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Toshiba startet Prototyp-Produktion von TLC-NAND mit TSV-Technik

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toshiba nandToshiba produziert laut eigenen Angaben zufolge die ersten NAND-Bausteine mit der TSV-Technik. Die Besonderheit der Speicherbausteine ist in der Verdrahtung zu finden. Während alle aktuellen Speicherdies intern mit dünnen Drahtbonds verbunden werden, werden bei der TSV-Technik die Dies vertikal angeordnet und miteinander verbunden. Damit werden die Signalwege deutlich verkürzt und es können höhere Geschwindigkeiten erreicht werden. Zudem können mehr Dies in einem Speicherchip vereint werden, womit die Kapazität der einzelnen Bausteine ansteigt. TSVs kommen bereits bei flüchtigem DRAM und HBM zum Einsatz und werden von Toshiba nun auch bei nichtflüchtigem Speicher angewendet.

Laut Toshiba nutzen die ersten produzierten Speicherchips mit der TSV-Technik weiterhin TLC-Speicherzellen. Somit können pro Speicherzelle insgesamt drei Zustände gespeichert werden. Die einzelnen Speicherlagen werden dabei auch weiterhin im 3D-Verfahren gestapelt und der BiCS-Flash der zweiten Generation kommt mit 48 Lagen daher.

Für die Zukunft sieht Toshiba eine deutliche Steigerung der Speicherdichte durch die TSV-Technik. Der Chiphersteller plant, dass die einzelne Speicherchips dann eine Kapazität von bis zu 1 TB bieten sollen und die Geschwindigkeit auf bis zu 1.066 Mbit/s anwachsen soll.

Bei der Produktion handelt es sich jedoch lediglich um erste Prototypen. Bis die Massenfertigung beginnen kann, müssen erst noch eine Vielzahl an Problemen überwunden werden. Durch die höhere Speicherdichte des NAND können die Hersteller von SSDs im 2,5-Zoll-Format eine Kapazität von bis zu 100 TB realisieren.

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