3D Stacked FET: Wie Samsung die Halbleiterleistung vorantreiben will

[HWL News Bot]

Intel hat auf dem VLSI Symposium einige Leistungsdaten des nächsten Fertigungsprozesses Intel 18A-P gesprochen. Samsung spricht über das Ende der klassischen 2D-Skalierung, Gate-All-Around als nächste Evolutionsstufe und den Übergang in die dritte Dimension mittels 3D-gestapelten Transistoren.
... weiterlesen

 

[Mr.Mito]

Danke für den Artikel. War interessant auch die unterschiedliche, strategische Ausrichtung der Firmen zu sehen. Intel ist wohl wirklich in Zugzwang und gewillt durch einige Risiken wieder aufzuholen, wobei sie wohl auch keine andere Wahl haben. Bin gespannt obs klappt.