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Toshiba und SanDisk steigern Speicherdichte von TLC-Speicher

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sandisk logoSanDisk produziert zusammen mit Toshiba schon längere Zeit Speicherchips und zählt neben Samsung sowie Intel/Micron zu den führenden Herstellern. Wie die beiden Unternehmen nun melden, soll bald ein neuer Speicherbaustein mit einer besonders hohen Speicherdichte produziert werden. Der NAND-Speicher setzt dabei auf die TLC-Technik und wird im modernen 3D-Verfahren gefertigt. Dies bedeutet, dass der Hersteller mehrere Lagen aufeinanderstapelt und damit die Speicherkapazität pro Chip erhöht. Die beiden Hersteller sprechen dabei von insgesamt 48 Lagen und daraus ergibt sich eine Speichergröße von 256 GBit respektive 32 GB pro Chip. Die beiden Hersteller wären die ersten, die einen solch großen Speicherchip im Portfolio haben.

Erst vor wenigen Tagen hatten wir berichtet, dass SanDisk eine Angeleichung der Preise zwischen SSDs und Festplatten vorhersagt. Mit diesem Schritt schrauben die beiden Unternehmen schon an der richtigen Stelle, denn nur durch fallende Preise bei den Speicherbausteinen werden auch die Preise für SSDs fallen. Durch die größere Kapazität pro Chip sinken die Produktionskosten und somit auch die Preise für den Endverbraucher. Jedoch wird dies noch von heute auf morgen möglich sein, sondern es wird die entsprechende Zeit benötigt.

Die neuen X3-NANDs mit 48 Lagen werden im 15-nm-Prozess gefertigt und sollen ab dem ersten Halbjahr 2016 in die Massenproduktion übergehen. Erste Muster sind noch zum Ende des Jahres geplant. Es wird also noch ein wenig dauern, bis die ersten SSDs auf Basis der neuen Chips im Handel zu finden sein werden.

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Kommentare (2)

#1
Registriert seit: 05.07.2010

Admiral
Beiträge: 16627
"Die neuen X3-NANDs mit 48 Lagen werden im 15-nm-Prozess gefertigt"
Seid ihr da sicher? Die 3D NANDs von Samsung sind in einem 3x bis 40nm Prozess gefertigt und vom IMFT gibt es ähnlich aussagen. Es dürfte auch sehr schwer werden diese in einem sehr kleinen Prozess zu fertigen und die nötigen Prozessschritte dann noch genau genug übereinander zu platzieren und bei 48 Lagen sind noch viel mehr Schritte nötig als die Samsung bei seinen bisherigen 3D NANDs mit 24 (1. Generation) und 32 (2. Generation) Lagen. Es würde mich extrem überraschen wenn Toshiba und SanDisk beim ersten 3D NAND so einen kleinen Prozess mit so viele Lagen kombiniert bekämen und dann noch eine vernünftige Ausbeute erzielen könnten. Damit wäre dann gewaltigen Kosten- und Preissenkungen wirklich Tür und Tor geöffnet.
#2
customavatars/avatar87890_1.gif
Registriert seit: 24.03.2008
Heidelberg
A glorious mess!
Beiträge: 4845
Schön zu hören.
Aber schade das es immer so lange dauert bis die auch wirklich im Endprodukt verbaut sind.
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