NanoStack: IBM fertigt CFET-Transistoren in einem Sub-1-nm-Prozess

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Die Forschungsabteilung von IBM hat verkündet, dass man eine Fertigungstechnologie entwickelt hat, die im Bereich von unter 1 nm arbeitet. Aber nicht nur die Entwicklung eines Fertigungsprozesses steht im Fokus, sondern auch das Halbleiterdesign als solches. IBM folgt dabei dem Trend zu Complimentary FET (CFET). Diese sollen nach den aktuell in aller Munde befindlichen GAA (Gate-all-Around) eine weitere Steigerung der Effizienz ermöglichen.
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