Hey leute! Ich würde gerne mehr über meinen Ram wissen: Geschwindigkeit, ist er der schlechteste den es gibt oder sogar ein guter?
Everest liest diese Daten aus:
Arbeitsspeicher Eigenschaften
Modulname Samsung M3 68L6523CUS-CCC
Seriennummer 0202D454h (1423180290)
Herstellungsdatum Woche 7 / 2005
Modulgröße 512 MB (1 rank, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR SDRAM
Speichergeschwindigkeit PC3200 (200 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 2.5
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh
Speicher Timings
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-14-2 (RC-RFC-RRD)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) / 10-12-2 (RC-RFC-RRD)
Speichermodulbesonderheiten
Early RAS# Precharge Nicht unterstützt
Auto-Precharge Nicht unterstützt
Precharge All Nicht unterstützt
Write1/Read Burst Nicht unterstützt
Buffered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
Registered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
On-Card PLL (Clock) Nicht unterstützt
Buffered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Registered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Differential Clock Input Unterstützt
Redundant Row Address Nicht unterstützt
Speichermodulhersteller
Firmenname Samsung
Und CPU-Z das: unter Memory
Typ: DDR Cahnnels: Dual
Size: 2048MB
Timings:
Frequency: 199,5Mhz
FSB: DRAM: 1:1
CAS#Latency: 3.0 clocks
RAS#t o Cas# Delay: 3.0 clocks
Cycle Time(Tras): 8.0 clocks
Sorry, wenn dies eine "blöde" Frage ist. Aber in dem Gebiet(Ram) bin ich nicht der schlauste. Hoffe ihr könnt mir helfen!??!!
Tschau, GamerPC
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Arbeitsspeicher Eigenschaften
Modulname Samsung M3 68L6523CUS-CCC
Seriennummer 0202D454h (1423180290)
Herstellungsdatum Woche 7 / 2005
Modulgröße 512 MB (1 rank, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR SDRAM
Speichergeschwindigkeit PC3200 (200 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 2.5
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh
Speicher Timings
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-14-2 (RC-RFC-RRD)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) / 10-12-2 (RC-RFC-RRD)
Speichermodulbesonderheiten
Early RAS# Precharge Nicht unterstützt
Auto-Precharge Nicht unterstützt
Precharge All Nicht unterstützt
Write1/Read Burst Nicht unterstützt
Buffered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
Registered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
On-Card PLL (Clock) Nicht unterstützt
Buffered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Registered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Differential Clock Input Unterstützt
Redundant Row Address Nicht unterstützt
Speichermodulhersteller
Firmenname Samsung
Und CPU-Z das: unter Memory
Typ: DDR Cahnnels: Dual
Size: 2048MB
Timings:
Frequency: 199,5Mhz
FSB: DRAM: 1:1
CAS#Latency: 3.0 clocks
RAS#t o Cas# Delay: 3.0 clocks
Cycle Time(Tras): 8.0 clocks
Sorry, wenn dies eine "blöde" Frage ist. Aber in dem Gebiet(Ram) bin ich nicht der schlauste. Hoffe ihr könnt mir helfen!??!!
Tschau, GamerPC

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