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Erste Flash-Bausteine mit 34 nm

Wie die Kollegen von
golem.de berichten, hat
IM Flash, das Joint Venture von Intel und Micron, die ersten Flash-Bausteine in NAND-Bauweise und im 34-nm-Fertigungsverfahren vorgestellt. Laut den Kollegen will
IM Flash erste Muster im Juni ausliefern und die Serienproduktion im zweiten Halbjahr 2008 beginnen. Die Speicher-Steine sollen eine Fläche von 172 mm² besitzen und pro DIE insgesamt 32-GBit-Kapazität bieten. Damit werden insgesamt 16 dieser Chips benötigt, um auf 64-GB-Speicherkapazität zu kommen. Da die Bausteine in die üblichen TSOP-Gehäuse mit 48 Kontakten passen sollen, können diese auch in bestehende Designs, wie Solid-State-Discs, Speicherkarten oder Camcorder, eingesetzt werden. Seit Ende 2006 baut
IM Flash in Singapur seine eigene Halbleiterfabrik. Die Speicherpreise, besonders von SSDs können dadurch erstmals rapide sinken, was Intel auch anstrebt (
wir berichteten).
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