Wie die Kollegen von golem.de berichten, hat IM Flash, das Joint Venture von Intel und Micron, die ersten Flash-Bausteine in NAND-Bauweise und im 34-nm-Fertigungsverfahren vorgestellt. Laut den Kollegen will IM Flash erste Muster im Juni ausliefern und die Serienproduktion im zweiten Halbjahr 2008 beginnen. Die Speicher-Steine sollen eine Fläche von 172 mm² besitzen und pro DIE insgesamt 32-GBit-Kapazität bieten. Damit werden insgesamt 16 dieser Chips benötigt, um auf 64-GB-Speicherkapazität zu kommen. Da die Bausteine in die üblichen TSOP-Gehäuse mit 48 Kontakten passen sollen, können diese auch in bestehende Designs, wie Solid-State-Discs, Speicherkarten oder Camcorder, eingesetzt werden. Seit Ende 2006 baut IM Flash in Singapur seine eigene Halbleiterfabrik. Die Speicherpreise, besonders von SSDs können dadurch erstmals rapide sinken, was Intel auch anstrebt (wir berichteten).Weiterführende Links:Erste Flash-Bausteine mit 34 nm
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von
Andreas Stegmüller
Wie die Kollegen von golem.de berichten, hat IM Flash, das Joint Venture von Intel und Micron, die ersten Flash-Bausteine in NAND-Bauweise und im 34-nm-Fertigungsverfahren vorgestellt. Laut den Kollegen will IM Flash erste Muster im Juni ausliefern und die Serienproduktion im zweiten Halbjahr 2008 beginnen. Die Speicher-Steine sollen eine Fläche von 172 mm² besitzen und pro DIE insgesamt 32-GBit-Kapazität bieten. Damit werden insgesamt 16 dieser Chips benötigt, um auf 64-GB-Speicherkapazität zu kommen. Da die Bausteine in die üblichen TSOP-Gehäuse mit 48 Kontakten passen sollen, können diese auch in bestehende Designs, wie Solid-State-Discs, Speicherkarten oder Camcorder, eingesetzt werden. Seit Ende 2006 baut IM Flash in Singapur seine eigene Halbleiterfabrik. Die Speicherpreise, besonders von SSDs können dadurch erstmals rapide sinken, was Intel auch anstrebt (wir berichteten).Weiterführende Links: