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Intel entwickelt neues Fertigungsverfahren für niedrigen Stromverbrauch

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[url=http://www.intel.de]Intel[/url] entwickelt derzeit eine besonders stromsparende Variante ihres High-Performance 65 nm Fertigungsverfahren für Microprozessoren. Diese Ultra-Low-Power Version ermöglicht es, Chips mit extrem geringem Stromverbrauch für mobile Plattformen und Geräte mit kleinem Formfaktor herzustellen.

Intels High Performance 65-Nanometer-Verfahren (1 Nanometer, nm, entspricht einem Milliardstel Meter) weist gegenüber dem derzeit branchenführenden 90-nm-Fertigungsverfahren sowohl hinsichtlich des Stromverbrauchs als auch der Performance klare Vorteile auf. Intels Chip-Designer haben durch dieses 65-nm-Fertigungsverfahren weiteren Handlungsspielraum bekommen, Leiterbahnen enger anzuordnen und die Leistung und den Energieverbrauch zu erzielen, den Anwender Akku-betriebener Geräte benötigen.„Käufer entscheiden sich in der Regel für mobile Plattformen, die eine möglichst lange Akkulaufzeit bieten“, so Mooly Eden, Vice President und General Manager der Intel Mobile Platforms Group. „Diese Produkte profitieren enorm von unserem neuen Fertigungsverfahren. Bei zukünftigen mobilen Plattformen werden wir jeweils das Fertigungsverfahren auswählen, dass die größten Vorteile bietet.“

Einer der Faktoren zur wirksamen Reduzierung des Prozessor-Stromverbrauchs - insbesondere von großer Bedeutung für mobile, Akku-betriebene Geräte - ist eine verbesserte Entwicklung der mikroskopisch kleinen Transistoren. Diese verursachen selbst im Ruhezustand Leckströme und stellen aus diesem Grund eine Herausforderung für die gesamte Branche dar.

„Auf manchen Chips stecken über eine Milliarde Transistoren. Angesichts dieser hohen Anzahl wird deutlich, dass sich die Verbesserung der einzelnen Transistoren zu enormen Vorteilen für den gesamten Chip addieren“, erläutert Mark Bohr, Senior Fellow und Leiter der Sparte Prozessarchitektur und -integration bei Intel. „Test-Chips, die mit dem neuen 65-nm-Verfahren von Intel gefertigt wurden, hatten eine 1000mal geringere Verlustleistung verglichen mit unserem Standardprozess. Daraus resultiert ein deutlicher Stromspareffekt für die Benutzer von Geräten, die mit diesem Verfahren hergestellt wurden.“

Intels Ultra-Low Power 65-nm-Fertigungsverfahren Bei Intels Ultra-Low Power 65-nm-Herstellungsverfahren wurde eine Reihe an Modifikationen am Transistoraufbau vorgenommen. Diese verringern erheblich die drei Hauptquellen von Transistor-Leckströmen – Sub-Threshold-Leakage, Junction-Leakage und Gate-Oxid-Leakage. Der Anwender profitiert im Ergebnis von einem geringeren Stromverbrauch und einer längeren Akkulaufzeit.

Das 65-nm-Fertigungsverfahren von Intel
Der Intel 65-nm-Fertigungssprozess kombiniert hohe Leistung mit einem niedrigerem Energieverbrauch und nutzt Intels zweite Generation des hauseigenen Strained-Silicon Halbleiterverfahrens. Weitere Merkmale dieser Fertigungstechnik sind acht Kupfer-Metalllagen, Low-k-Dielektrika und ein höherer Steuerstrom, der die Schaltgeschwindigkeit des Transistors signifikant beschleunigt, wobei die Herstellungskosten nur um 2 Prozent höher ausfallen. Durch Einsatz des 65-nm-Verfahrens bei der Chipherstellung lässt sich die Anzahl der Transistoren auf einem Prozessor gegenüber der 90-nm-Technologie verdoppeln.

Kleine und schnelle Transistoren sind die Bausteine sehr schneller Prozessoren. Mit beiden 65-nm-Fertigungsverfahren ist Intel in der Lage Transistoren herzustellen, die eine Gate-Länge von nur 35 nm messen – das sind die kleinsten und leistungsstärksten CMOS-Transistoren in der Massenproduktion. Zum Vergleich: Aktuell haben die modernsten Transistoren, die in den Pentium® 4 Prozessoren von Intel verwendet werden, eine Gatelänge von 50 nm.

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