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Thema: GAA

  • Ab 2022 in 3 nm: Samsungs Multi Bridge Channel FET als Zukunft der Halbleitertechnik

    mbcfetSamsung stellt mit den Multi Bridge Channel FETs (MBCFET) die nächste Generation der Feldeffekttransistoren (FET) vor. Diese sollen alle aktuellen physikalischen und elektrischen Schranken umgehen können und ab 2022 bei Samsung in der Massenfertigung in 3 nm zum Einsatz kommen. Bereits 2021 soll es aber erste Samples geben. Bereits Anfang 2019 sprach Samsung erstmals über das Thema, fügt...... [mehr]