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Intel bestätigt EDRAM in einigen 'Haswell'-Modellen

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intel3Was bisher nur ein Gerücht war, ist nun von Intel auf dem IDF in Peking bestätigt worden. Einige der bald erwarteten "Haswell"-Prozessoren werden einen zusätzlichen Cache bekommen, den Intel "L4-Cache" nennt oder als EDRAM bezeichnet. Beim Embedded-DRAM handelt es sich um zusätzlichen Speicher, der aber weder direkt als Cache auf dem Prozessor-Die implementiert ist, noch außerhalb des Chip-Package untergebracht wird. Der EDRAM der GT3 getauften integrierten GPU von "Haswell" sitzt vielmehr direkt neben der Die - befindet sich also ebenfalls im Chip-Package und kann daher schneller angebunden werden. Bekannt ist dieses Prinzip bereits von einigen SoCs, die ihren Speicher ebenfalls direkt neben dem CPU-Die haben.

Intel IDF 2013
Intel IDF 2013 in Peking - "Haswell"-Prozessoren mit EDRAM

Moderne IGPs haben vor allem ein Problem: Eine relativ langsame Anbindung an den ihr zur Verfügung gestellten Speicher (shared Memory). Mit dem EDRAM möchte Intel dies nun ändern. Er soll 128 MB groß sein und wäre damit zu umfangreich, um ihn direkt auf dem Die unterzubringen. Allerdings soll sich der Einsatz von EDRAM auf die High-End-Lösung GT3 beschränken. Zudem sollen die "Haswell"-Prozessoren mit GT3-Grafiklösung und EDRAM nur in fest verlöteten BGA-Gehäuses zu finden sein. Vor einigen Tagen sind bereits die ersten Modellnummern aufgetaucht, die auch solche CPUs mit EDRAM beinhalten. Im Vergleich zu den Prozessoren ohne GT3-Grafikeinheit fallen der geringere Takt und die geringere Leistungsaufnahme auf. So erreicht der Core i7-4770K einen Takt von 3,5 bis 3,9 GHz bei einer TDP von 84 Watt. der Core i7-4770R mit GT3-GPU kommt auf 3,2 bis 3,9 GHz bei 65 Watt.

Intel IDF 2013
Intel IDF 2013 in Peking - "Haswell"-Prozessoren mit EDRAM

Die genauen Details zu den einzelnen "Haswell"-Modellen stehen allerdings noch aus. Mit einer offiziellen Vorstellung wird in den kommenden Wochen gerechnet.

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