Nick Kepler, Chef von [url=http://www.amd.de]AMDs[/url] Halbleiterfertigung, bekräftigte vor kurzem erneute das Ziel seines Unternehmens bis Mitte 2007 alle Fertigungsstraßen für Prozessoren auf 65 nm umzustellen. Dabei sind 65 Nanometer Strukturbreite für AMD ebenso wie für [url=http://www.intel.de]Intel[/url] allerdings nur ein Zwischenschritt: Der Großteil der 65 nm Prozessoren muss innerhalb von 18 Monaten verkauft werden, da bereits im Jahr 2008 der Wechsel auf 45 nm erfolgen soll. Für den Barcelona-Core (K8L) würde dies eine relativ kurze Produktionszeit auf 65 nm Basis bedeuten. Analog zur Verkleinerung der Strukturbreite verfolgt AMD ein Programm namens „Continuous Transistor Improvement“ (CTI). Ziel dabei ist es höhere Schaltgeschwindigkeiten und geringere Leckströme der Transistoren zu realisieren. Ein Ergebnis des Prozesses ist unter anderem das „Strained Silicon“-Verfahren. Dieses erhöht durch eine Streckung der Gitterstruktur des Siliziums die Durchlässigkeit für Elektronen bei AMDs 65nm dies.- Hardwareluxx >
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AMD: 45 nm Strukturbreite bis 2008
Veröffentlicht am:
von
Mitja Kilian
Nick Kepler, Chef von [url=http://www.amd.de]AMDs[/url] Halbleiterfertigung, bekräftigte vor kurzem erneute das Ziel seines Unternehmens bis Mitte 2007 alle Fertigungsstraßen für Prozessoren auf 65 nm umzustellen. Dabei sind 65 Nanometer Strukturbreite für AMD ebenso wie für [url=http://www.intel.de]Intel[/url] allerdings nur ein Zwischenschritt: Der Großteil der 65 nm Prozessoren muss innerhalb von 18 Monaten verkauft werden, da bereits im Jahr 2008 der Wechsel auf 45 nm erfolgen soll. Für den Barcelona-Core (K8L) würde dies eine relativ kurze Produktionszeit auf 65 nm Basis bedeuten. Analog zur Verkleinerung der Strukturbreite verfolgt AMD ein Programm namens „Continuous Transistor Improvement“ (CTI). Ziel dabei ist es höhere Schaltgeschwindigkeiten und geringere Leckströme der Transistoren zu realisieren. Ein Ergebnis des Prozesses ist unter anderem das „Strained Silicon“-Verfahren. Dieses erhöht durch eine Streckung der Gitterstruktur des Siliziums die Durchlässigkeit für Elektronen bei AMDs 65nm dies.