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Intel zeigt erste funktionsfähige 45 nm Chips

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[url=http://www.intel.de]Intel[/url] hat erste funktionsfähige 45 nm Chips gezeigt. Die neue Herstellungstechnik in 45 nm spart Energie und soll die Leistungsfähigkeit zukünftiger Intel Plattformen erheblich steigern.

Die Intel Corporation hat einen wichtigen Meilenstein in der Entwicklung der nächsten Generation seiner Halbleiterfertigung erreicht. Intel ist als vermutlich erstem Unternehmen gelungen, voll funktionsfähige SRAM (Static Random Access Memory) Chips unter Verwendung der 45 nm Prozesstechnologie anzufertigen.

Für Intel bedeutet dieser Erfolg, dass sich das Unternehmen auf dem richtigen Weg zur Herstellung von Chips mit der 45 nm Herstellungstechnik auf 300 mm Wafern in 2007 befindet. Die Einführung einer neuen Prozessgeneration im Turnus von zwei Jahren unterstreicht darüber hinaus den Fokus des Unternehmens, die Chipentwicklung im Rahmen des Mooreschen Gesetzes weiter voranzutreiben.
Intel ist führend in der Industrie bei der Massenproduktion von Halbleitern unter Verwendung des 65 nm Herstellungsverfahrens. Aktuell produzieren zwei Fertigungsanlagen in Arizona und Oregon 65 nm Chips, zwei weitere Anlagen werden 2006 in Irland und Oregon in Betrieb genommen.
"Wir sind nicht nur das erste Unternehmen, das die 65 nm Herstellungstechnologie in der Massenproduktion eingesetzt hat, sondern können auch als erstes Unternehmen funktionsfähige 45 nm Chips präsentieren. Das zeigt sehr deutlich die Vorreiterstellung von Intel in der Chipherstellung", so Bill Holt, Vice President und General Manger der Intel Technology and Manufacturing Group. "Intel blickt auf eine lange Tradition zurück, technologische Innovationssprünge in für Anwender konkret spürbare Vorteile umzusetzen. Unsere 45 nm Technologie wird die Grundlage für PCs mit höherer Leistung pro Watt bilden, die Nutzung und Bedienerfreundlichkeit deutlich verbessern."
Mit Intels 45 nm Herstellungsprozess lassen sich Chips anfertigen, die eine fünffach geringere Verlustleistung als heutige Chips aufweisen. Dies optimiert die Batterielebensdauer mobiler Geräte und schafft die Voraussetzung dafür, kleinere und leistungsstärkere Plattformen zu entwickeln.
Der 45 nm SRAM Chip verfügt über mehr als 1 Milliarde Transistoren. Obwohl nicht angedacht ist, SRAM als Produkt zu vermarkten, lässt sich mit solchen Chips vor dem Produktionsstart von Prozessoren und anderer Logikchips auf Basis des 45 nm Fertigungsprozesses die technische Kapazität, der Ertrag aus dem Verfahren sowie die Zuverlässigkeit der Chips zeigen. Damit ist eine erste entscheidende Hürde auf dem Weg zur Massenproduktion der weltweit komplexesten Bauteile genommen.
Zusätzlich zu den Fertigungsressourcen der D1D Fabrik in Oregon, wo die 45 nm Entwicklung bei Intel bereits im Gange ist, kündigte die Firma mit der Fab 32 in Arizona sowie der Fab 28 in Israel zwei weitere Fabriken für die Herstellung von Chips unter Verwendung der 45 nm Fertigungstechnologie an. Diese befinden sich derzeit im Aufbau.




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