Hi alle zusammen
ich hab schon seit längerm 2 x 512Mb RAM's doch auf einmal geht nur noch eines der beiden also beide sind drin aber nur von dem einen bekomm ich 512 das andere ist garnicht atkive so würde ich das jetzt ma beschreiben
ich hab beide schon alleine laufen lassen und da lief auch alles nur zu zweit sind sie nicht mehr so gute freunde ^^
na ja ich hoffe ich könnt mir weiter helfen bin echt schon verzweifelt deswegen
mfg Heady
RAM Informationen:
Nummer 1.
Modulname Aeneon AED660UD00-500C88M
Seriennummer 0D0F358Bh (2335510285)
Herstellungsdatum Woche 51 / 2006
Modulgröße 512 MB (2 ranks, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR SDRAM
Speichergeschwindigkeit PC3200 (200 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 2.5
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh
Speicher Timings
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-13-2 (RC-RFC-RRD)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) / 10-11-2 (RC-RFC-RRD)
@ 133 MHz 2.0-2-2-6 (CL-RCD-RP-RAS) / 8-9-2 (RC-RFC-RRD)
Speichermodulbesonderheiten
Early RAS# Precharge Unterstützt
Auto-Precharge Nicht unterstützt
Precharge All Nicht unterstützt
Write1/Read Burst Nicht unterstützt
Buffered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
Registered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
On-Card PLL (Clock) Nicht unterstützt
Buffered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Registered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Differential Clock Input Unterstützt
Redundant Row Address Nicht unterstützt
Nummer 2:
Modulname Micron Tech. 16VDDT6464AG-265A1
Seriennummer 03197AF4h (4101642499)
Herstellungsdatum Woche 48 / 2001
Modulgröße 512 MB (2 ranks, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR SDRAM
Speichergeschwindigkeit PC2100 (133 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 2.5
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh
Speicher Timings
@ 133 MHz 2.5-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 100 MHz 2.0-2-2-5 (CL-RCD-RP-RAS)
Speichermodulbesonderheiten
Early RAS# Precharge Nicht unterstützt
Auto-Precharge Nicht unterstützt
Precharge All Nicht unterstützt
Write1/Read Burst Nicht unterstützt
Buffered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
Registered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
On-Card PLL (Clock) Nicht unterstützt
Buffered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Registered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Differential Clock Input Unterstützt
Redundant Row Address Nicht unterstützt
ich hab schon seit längerm 2 x 512Mb RAM's doch auf einmal geht nur noch eines der beiden also beide sind drin aber nur von dem einen bekomm ich 512 das andere ist garnicht atkive so würde ich das jetzt ma beschreiben
ich hab beide schon alleine laufen lassen und da lief auch alles nur zu zweit sind sie nicht mehr so gute freunde ^^
na ja ich hoffe ich könnt mir weiter helfen bin echt schon verzweifelt deswegen
mfg Heady
RAM Informationen:
Nummer 1.
Modulname Aeneon AED660UD00-500C88M
Seriennummer 0D0F358Bh (2335510285)
Herstellungsdatum Woche 51 / 2006
Modulgröße 512 MB (2 ranks, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR SDRAM
Speichergeschwindigkeit PC3200 (200 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 2.5
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh
Speicher Timings
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-13-2 (RC-RFC-RRD)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) / 10-11-2 (RC-RFC-RRD)
@ 133 MHz 2.0-2-2-6 (CL-RCD-RP-RAS) / 8-9-2 (RC-RFC-RRD)
Speichermodulbesonderheiten
Early RAS# Precharge Unterstützt
Auto-Precharge Nicht unterstützt
Precharge All Nicht unterstützt
Write1/Read Burst Nicht unterstützt
Buffered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
Registered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
On-Card PLL (Clock) Nicht unterstützt
Buffered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Registered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Differential Clock Input Unterstützt
Redundant Row Address Nicht unterstützt
Nummer 2:
Modulname Micron Tech. 16VDDT6464AG-265A1
Seriennummer 03197AF4h (4101642499)
Herstellungsdatum Woche 48 / 2001
Modulgröße 512 MB (2 ranks, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR SDRAM
Speichergeschwindigkeit PC2100 (133 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 2.5
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh
Speicher Timings
@ 133 MHz 2.5-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 100 MHz 2.0-2-2-5 (CL-RCD-RP-RAS)
Speichermodulbesonderheiten
Early RAS# Precharge Nicht unterstützt
Auto-Precharge Nicht unterstützt
Precharge All Nicht unterstützt
Write1/Read Burst Nicht unterstützt
Buffered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
Registered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
On-Card PLL (Clock) Nicht unterstützt
Buffered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Registered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Differential Clock Input Unterstützt
Redundant Row Address Nicht unterstützt
