Samsung BM9K1: Controllerwechsel von ARM- auf RISC-V-Kerne

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Samsung entwickelt seine Controller In-House und setzt dabei bislang auf sparsame und effiziente ARM-Kerne, die speziell dazu entwickelt werden. Auf dem China Flash Market Summit 2026 hat der südkoreanische Hersteller die BM9K1 angekündigt. Erstmals für eine solche Endkunden-SSD setzt der Hersteller dabei auf den offenen Befehlssatz RISC-V.
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PCIe 5.0 würde hier bei vier Lanes etwas mehr als 15 GB/s ermöglichen. Zur Schreibgeschwindigkeit machte Samsung auf dem Summit keinerlei Angaben.
Die über 15GB/s sind brutto, netto wird man sie wegen des ganzen Overhead des Protokolls nie erreichen.
Da QLC-NAND zum Einsatz kommt, dürfte die Schreibrate aber auch nicht besonders hoch ausfallen – bzw. dies ist nur der Fall, solange der DRAM-Cache noch nicht gefüllt ist.
Der DRAM Cache wird bei SSDs nur für die Verwaltungsdaten verwendet, nicht als für Schreibcache für Userdaten, was bei HDDs anderes ist. Dazu wäre der DRAM Cache auch zu langsam, er ist ja meist nur nur 8 Bit Datenbreite angebunden. Phison schreibt dies selbst, dass die Userdaten nur im internen SRAM des Controllers aber nicht im DRAM Cache landen:
Das ist nicht neu, dies war schon bei der Intel X-25M von 2008 so, der ersten modernen Consumer SSD mit DRAM Cache:
Schon damals war der DRAM Cache nur für die Verwaltungsdaten da und die Daten wurden nur im internen SRAM des Controllers gespeichert und dies hat sich auch seither nicht geändert. Bitte korrigiert dies, bevor noch mehr Leute glauben, der DRAM Cache von SSDs wäre für Userdaten, die stehen allenfalls in dem SRAM welches jeder SSD Controller besitzt.

Zum eigentlichen Thema: Es sollte mich nicht wundern, wenn es am Ende ums Geld geht, da ARM ja vor einiger Zeit die Kosten für seine License deutlich angehoben hat. RISC-V ist dagegen meines Wissens nach frei nutzbar.
 
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