SAIMEMORY + Intel: Z-Angle Memory soll HBM-Alternative werden

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Intel will gemeinsam mit der SoftBank-Tochter SAIMEMORY einen neuen Speicher mit dem Namen Z-Angle Memory (ZAM) entwickeln. Beide Unternehmen haben eine entsprechende Absichtserklärung veröffentlicht. Da es sich um Grundsatzforschung im Speicherbereich handelt, wird die Entwicklung des ZAM vom Advanced Memory Technology (AMT) R&D-Programm unterstützt, welches wiederum vom U.S. Department of Energy sowie der National Nuclear Security Administration mit Unterstützung des Sandia National Laboratory, Lawrence Livermore National Laboratory und Los Alamos National Laboratory gemanaged wird.
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