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Samsung zeigt 64-GBit-NAND in 20-nm-Technik

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samsungDer Chiphersteller Samsung hat damit begonnen, die ersten NAND-Flashspeicherchips mit 3 Bit pro Zelle in der 20-Nanometer-Technologie zu fertigen. Die Chips sind laut Hersteller vor allem für Smartphones geeignet und mit einer Kapazität von bis zu 64 Gbit (8 GB) verfügbar. Die Umstellung auf den feineren Herstellungsprozess erlaubt es bei einer konstanten Größe, Chips mit mehr Speicherplatz zu fertigen oder bei gleicher Speicherkapazität kleinere Chips herzustellen. Dies hat den Vorteil, dass Platz gespart werden kann und dadurch die Kosten pro GigaByte gesenkt werden können. Im Vergleich zu den bisherigen Fertigung von 32-GBit-Chips mit 3 Bit pro Zelle in der 32-nm-Technik soll sich die Produktivität um 60 Prozent steigern lassen. Diese sogenannten MLC-Chips (Multi Level Cell) können 3 Bit pro Zelle speichern und somit die Fertigung besonders günstiger Chips möglich machen. Der Nachteil dieser ist jedoch, dass diese nicht so robust wie SLC-Chips sind. Deshalb ist diese Speicherlösung vor allem für Geräte gedacht, bei denen es nicht auf besondere Zuverlässigkeit ankommt.

Die MLC-Chips mit der 20-nm-Technologie von Samsung sollen später auch in SSDs sowie in Speicherkarten zum Einsatz kommen.

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