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Intel entwickelt Silizium-Substrat für effizientere Transistoren

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intel3Intel veröffentlichte kürzlich erste Entwicklungsdetails über einen neuen P-Kanal-Transistor. Dieser basiert auf einem Silizium-Substrat das seinerseits aus einer Halbleiterverbindung besteht, die auch als III-V-Materialien bekannt ist. Der Name III-V-Materialien rührt daher, dass die entsprechenden Elemente das in der 4. Spalte des Periodensystems liegende Silizium umspannen. Dieses Forschungsprojekt soll die weltweit bisher leistungsfähigsten P-Kanal-Transistoren hervorgebracht haben. Bereits vor einem Jahr entwickelte Intel, ebenfalls auf einem Silizium-Substrat basierende, III-V-N-Kanal-Transistoren. Kombiniert man diese beiden Transistoren zu CMOS-Logik-Schaltkreisen, könnte das die Grundlage für zukünftige Mikroprozessoren darstellen, die deutlich kühler bei halber Spannung und etwa 1/10 des Strombedarfs aktueller Prozessoren arbeiten. Überflüssig zu sagen, dass solche Optimierungen hinsichtlich Leistungsaufnahme ganz im Trend der Green-IT liegen und somit mehr als nur wünschenswert wären!

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