Also solche pauschalen Angaben zur Transistordichte sind sehr problematisch, da es bei den jeweiligen Prozessen unterschiedliche Varianten mit unterschiedlichen Zellen gibt, je nach Anforderung und daraus ergeben sich dann auch ganz unterschiedliche Transistordichten. Hier z.B. von
wikichip für TSMCs N3E:
Wie man sieht, liegen da zwischen verschiedenen Zelltypen, die man eben für unterschiedliche Anwendungen / Transistoren auf einem Chip braucht, mal eben 50% mehr Transistordichte. Die Zellen mit der höchsten Transistordichte, die HD Libs, kann man aber nicht so schnell schalten wie die HP (High Performance) Zellen für hohe Taktraten und da soll TSMC N3E sogar nur eine sehr ähnliche Transistordichte wie Intel 4 HP erreichen.
Ein Ansatz ist es die Größe von SRAM Zellen zu vergleichen, was bei TSMC so aussieht:
Wie man sieht ist bei N3E eine SRAM Zelle so groß wie bei N5, aber auch hier hängt es dann wieder von der Variante des Prozesses ab, wie ja auch hier bei HL vor einiger Zeit zu lesen war:
Damals gab es von TSMC und Intel folgende Aussagen zur SRAM Dichte für N2 bzw. 18A:
Von daher ist nicht davon auszugehen, dass die 184,21 MTr/mm² die Intel 18A hier nachgesagt werden, wirklich mit den 313 MTr/mm² die TechInsight für N2 nennt, wirklich vergleichbar sind. Wer die Transistordichte für HD mit denen der HP Libs vergleicht, der vergleicht Äpfel mit Birnen und wenn Rapidus für N2 236,17 MTr/mm² nennt und 237,31 MTr/mm² für seinen 2HP genannten Prozess nennt, dürften die sich bei allen auf die HP Prozesse beziehen. Dann wäre da nur noch die Frage wie hoch denn die erreichbaren Taktraten der jeweiligen Prozesse sein wird, denn High Performance ist halt auch relativ für jeden Prozess und je dichter man die Transistoren packt, umso mehr rückt man im Prinzip zur HD Variante und schafft damit tendenziell eher weniger Takt. Wenn 237,31 MTr/mm² dann vielleicht nur reichen um auf 5GHz zu kommen, während mit 184,21 MTr/mm² vielleicht 6GHz machbar sind, so sagt auch hier die Transistordichte alleine nichts aus. Nur wenn beide für die gleichen Taktraten gut sind, dann kann man klar sagen, dass der Prozess der dabei auch noch mehr Transistoren auf der gleichen Fläche unterbringt, zumindest in der Hinsicht besser ist und wann man dann noch die Leistungsaufnahme dabei einbezieht, kann man sagen welcher Prozess den zumindest technisch besser ist. Um zu sagen welcher insgesamt besser ist kommen noch Dinge wie die Kosten und die Ausbeute dazu und eben auch die Turnaround Time, bei der Rapidus punkten will.
Am Ende bleibt für uns Kunden nur zu hoffen, dass es möglichst viele Firmen schaffen werden TSMC Konkurrenz zu machen, da deren Preise und damit die Preise die wir zahlen müssen, sonst nur noch weiter durch die Decke gehen werden.
