Infineon: Erste funktionsfähige SiC-Leistungshalbleiter auf 300-mm-Wafern

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Infineon hat nach eigenen Angaben erstmals funktionsfähige Leistungshalbleiter auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) auf 300-mm-Wafern hergestellt. Die Verarbeitung erfolgte im österreichischen Werk Villach unter Verwendung bestehender Fertigungsanlagen für Silizium-Halbleiter. Damit demonstriert das Unternehmen die grundsätzliche Machbarkeit einer SiC-Produktion auf 300-mm-Wafern unter industriellen Fertigungsbedingungen. Bislang setzt die Branche bei der Herstellung entsprechender Leistungshalbleiter vorwiegend auf Wafer mit einem Durchmesser von 150 beziehungsweise 200 mm.
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