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Samsung startet Produktion von 3D-V-NAND mit Triple-Level-Cells

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Samsung startet Produktion von 3D-V-NAND mit Triple-Level-Cells
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Chiphersteller Samsung verbaut in seiner aktuellen SSD-Serie 850 Pro erstmals Speicherchips mit der sogenannten 3D-V-Technik. Im Gegensatz zu herkömmlichen NAND-Bausteinen besitzen die Chips 24 oder 32 Lagen, wodurch bei der Produktion kosten gespart werden können. Die Chips können pro Zelle 2 Bit speichern und greifen auf den MLC-Standard zurück.

Wie Samsung nun aber bekannt gibt, ist die Massenproduktion von 3D-V-NAND mit der TLC-Technik gestartet. Diese Bausteine setzen ebenfalls auf mehrere Lagen, werden jedoch pro Zelle 3 Bit speichern können. Bisher waren die sogenannten TLC-Chips mit nur einer Lage ausgestattet. Die 3D-V-NAND TLC-Chips werden eine Kapazität von 128 GBit respektive 16 GBit besitzen, womit acht Chips benötigt werden, um eine SSD mit 128 GB Kapazität zu produzieren. Laut Samsung soll durch den vertikalen Aufbau der Chips zudem die Haltbarkeit gegenüber planaren TLC-Chips gesteigert worden sein. Genaue Zahlen stehen an dieser Stelle aber leider noch nicht zur Verfügung.

Ob der Preis für SSDs durch die nochmals geringeren Produktionskosten der Speicherchips weiter fallen wird, wird sich erst noch zeigen müssen. Ebenfalls ist bisher unbekannt, wann die ersten Laufwerke mit den neuen Chips im Handel zu finden sein werden.

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