Aktuelles

[Übersicht] Begriffserklärungen

Frobax

Neuling
Thread Starter
Mitglied seit
26.08.2011
Beiträge
49
Hallo ihr alle :)

Ich bin noch ziemlich unerfahren in vielen speziellen Computerbegriffen.
Vielleicht gehts manchen oder Neueinsteigern genauso, deshalb habe ich mir gedacht,
ich mach mal einen Thread auf in dem ich und ihr nach speziellen Begriffen fragen und/oder sie erklären könnt.
Ich werde die Begriffe dann möglichst rasch aktualisieren.

Meine ersten Fragen:

1.Für was stehen die einzelnen Zahlen 9-9-9-24 beim Speicher, ich weiß sie sind wichtig und man kann viel daraus lesen, aber was weiß ich nicht?

2.Was bedeutet 1t bzw. 2t Command Rate?

3. Was bedeutet CL 7, 8,9...?

4.Was ist ein EEPROM?

5. und wo ist der Unterschied zu einem SPD-EEROM?

6.Was sind Fallback-Frequenzen?

7.Was sind XMP-Settings?

Antworten:

Zu 1.: (Die Einheiten der Zeit vom RAM werden in Milisekunden (ms) angegeben.)

CAS Latency (CL) 9
Der Parameter CL (CAS latency, auch tCL) beschreibt die Zeit, welche zwischen der Absendung eines Lesekommandos und dem Erhalt der Daten vergeht.

RAS to CAS Delay (tRCD) 9
Der Parameter tRCD (RAS-to-CAS delay, row-to-column delay) beschreibt bei einem DRAM die Zeit, die nach der Aktivierung einer Wortleitung (activate) verstrichen sein muss, bevor ein Lesekommando (read) gesendet werden darf. Der Parameter ist dadurch bedingt, dass das Verstärken der Bitleitungsspannung und das Rückschreiben des Zellinhaltes abgeschlossen sein muss, bevor die Bitleitungen mit den Datenleitungen weiterverbunden werden dürfen.

RAS Precharge (tRP) 9
Der Parameter „tRP“ („Row Precharge Time“) beschreibt die Zeit, die nach einem Precharge-Kommando mindestens verstrichen sein muss, bevor ein erneutes Kommando zur Aktivierung einer Zeile in der gleichen Bank gesendet werden darf. Diese Zeit ist durch die Bedingung definiert, dass alle Spannungen im Zellenfeld (Wortleitungsspannung, Versorgungsspannung der Leseverstärker) abgeschaltet sind und die Spannungen aller Leitungen (insbesondere die der Bitleitungen) wieder auf ihrem Ausgangsniveau angekommen sind.

Cycle Time (tRAS) 24
Der Parameter tRAS (RAS pulse width, Active Command Period, Bank Active Time) beschreibt die Zeit, die nach der Aktivierung einer Zeile (bzw. einer Zeile in einer Bank) verstrichen sein muss, bevor ein Kommando zum Deaktivieren der Zeile (Precharge, Schließen der Bank) gesendet werden darf. Der Parameter ist dadurch gegeben, dass die Verstärkung der Bitleitungsspannung und das Rückschreiben der Information in die Zelle vollständig abgeschlossen sein muss, bevor die Wortleitung deaktiviert werden darf. d. h. je kleiner desto besser.


Zu 2.:
Command Rate
Die Command Rate (zu deutsch Befehlsrate) ist die Latenzzeit, welche bei der Auswahl der einzelnen Speicherchips benötigt wird, genauer gesagt, die Adress- und Command Decode Latency. Die Latenzzeit gibt an, wie lange ein Speicherbank Adressierungssignal anliegt, bevor die Ansteuerung der Zeilen und Spalten der Speichermatrix geschieht. Typische Werte für DDR und DDR2 Speichertypen sind 1-2T, meistens wird 2T genutzt.

Zu 3.:
CAS Latency (CL)
Der Parameter CL (CAS latency, auch tCL) beschreibt die Zeit, welche zwischen der Absendung eines Lesekommandos und dem Erhalt der Daten vergeht.

Zu 4.:
EEPROM

Ein EEPROM besteht aus einer Feldeffekt-Transistorenmatrix mit isoliertem Floating Gate, in der jeder Transistor ein Bit repräsentiert. Beim Programmiervorgang wird auf das Floating Gate eine Ladung gespeichert (der Transistor sperrt). Beim Löschen wird diese Ladung wieder entfernt. Das geschieht wie das Programmieren mit einem hohen Spannungspuls am Control Gate, wobei ein Tunnelstrom von diesem durch das isolierende Dielektrikum auf das Floating Gate fließt. Schematische Darstellung Dieser Löschvorgang kann entweder durch ein Programmiergerät oder auch direkt im System erfolgen. Bei EPROMs ist hingegen zum Löschen UV-Licht nötig. Um den gesamten Inhalt eines EEPROMs zu löschen, werden deshalb nur einige Sekunden benötigt - verglichen mit 10 bis 30 Minuten beim EPROM.

Zu 5.:
Der Unterschied zu einem SPD-EEPROM ist ein kleiner Chip,in dem die wichtigsten Daten über das Modul gespeichert sind.
Neuere Mainbard lesen diese Daten aus und ändern die Bios-Einstellungen.

Zu 6.:
Eine Fallback-Frequenzen ist eine Änderung zu Taktfrequenz und Spannung.

Zu 7.:
Die Abkürzung XMP steht für:
Extensible Metadata Platform, eine Auszeichnungstechnologie für Metadaten
Xanthosinmonophosphat in der Pharmakologie
Extreme Memory Profile des Herstellers Intel (Zertifizierung von RAM-Speichern - XMP)

Gruß Frobax
 
Zuletzt bearbeitet:
Wenn Du diese Anzeige nicht sehen willst, registriere Dich und/oder logge Dich ein.
Wenn Du diese Anzeige nicht sehen willst, registriere Dich und/oder logge Dich ein.

Evildead

Enthusiast
Mitglied seit
14.01.2008
Beiträge
4.352
Ort
Mülheim/Ruhr (Deutschland)
Hallo ihr alle :)

Ich bin noch ziemlich unerfahren in vielen speziellen Computerbegriffen.
Vielleicht gehts manchen oder Neueinsteigern genauso, deshalb habe ich mir gedacht,
ich mach mal einen Thread auf in dem ich und ihr nach speziellen Begriffen fragen und/oder sie erklären könnt.
Ich werde die Begriffe dann möglichst rasch aktualisieren.

Meine ersten Fragen:

1.Für was stehen die einzelnen Zahlen 9-9-9-24 beim Speicher, ich weiß sie sind wichtig und man kann viel daraus lesen, aber was weiß ich nicht?

2.Was bedeutet 1t bzw. 2t Command Rate?

3. Was bedeutet CL 7, 8,9...?

4.Was ist ein EEPROM?

5. und wo ist der Unterschied zu einem SPD-EEROM?

6.Was sind Fallback-Frequenzen?

7.Was sind XMP-Settings?

Gruß Frobax



Hallo Frobax

CAS Latency (CL) 9
Der Parameter CL (CAS latency, auch tCL) beschreibt die Zeit, welche zwischen der Absendung eines Lesekommandos und dem Erhalt der Daten vergeht.

RAS to CAS Delay (tRCD) 9
Der Parameter tRCD (RAS-to-CAS delay, row-to-column delay) beschreibt bei einem DRAM die Zeit, die nach der Aktivierung einer Wortleitung (activate) verstrichen sein muss, bevor ein Lesekommando (read) gesendet werden darf. Der Parameter ist dadurch bedingt, dass das Verstärken der Bitleitungsspannung und das Rückschreiben des Zellinhaltes abgeschlossen sein muss, bevor die Bitleitungen mit den Datenleitungen weiterverbunden werden dürfen.

RAS Precharge (tRP) 9
Der Parameter „tRP“ („Row Precharge Time“) beschreibt die Zeit, die nach einem Precharge-Kommando mindestens verstrichen sein muss, bevor ein erneutes Kommando zur Aktivierung einer Zeile in der gleichen Bank gesendet werden darf. Diese Zeit ist durch die Bedingung definiert, dass alle Spannungen im Zellenfeld (Wortleitungsspannung, Versorgungsspannung der Leseverstärker) abgeschaltet sind und die Spannungen aller Leitungen (insbesondere die der Bitleitungen) wieder auf ihrem Ausgangsniveau angekommen sind.

Cycle Time (tRAS) 24
Der Parameter tRAS (RAS pulse width, Active Command Period, Bank Active Time) beschreibt die Zeit, die nach der Aktivierung einer Zeile (bzw. einer Zeile in einer Bank) verstrichen sein muss, bevor ein Kommando zum Deaktivieren der Zeile (Precharge, Schließen der Bank) gesendet werden darf. Der Parameter ist dadurch gegeben, dass die Verstärkung der Bitleitungsspannung und das Rückschreiben der Information in die Zelle vollständig abgeschlossen sein muss, bevor die Wortleitung deaktiviert werden darf. d. h. je kleiner desto besser.


Command Rate
Die Command Rate (zu deutsch Befehlsrate) ist die Latenzzeit, welche bei der Auswahl der einzelnen Speicherchips benötigt wird, genauer gesagt, die Adress- und Command Decode Latency. Die Latenzzeit gibt an, wie lange ein Speicherbank Adressierungssignal anliegt, bevor die Ansteuerung der Zeilen und Spalten der Speichermatrix geschieht. Typische Werte für DDR und DDR2 Speichertypen sind 1-2T, meistens wird 2T genutzt.


Die Abkürzung XMP steht für:
Extensible Metadata Platform, eine Auszeichnungstechnologie für Metadaten
Xanthosinmonophosphat in der Pharmakologie
Extreme Memory Profile des Herstellers Intel (Zertifizierung von RAM-Speichern - XMP)


EEPROM

Ein EEPROM besteht aus einer Feldeffekt-Transistorenmatrix mit isoliertem Floating Gate, in der jeder Transistor ein Bit repräsentiert. Beim Programmiervorgang wird auf das Floating Gate eine Ladung gespeichert (der Transistor sperrt). Beim Löschen wird diese Ladung wieder entfernt. Das geschieht wie das Programmieren mit einem hohen Spannungspuls am Control Gate, wobei ein Tunnelstrom von diesem durch das isolierende Dielektrikum auf das Floating Gate fließt. Schematische Darstellung Dieser Löschvorgang kann entweder durch ein Programmiergerät oder auch direkt im System erfolgen. Bei EPROMs ist hingegen zum Löschen UV-Licht nötig. Um den gesamten Inhalt eines EEPROMs zu löschen, werden deshalb nur einige Sekunden benötigt - verglichen mit 10 bis 30 Minuten beim EPROM.
 
Zuletzt bearbeitet:

stunned_guy

Moderator , Mr. San Diego, Bulldozer
Hardwareluxx Team
Mitglied seit
17.10.2005
Beiträge
25.003
Ort
Chemnitz
Hast du gut aus dem Internet herauskopiert, ein paar Sachen haben nämlich nichts mit RAM zu tun.
 

stunned_guy

Moderator , Mr. San Diego, Bulldozer
Hardwareluxx Team
Mitglied seit
17.10.2005
Beiträge
25.003
Ort
Chemnitz
Du warst doch nicht gemeint ;) Es ging um Evildead. Aber warum hat er seinen Beitrag selbst gelöscht ?
 

pajaa

Super Moderator
Hardwareluxx Team
Mitglied seit
19.05.2006
Beiträge
21.861
Ort
unterwegs
Auf Wunsch von Evildead habe ich seinen ersten Post in diesem Thread wiederhergestellt.
 

kcarlo99

Neuling
Mitglied seit
12.02.2012
Beiträge
3
Hallo Frobax

CAS Latency (CL) 9
Der Parameter CL (CAS latency, auch tCL) beschreibt die Zeit, welche zwischen der Absendung eines Lesekommandos und dem Erhalt der Daten vergeht.

RAS to CAS Delay (tRCD) 9
Der Parameter tRCD (RAS-to-CAS delay, row-to-column delay) beschreibt bei einem DRAM die Zeit, die nach der Aktivierung einer Wortleitung (activate) verstrichen sein muss, bevor ein Lesekommando (read) gesendet werden darf. Der Parameter ist dadurch bedingt, dass das Verstärken der Bitleitungsspannung und das Rückschreiben des Zellinhaltes abgeschlossen sein muss, bevor die Bitleitungen mit den Datenleitungen weiterverbunden werden dürfen.

RAS Precharge (tRP) 9
Der Parameter „tRP“ („Row Precharge Time“) beschreibt die Zeit, die nach einem Precharge-Kommando mindestens verstrichen sein muss, bevor ein erneutes Kommando zur Aktivierung einer Zeile in der gleichen Bank gesendet werden darf. Diese Zeit ist durch die Bedingung definiert, dass alle Spannungen im Zellenfeld (Wortleitungsspannung, Versorgungsspannung der Leseverstärker) abgeschaltet sind und die Spannungen aller Leitungen (insbesondere die der Bitleitungen) wieder auf ihrem Ausgangsniveau angekommen sind.

Cycle Time (tRAS) 24
Der Parameter tRAS (RAS pulse width, Active Command Period, Bank Active Time) beschreibt die Zeit, die nach der Aktivierung einer Zeile (bzw. einer Zeile in einer Bank) verstrichen sein muss, bevor ein Kommando zum Deaktivieren der Zeile (Precharge, Schließen der Bank) gesendet werden darf. Der Parameter ist dadurch gegeben, dass die Verstärkung der Bitleitungsspannung und das Rückschreiben der Information in die Zelle vollständig abgeschlossen sein muss, bevor die Wortleitung deaktiviert werden darf. d. h. je kleiner desto besser.


Command Rate
Die Command Rate (zu deutsch Befehlsrate) ist die Latenzzeit, welche bei der Auswahl der einzelnen Speicherchips benötigt wird, genauer gesagt, die Adress- und Command Decode Latency. Die Latenzzeit gibt an, wie lange ein Speicherbank Adressierungssignal anliegt, bevor die Ansteuerung der Zeilen und Spalten der Speichermatrix geschieht. Typische Werte für DDR und DDR2 Speichertypen sind 1-2T, meistens wird 2T genutzt.


Die Abkürzung XMP steht für:
Extensible Metadata Platform, eine Auszeichnungstechnologie für Metadaten
Xanthosinmonophosphat in der Pharmakologie
Extreme Memory Profile des Herstellers Intel (Zertifizierung von RAM-Speichern - XMP)


EEPROM

Ein EEPROM besteht aus einer Feldeffekt-Transistorenmatrix mit isoliertem Floating Gate, in der jeder Transistor ein Bit repräsentiert. Beim Programmiervorgang wird auf das Floating Gate eine Ladung gespeichert (der Transistor sperrt). Beim Löschen wird diese Ladung wieder entfernt. Das geschieht wie das Programmieren mit einem hohen Spannungspuls am Control Gate, wobei ein Tunnelstrom von diesem durch das isolierende Dielektrikum auf das Floating Gate fließt. Schematische Darstellung Dieser Löschvorgang kann entweder durch ein Programmiergerät oder auch direkt im System erfolgen. Bei EPROMs ist hingegen zum Löschen UV-Licht nötig. Um den gesamten Inhalt eines EEPROMs zu löschen, werden deshalb nur einige Sekunden benötigt - verglichen mit 10 bis 30 Minuten beim EPROM.

Vielen Dank Evildead, danach habe ich auch gesucht;-)!
 

Frobax

Neuling
Thread Starter
Mitglied seit
26.08.2011
Beiträge
49
Danke

Huhu,

erstmal vielen dank, Evildead, für die zahlreichen Antworten. Ich habe sie oben hinzugefügt :).
Jetzt weiß ich auf jeden Fall schon mal grundlegende Sachen :):):).
Ich hätte aber trotzdem noch ein paar fragen :d.
Die beiden von oben:
5. und wo ist der Unterschied zu einem SPD-EEROM?

6.Was sind Fallback-Frequenzen?

Und zu den Parametern 9-9-9-24, sie beschreiben ja Zeiten. In welcher Einheit wird die Zeit angegeben(Sekunden, Millisekunden)?

Gruß Frobax
 

Evildead

Enthusiast
Mitglied seit
14.01.2008
Beiträge
4.352
Ort
Mülheim/Ruhr (Deutschland)
Hallo Frobax

Bitte ;)

Hier sind die restlichen Antworten.

Der Unterschied zu einem SPD-EEPROM ist ein kleiner Chip,in dem die wichtigsten Daten über das Modul gespeichert sind.
Neuere Mainbard lesen diese Daten aus und ändern die Bios-Einstellungen.

Die Einheiten der Zeit vom RAM werden in Milisekunden (ms) angegeben.

Eine Fallback-Frequenzen ist eine Änderung zu Taktfrequenz und Spannung.
 
Zuletzt bearbeitet:

Frobax

Neuling
Thread Starter
Mitglied seit
26.08.2011
Beiträge
49
Gibt es eigentlich noch weitere wichtige Begriffe, die ich vergessen habe auf zuführen?

Gruß und Danke Frobax
 
Oben Unten