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Thema: Gate All Around

  • Samsung will ab 2025 in 2 nm produzieren

    samsungAuf dem Samsung Foundry Forum hat der koreanische Großkonzern über seine Pläne hinsichtlich der Fertigung gesprochen. Dabei greift Samsung gar nicht so weit vor und will schon ab Ende 2022 mit der Fertigung in 3GAE (3 nm Gate All Around Early) beginnen – ... [mehr]
  • Ab 2022 in 3 nm: Samsungs Multi Bridge Channel FET als Zukunft der Halbleitertechnik

    mbcfetSamsung stellt mit den Multi Bridge Channel FETs (MBCFET) die nächste Generation der Feldeffekttransistoren (FET) vor. Diese sollen alle aktuellen physikalischen und elektrischen Schranken umgehen können und ab 2022 bei Samsung in der Massenfertigung in 3 nm zum Einsatz kommen. Bereits 2021 soll es aber erste Samples geben. Bereits Anfang 2019 sprach Samsung erstmals über das Thema, fügt...... [mehr]