktuellem AGESA so liegen sollten?
 
Mit dem +50mV SoC Offset scheint nun alles wirklich stabil zu sein.

Betreibe den RAM vorerst mit 16-18-18-48-66, CR 1T-52, tRFC 300ns und tRRD/tFAW 6-6-24 sowie SCLs 4, bei tatsächlichen 1,35v laut Sensor.
Wird mit TestMem5 dabei bereits 51°C warm obwohl die Belüftung wirklich schon großzügig ist.
Die Last scheint nun größer zu sein wo der SoC stabil läuft.
Ganz so niedrig wie vorher komme ich mit der RAM Spannung nun nicht mehr hin.

Ist ja schon besser als XMP 16-20-20 mit tRRD/tFAW 6-9-36.
Erstmal habe ich nun genug vom prüfen etc, aber immerhin ist so aufgefallen dass der SoC mit der Standardspannung bei DDR4-3200 bereits schon instabil war.
 
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