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Samsung zeigt neuen GDDR4 Speicher

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Der südkoreanische Mischkonzern [url=http://www.samsung.de]Samsung[/url] hat diese Woche eine neue Generation von GDDR4 Modulen angekündigt. Auf der Solid-State Circuits Conference (ISSCC) wurde ein GDDR4 Speicher präsentiert, der mit einer (realen) Taktrate von 2000 MHz gut 40 Prozent mehr Leistung bietet, als die derzeit schnellsten Speicherbausteine. In Zusammenarbeit mit einem 256-bit Speicherbus könnte der Prototyp für 512 MB Videospeicher (64MB x 8) bei einer Bandbreite von 16 GigaByte pro Sekunde einen theoretischen Datendurchsatz von 128 GB/s erreichen. Dies würde einer Verdopplung des Datendurchsatz einer Radeon X 1950XTX entsprechen. Samsung sieht dabei das Potential von GDDR4 allerdings noch nicht ausgeschöpft und prognostiziert Taktraten von bis zu 2,5 GHz, bevor der erste GDDR5 Speicher im Jahr 2009 auf den Markt kommen soll. Im Vergleich zu herkömmlichen GDDR4 Modulen wird allerdings auch eine höhere Spannung von rund 2,1 Volt benötigt. Eigenen Angaben zufolge hat Samsung bereits erste Sample des in 80nm Strukturbreite gefertigten Speichers verschickt. Mit der Marktreife erster Grafikkarten, die auf den schnellen Speicher zurückgreifen, ist allerdings nicht vor Ende des Jahres zu rechnen.

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